Intel и SoftBank с помощью своей дочерней компании Saimemory разрабатывают альтернативную технологию высокоскоростной памяти (HBM), обеспечивающую большую пропускную способность и емкость для модулей памяти, используемых мощными ускорителями искусственного интеллекта. На выставке VLSI 2026 в июне Saimemory планирует представить доклад о недавно разработанной памяти HB3DM, основанной на технологии Z-Angle Memory (ZAM).

Это название относится к вертикальному (по оси Z) расположению кристаллов, аналогичному традиционной HBM. Однако Intel стремится достичь впечатляющих результатов, используя самые современные технологии производства. Первое поколение HB3DM будет иметь в общей сложности девять слоев с использованием гибридной 3D технологии соединения на кристалле. В основании будет находиться логический слой, управляющий перемещением данных внутри кристалла, а сверху — восемь слоев DRAM для хранения данных. Каждый слой будет содержать около 13700 сквозных межсоединений (TSV).

Изображение: TechPowerUp

Что касается емкости, то HB3DM обеспечит около 1,125 ГБ на слой, что соответствует 10 ГБ на модуль памяти. Intel может достичь пропускной способности примерно 0,25 Тб/с на мм², и для модуля объемом 10 ГБ с площадью кристалла 171 мм² можно ожидать производительности около 5,3 ТБ/с на модуль. Эти высокие показатели могут быстро превзойти конкурирующую память HBM4, поскольку HB3DM предлагает гораздо более высокую пропускную способность. HBM4 в настоящее время обеспечивает скорость около 2 ТБ/с на стек. Однако HB3DM ограничена емкостью в 10 ГБ, в то время как HBM4 может похвастаться 48 ГБ на стек.

Изображение: TechPowerUp

Пока неизвестно, когда Saimemory выпустит эти чипы памяти или кто будет производить базовую DRAM. Однако, с участием Intel, возможно, произойдет возвращение производства DRAM на заводах компании, но конкретный техпроцесс пока неизвестен. По мере приближения выставки VLSI 2026 можно ожидать больше подробностей от Intel и SoftBank об их дочерней компании Saimemory и достигнутом прогрессе. Saimemory планирует подготовить прототипы к началу 2028 года, а коммерческие продукты должны поступить в продажу к 2029 году.