sk hynix
всего материалов по тегу -
526
SanDisk и SK hynix совместно создают новый тип памяти High Bandwidth Flash
SanDisk и SK hynix обещают до 16 раз большую емкость памяти по сравнению с HBM при равной цене
SK Hynix опередила Samsung и стала крупнейшим мировым производителем чипов памяти DRAM
Samsung уступает ещё и Micron, её доля рынка сейчас равна 17%
SK Hynix подтвердила появление 3 ГБ чипов GDDR7 в линейке GeForce RTX 50 SUPER
Новая серия видеокарт NVIDIA получит в 1,5 раза больше VRAM
SK hynix подтвердила работу над чипами видеопамяти GDDR7 объёмом 3 ГБ
Больше поставщиков, больше доступных чипов — шире применение.
SK hynix готовит 24-гигабитные модули GDDR7 для новых видеокарт
SK hynix работает над видеопамятью нового поколения. Компания готовит GDDR7 объемом 24 Гбит и ускоряет подготовку поставок HBM4.
В 2018 году Samsung отвергла предложение Дженсен Хуанга о партнерстве по HBM и CUDA
В 2018 году глава NVIDIA предложил Samsung объединить усилия по разработке HBM-памяти и ИИ-архитектуры CUDA. Однако корейская компания отказалась, посчитав идею непривлекательной.
Память DDR6 выйдет в 2027 году с максимальной скоростью 17 600 МТ/с
Память DDR6 появится на рынке к 2027 году, предлагая значительный прирост скорости по сравнению с DDR5. Производители уже тестируют решения, включая модули CAMM2.
Samsung ускоряет разработку HBM4 для поставок NVIDIA и AMD
Samsung планирует отправить первые образцы памяти HBM4 ключевым клиентам уже в этом месяце. Компания надеется восстановить позиции на рынке после неудач с предыдущим поколением HBM3.
Micron начинает поставки памяти GDDR7 для видеокарт GeForce RTX 50
Компания станет третьим поставщиком модулей GDDR7 наряду с Samsung и Hynix
Intel готовит ускорители Gaudi с HBM4 и новые видеокарты Arc для систем Edge AI в 2025 году
Intel анонсировала новые графические процессоры Gaudi с памятью HBM4 от SK hynix и линейку Arc для Edge AI. Выход ожидается в четвертом квартале 2025 года.
SK Hynix поставила HBM4-память для будущих GPU NVIDIA Rubin
Компания упрочила позиции на рынке высокопроизводительной видеопамяти
США рассматривают запрет на поставки техники для чипов в Китай для TSMC, Samsung и SK hynix
Министерство торговли США обсуждает возможность отмены послаблений, позволяющих Samsung, TSMC и SK hynix использовать американское оборудование на китайских заводах. Решение может повлиять на цепочки поставок и вызвать напряженность в отношениях с союзниками.
Производители полупроводников сталкиваются с проблемами при строительстве заводов в США
Строительство некоторых предприятий задерживается из-за бюрократических проволочек.
Глава SK Group считает, что бум ИИ радикально изменит рынок памяти
И данному производителю это вполне по душе.
SK hynix показала передовую память DDR5 и HBM для систем искусственного интеллекта
Также была представлена графическая память GDDR7, которую компания позиционирует как самую быструю в отрасли.
Даже одобрение HBM3E компанией NVIDIA не обеспечит Samsung крупными заказами на эту память
Это даже не техническое ограничение.
Модели iPhone 2027 года станут дороже из-за памяти HBM и поддержки ИИ локально на устройстве
Apple внедрит высокоскоростную память HBM и технологию TSV в модели iPhone 2027 года. Эти компоненты позволят запускать крупные ИИ-модели локально, без обращения к облаку.
Память SK hynix GDDR7 на GeForce RTX 5070 Ti разгоняется до 34 Гбит/с
Такая скорость работы сопоставима с возможностями чипов от Samsung
iPhone 17 Air может получить 12 ГБ RAM и сравняться с Pro-версией
iPhone 17 Air может получить 12 ГБ оперативной памяти, как и Pro-версии, тогда как базовая модель останется с 8 ГБ. Решение зависит от ситуации с поставками компонентов.
Операционная прибыль SK hynix на фоне ИИ-бума взлетела на 158%
И показала второй по величине результат за всю историю существования компании.
SK hynix получила все шансы закрепиться в статусе крупнейшего производителя DRAM
В денежном выражении и благодаря поставкам HBM.
JEDEC официально представил финальную спецификацию для памяти HBM4
По данным VideoCardz, массовое производство стартует в 2026 году.
NVIDIA стала крупнейшим поставщиком полупроводниковой продукции по версии Gartner
Компания Intel при этом поменялась с ней местами и оказалась на третьем.
SK hynix впервые обогнала Samsung по выручке в сегменте DRAM благодаря буму на память HBM
Спрос на память HBM продолжает расти, и SK hynix извлекает максимум выгоды, заняв 36% мирового рынка DRAM по выручке. Аналитики считают, что даже торговые войны не помешают её доминированию в ближайшие кварталы.
NVIDIA начала оснащать видеокарты RTX 50 памятью GDDR7 от SK hynix
В моделях RTX 5070 она уже точно есть.
SK hynix окончательно выкупила NAND-бизнес Intel за $8,85 млрд
Двухэтапная сделка между Intel и SK hynix наконец закрыта. Теперь SK hynix полностью контролирует NAND-технологии Intel, включая патенты и ключевых специалистов.
SK Hynix скоро распродаст чипы HBM уже на 2026 года
Samsung испытывает трудности с чипами памяти HBM
Samsung будет поставлять свою память HBM3E для нужд Broadcom
Это не NVIDIA, но вполне достойный вариант.
SK hynix обещает начать массовое производство HBM4 в следующем полугодии
И уже начала поставлять образцы такой памяти своим клиентам.
SK Hynix первой в мире начинает производство 12-слойных образцов HBM4 с ёмкостью до 36 ГБ
Также компания запустила массовый выпуск памяти SOCAMM нового поколения и 12-слойной HBM3e
Компания SK hynix разрабатывает новый стандарт памяти LPDDR5M
LPDDR5M работает при напряжении 0,98 В, что является более низким значением по сравнению с LPDDR5X (1,05 В).
На стадии тестирования SK hynix смогла добиться 70% выхода годных 12-слойных чипов HBM4
Компания рассчитывает начать массовое производство микросхем памяти HBM4 к концу третьего квартала текущего года
SK hynix разрабатывет память LPDDR5M с низким напряжением и высокой энергоэффективностью
SK hynix анонсировала разработку новой памяти LPDDR5M, которая работает при более низком напряжении, чем LPDDR5X, обеспечивая тем самым большую энергоэффективность. Ожидается, что эта память найдет применение в современных смартфонах с функциями искусственного интеллекта.
Для выпуска 400-слойной 3D NAND памяти Samsung будет необходима технология китайской YMTC
Речь идет о технологии гибридного сращивания кремниевых пластин, известной как Xtacking, лицензия на которую принадлежит китайской компании
Крупнейшие производители памяти планируют прекратить производство DDR3 и DDR4 в 2025 году
Более современные модули памяти обеспечивают производителям микросхем более высокую прибыль.
Крупные производители DRAM прекращают выпуск памяти DDR4 и DDR3
Ведущие производители DRAM, включая Samsung, Micron и SK Hynix, планируют прекратить производство памяти DDR4 и DDR3. Этот шаг обусловлен растущим спросом на более современные решения, такие как DDR5 и HBM.
Новая технология производства флеш-памяти позволит удвоить емкость SSD-накопителей
Суть инновации заключается в усовершенствовании процесса травления – ключевого этапа в производстве многослойных чипов 3D NAND.
SK hynix назначала сотрудникам щедрые премии в 15 месячных окладов
Спасибо NVIDIA-кормилице!
SK hynix обогнала Samsung по величине операционной прибыли, во многом благодаря HBM
Её операционная прибыль выросла за год в 23 раза.
Micron спешит наладить выпуск 16-ярусной памяти типа HBM3E
По меньшей мере, чтобы не отставать от SK hynix.
Samsung тоже ускорит разработку HBM4, чтобы угодить NVIDIA
Как и компания SK hynix.
До 35% нанятых китайской CXMT иностранных инженеров ранее работали в Samsung и SK hynix
Получать необходимые знания компания предпочитает в комплекте со специалистами.
Samsung постарается опередить SK hynix в сфере производства микросхем HBM4
И будет применять в целом более современные технологии.
Samsung начала пробное производство памяти HBM4
Массовое производство чипов HBM4 запланировано на конец 2025 года
На CES 2025 компания SK hynix обещает продемонстрировать 16-ярусную память HBM3E
И много других новинок, связанных с оперативной и твердотельной памятью.
Solidigm полностью сворачивает производство потребительских SSD-накопителей
Всё внимание компании будет сосредоточено на решениях для центров обработки данных
SK Hynix первой в мире выпустила 321-слойную флэш-память TLC NAND
Компании удалось опередить Samsung, представив новую память с более высокими скоростями работы и энергоэффективностью.
Huawei до сих пор ставит в свои флагманские смартфоны импортную память SK hynix
Хотя этому должны мешать санкции США.
Оверклокер разогнал память SK Hynix DDR5 до 8600 МТ/с на платформе AMD X670E
Память SK Hynix DDR5 установила новый рекорд разгона на платформе AMD X670E, достигнув скорости 8600 МТ/с. Тестирование, проведенное оверлокером, показало исключительную стабильность при этом значении, в отличие от более высокой частоты.
Сейчас обсуждают