память
всего материалов по тегу -
393
Samsung делает ставку на чипы HBM3E для ИИ-серверов благодаря лучше отлаженному производству
Компании предстоит потрудиться над увеличением процента выпуска годных чипов более продвинутой памяти HBM4
В Hardware Unboxed предупреждают о грядущем подорожании графических процессоров
По мнению экспертов, сейчас лучшее время, чтобы обновить видеокарту.
В Asus заявляют о скором повышении цен на ноутбуки и готовые ПК
Производителям готовых систем всё сложнее брать на себя подорожание ключевых компонентов, в первую очередь оперативной памяти, и они вынуждены повышать стоимость своей продукции.
SK hynix объединяет DRAM и NAND в одном корпусе для увеличения скорости работы ИИ
Новая технология упаковки скоро может быть реализована на практике
В Phison ожидают в ближайшее время кратного роста стоимости накопителей SSD
По словам гендиректора компании, в индустрии NAND-памяти наблюдается та же динамика, что в сфере DRAM. При этом производители не могут нарастить производство.
Samsung анонсировала память LPDDR6 со скоростью передачи данных 10,7 Гбит/с
Новинка обеспечивает максимальную пропускную способность 10,7 Гбит/с и на 21% энергоэффективнее аналогов LPDDR5X
Samsung предупреждает о грядущем усилении дефицита памяти для ПК и смартфонов
В компании заявили, что продолжат переводить свои мощности на чипы HBM
Samsung стремится к скорости 13 Гбит/с на стек со своей памятью HBM4e следующего поколения
Память для будущих ускорителей вычислений сферы искусственного интеллекта.
Стандарт UFS 5.0 увеличит производительность до 10,8 ГБ/с
Накопители, используемые в смартфонах и других портативных устройствах, медленнее, чем NVMe, используемые в ПК и игровых консолях, и обновление протокола универсальной флэш-памяти может изменить ситуацию с выпуском стандарта UFS 5.0, который может похвастаться более высокой скоростью, чем большинств...
Ученые создали двумерный материал для памяти, потребляющий в 10 раз меньше энергии
Ученые из Швеции и России создали двумерные материалы для нового типа памяти, которая потребляет в 10 раз меньше энергии. Шведские исследователи объединили два магнитных состояния в одном атомном слое, а российские разработали мемристоры толщиной 4 нанометра. Разбираемся, как эти технологии изменят ...
SK hynix готовит память HBM4 со скоростью 10 Гбит/с на канал
Интересно, что спецификации JEDEC для HBM4 составляют только 8 Гбит/с
NVIDIA и Kioxia разрабатывают SSD для ИИ в 100 раз быстрее обычных
Компании NVIDIA и Kioxia объединились для создания специализированных SSD-накопителей для задач искусственного интеллекта. Новые накопители будут обладать скоростью в 100 раз выше стандартных моделей.
Huawei разрабатывает систему памяти для ИИ для снижения зависимости от западных технологий
Китайская компания Huawei работает над созданием специализированной памяти для задач искусственного интеллекта. Новая разработка может стать альтернативой HBM-памяти.
Samsung выпустила SSD 9100 PRO Gen 5 на 8 ТБ со скоростью до 14,8 ГБ/с
Samsung представила новые твердотельные накопители 9100 PRO Gen 5 ёмкостью 8 ТБ. Скорость чтения достигает 14,8 ГБ/с, а цена начинается от $999.
SK Hynix сумела обойти Samsung на рынке DRAM
Доля компании выросла до 36,3%, тогда как самсунг потеряла 8,8%, опустившись до 32,7%
SK Hynix готовит переход DRAM 1c на шесть слоев EUV и нацеливается на HNA-технологии
SK Hynix планирует применить шесть слоев EUV в производстве 1c DRAM, что позволит увеличить производительность и выход годных изделий. Компания также готовит почву для внедрения EUV с высокой числовой апертурой в будущих поколениях памяти.
Apple готовит подорожание iPhone 17 и может компенсировать его увеличенным объемом памяти
Аналитик сообщил о планах Apple повысить стоимость смартфонов серии iPhone 17. Компания может смягчить реакцию покупателей, предложив больший объем встроенной памяти в базовых версиях.
SanDisk и SK hynix совместно создают новый тип памяти High Bandwidth Flash
SanDisk и SK hynix обещают до 16 раз большую емкость памяти по сравнению с HBM при равной цене
Samsung ускоряет разработку HBM4 для поставок NVIDIA и AMD
Samsung планирует отправить первые образцы памяти HBM4 ключевым клиентам уже в этом месяце. Компания надеется восстановить позиции на рынке после неудач с предыдущим поколением HBM3.
Флагманские смартфоны следующего поколения на N3P TSMC не столкнутся со значительным ростом цен
На стоимость может повлиять подорожание памяти LPDDR5X, но и оно будет нивелировано расширением производства.
Nvidia массово скупает память SOCAMM для интеграции в свои ИИ-системы
Только за этот год компания планирует внедерить в свои устройства до 800 тысяч модулей
Побит новый мировой рекорд по разгону DDR5-памяти — 12872 МТ/с
Данного результата удалось достичь с памятью G.Skill Trident Z5 DDR5 на базе чипов SK Hynix и материнской платой ASUS ROG Maximus Z890 Apex.
Стали известны характеристики памяти Xiaomi 15T Pro перед релизом
В ходе сертификации Xiaomi 15T Pro стали известны детали о конфигурациях памяти устройства. Смартфон предложат в трех вариантах с разным объемом встроенного хранилища.
Ученые объяснили, почему мозг меняет восприятие времени с возрастом
Многие замечают, что с возрастом дни и недели словно пролетают. Исследователи выяснили, почему это происходит и как с этим можно бороться.
Ученые выяснили, что мультисенсорная VR-прогулка по лесу снижает уровень стресса и улучшает память
Исследование показало, что погружение в виртуальный лес с запахами и звуками помогает справиться со стрессом. Эффект усиливается, если задействованы сразу несколько органов чувств.
Ученые выяснили, как повторяющиеся воспоминания искажает хронологию памяти
Новое исследование показало, что многократное повторение информации заставляет нас считать ее более ранней. Память подстраивает хронологию событий, основываясь не на фактах, а на ощущениях.
KAIST и Tera представили дорожную карту развития памяти HBM до 2038 года
Следующие поколения HBM от HBM4 до HBM8 принесут терабайты памяти на будущие ускорители мощностью более 15000 Вт
Micron готовит самую быструю и тонкую в мире память LPDDR5X для флагманских смартфонов
Скорость новых чипов LPDDR5X составит до 10,7 Гбит/с и будет на 20% экономичнее существующих чипов
Samsung запустит массовое производство чипов LPDDR6 уже к концу этого года
Однако, уже в 2026 году этого же прогресса добьётся китайская Changxin Storage. Китай постепенно сокращает отставание в данной области.
Samsung ускоряет выпуск LPDDR6 с целью опередить Changxin Memory Technologies
Samsung активизировала разработку оперативной памяти LPDDR6 с целью её выпуска уже во второй половине 2025 года. Причина — конкуренция с китайским производителем CXMT и рост интереса со стороны ключевых клиентов, включая Qualcomm.
Micron представила LPDDR5x-память шестого поколения с рекордной скоростью 10,7 Гбит/с
Новинка обладает повышенной энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением на 20%, что делает её оптимальным выбором для мобильных устройств.
Модели iPhone 2027 года станут дороже из-за памяти HBM и поддержки ИИ локально на устройстве
Apple внедрит высокоскоростную память HBM и технологию TSV в модели iPhone 2027 года. Эти компоненты позволят запускать крупные ИИ-модели локально, без обращения к облаку.
В Китае создали самую быструю в мире флеш-память на основе графена
Смена ключевого материала пошла на пользу.
Разрабатывается новая сегнетоэлектрическая память DRAM+ с применением оксида гафния
Сегнетоэлектрическая память сочетает высокую производительность DRAM с энергонезависимостью.
Samsung сообщила о грядущем повышении цен на память DRAM и NAND
Компания заявляет о растущем спросе со стороны покупателей и дополнительных сложностях в связи с пошлинами США
Micron повышает цены на память из-за растущего спроса
Другие производители могут последовать примеру.
Micron предупреждает о скором повышении цен память DRAM и NAND
По имеющейся информации, из-за спроса на серверное оборудование стоимость на чипы будет расти вплоть до 2026 года
SK Hynix первой в мире начинает производство 12-слойных образцов HBM4 с ёмкостью до 36 ГБ
Также компания запустила массовый выпуск памяти SOCAMM нового поколения и 12-слойной HBM3e
SK hynix разрабатывет память LPDDR5M с низким напряжением и высокой энергоэффективностью
SK hynix анонсировала разработку новой памяти LPDDR5M, которая работает при более низком напряжении, чем LPDDR5X, обеспечивая тем самым большую энергоэффективность. Ожидается, что эта память найдет применение в современных смартфонах с функциями искусственного интеллекта.
Apple завершает выпуск iPhone с 64 ГБ: новый стандарт — 128 ГБ
Apple официально прекратила выпуск всех моделей iPhone с 64 ГБ встроенной памяти. С выходом iPhone 16e, 128 ГБ становится минимальным объемом для новых устройств.
Крупнейшие производители памяти планируют прекратить производство DDR3 и DDR4 в 2025 году
Более современные модули памяти обеспечивают производителям микросхем более высокую прибыль.
Крупные производители DRAM прекращают выпуск памяти DDR4 и DDR3
Ведущие производители DRAM, включая Samsung, Micron и SK Hynix, планируют прекратить производство памяти DDR4 и DDR3. Этот шаг обусловлен растущим спросом на более современные решения, такие как DDR5 и HBM.
Крупнейшие производители памяти откажутся от выпуска DDR3 и DDR4 до конца 2025 года
Компании акцентируют внимание на чипах DDR5 и HBM.
NVIDIA разрабатывает компактные модули SOCAMM для персональных суперкомпьютеров
NVIDIA совместно с крупными производителями памяти разрабатывает новые модули SOCAMM, предназначенные для персональных суперкомпьютеров с искусственным интеллектом. Эти модули обещают улучшить производительность при низком энергопотреблении.
Ученые записали терабайты данных на миллиметровый кристалл
Метод предполагает использование дефектов кристалла.
Micron расширяет присутствие в сегменте HBM3E, пока Samsung сталкивается с трудностями
Война за память: Micron выходит на рынок HBM3E, конкурируя с Samsung и SK hynix
SanDisk представила новую память HBF для ИИ-ускорителей
Новая память HBF от SanDisk сочетает в себе емкость 3D NAND с пропускной способностью HBM
Samsung модернизировала производство чипов DRAM 1c для увеличения доли качественных продуктов
Впоследствии это должно будет отразиться на успехе выпуска памяти HBM4
Ученые раскрыли потенциал графита для создания высокотехнологичных запоминающих устройств
Ученые из Израиля разработали новый метод преобразования графита в уникальные материалы с возможностями хранения информации. Этот подход может изменить представление о материалах в вычислительной технике и электронике.
Китайские хитрости или куда делась в планшете память
Скачали несколько объемных файлов и больше нет свободной памяти... У вас такое было? У меня да...
Всегда ли память китайских гаджетов соответствует заявленной и как это проверить...
Сейчас обсуждают