Южнокорейская компания Samsung заявила о начале промышленного производства скоростной памяти шестого поколения, чипов HBM4. Среди прочего они войдут в состав самых продвинутых ускорителей искусственного интеллекта. Благодаря этому анонсу Samsung сможет отыграться за прошлогодние неудачи, когда она отстала от таких конкурентов, как Micron и SK Hynix.
Samsung заявляет об использовании технологии 1c DRAM. Это наиболее передовая в данный момент технология производства DRAM, а техпроцесс 4 нм позволил повысить производительность и энергоэффективность, обеспечив высокий процент выпуска годных чипов.
Изображение: Samsung / SamMobile
Скорость HBM4 производства Samsung составляет 11,7 Гбит/с, на 46% превышая отраслевой стандарт, который равен 8 Гбит в секунду. Это значение на 22% опережает возможности высокоскоростной памяти пятого поколения HBM3E от Samsung. В одном стеке совокупная пропускная способность памяти может достигать 3,3 Тбит/с, тогда как заказчики требуют 3 Тбит/с.
Samsung будет предлагать клиентам чипы HBM4 ёмкостью 24–36 ГБ, уже начав их поставки. Также имеется спрос на 16-слойные чипы HBM4 ёмкостью до 48 ГБ, так что Samsung планирует выпускать и их. Компания подтвердила планы представить чипы HBM4E во второй половине 2026 года и кастомные чипы HBM в 2027 году.
