Компания NEO Semiconductor продемонстрировала прототип памяти 3D X-DRAM и привлекла дополнительное финансирование для продолжения реализации проекта. Тестовые чипы POC показали, что 3D X-DRAM можно изготавливать по существующим технологиям производства 3D NAND, накладывая дополнительные слои DRAM, вместо стекирования, как у HBM.
Первые испытания нового типа памяти выявили следующие характеристики:
- Задержка при чтении и записи: менее 10 нс
- Время сохранения данных в ячейках без подзаряда: более 1 с при 85 °C (в 15 раз лучше, чем у DRAM с 64 мс по стандарту JEDEC)
- Время до сбоя из-за помех при выполнении операций в соседних ячейках: более 1 с при 85 °C
- Количество циклов перезаписи: более 10^14
3D X-DRAM имеет несколько конфигураций для различных типов задач. Например, память с ячейками типа 1T1C (один транзистор, один конденсатор) оптимальна в качестве базового решения наравне с DRAM и HBM. В свою очередь, для ИИ и вычислений в ОЗУ лучше подойдет схема 3T0C (три транзистора, без конденсаторов).
Третий тип ячейки 1T0C представляет собой один транзистор с плавающим затвором, в котором хранится заряд, при этом конденсаторы, склонные к утечке данных, отсутствуют.. Снижение количества компонентов уменьшает размер структуры и дает возможность изготавливать память с высокой плотностью, а также производить вычисления и создавать гибридные системы.
Что касается сравнения с передовой на данный момент HBM, то последняя уступает 3D X-DRAM по экономической эффективности. Из-за сложности производства память HBM должна пройти множество испытаний, прежде чем ее можно будет использовать в серверных чипах.
Более простая 3D X-DRAM с монолитной, а не послойной структурой, требует меньшего количества проверок. Следовательно, в долгосрочной перспективе она способна вытеснить HBM за счет сокращения издержек и повышения рентабельности.
