память
всего материалов по тегу -
393
Nvidia отказалась от сотрудничества с Samsung в закупках HBM-памяти для линейки Blackwell
Дженсен Хуанг раскритиковал частую смену руководства в южнокорейской компании, считая, что из-за этого страдает и качество продуктов
Китайская компания Tongfu начинает производство памяти HBM2
По имеющимся данным, её чипы будут использоваться в графических ускорителях Huawei.
ASUS анонсировала обновление AEMP III для поддержки модулей памяти объемом 64 ГБ на платах Intel
ASUS анонсировала обновление AEMP III, которое теперь поддерживает модули памяти до 64 ГБ на материнских платах Intel. Новая функция обеспечивает более высокие частоты и лучшую производительность для пользователей.
Учёные наши способ программировать мозг, подменяя плохие воспоминания положительными эмоциями
До появления полноценной методики ещё очень далеко, но начало положено
Представлена первая в мире разгоняемая память DDR5 RDIMM со скоростью 6000 МТ/с и объемом до 256 ГБ
Компания V-Color анонсировала запуск первой в мире разгоняемой памяти RDIMM DDR5, предлагая модули объемом до 256 ГБ. Эти модули обеспечивают скорость до 6000 МТ/с и предназначены для высокопроизводительных вычислений.
Crucial представила два новых высокоскоростных SSD-накопителя: P510 и P310
Также компания расширила линейку своей оперативной памяти DDR5 Pro OC, добавив варианты на 32 и 64 ГБ
G.Skill запускает новые комплекты памяти DDR5 6000 с низкой задержкой для Ryzen 9000
G.Skill анонсировала новые комплекты оперативной памяти DDR5 6000, разработанные для процессоров Ryzen 9000 и платформы X870.
Аналитики ожидают 13-процентного снижения цен на память DRAM в начале 2025 года
Это связано с активным сокращением запасов, слабым спросом и увеличением производства DDR4 китайскими компаниями
Память SK Hynix DDR5 удалось разогнать до 8600 МТ/с на материнской плате ASUS ROG Crosshair X670E
При этом в тестах не наблюдалось никаких ошибок — система работала безупречно.
Micron сообщила, что запустит массовое производство памяти HBM4 в течение 2026 года
Также компания начала работу над более совершенной HBM4E.
Micron начнет массовое производство памяти HBM4 в 2026 году
Кроме того, компания начала работу над памятью HBM4E.
Китайский производитель памяти CXMT запустил производство DDR5, конкурируя с Samsung и SK Hynix
Китайская компания CXMT начала массовое производство модулей памяти DDR5, что ставит под угрозу позиции южнокорейских производителей. Это событие подчеркивает стремительное развитие китайской полупроводниковой отрасли и меняющуюся геополитическую обстановку.
Незапланированная покупка или как я выбирал М2 накопитель
Как не ошибиться с выбором нового хранилища для вашей системы на базе М2 накопителя.
Colorful анонсировала высокоскоростные модули памяти iGame DDR5 для платформ AMD
Компания Colorful представила новые модули памяти iGame DDR5, которые обещают отличные характеристики для платформ AMD. Высокая скорость и низкие задержки делают эти модули привлекательными для геймеров и профессионалов.
Samsung готовится к массовому производству 1c DRAM, чтобы обеспечить конкурентное преимущество
Компания Samsung анонсировала переход к массовому производству 1c DRAM на своем заводе Pyeong Plant 4, что должно укрепить ее позиции на рынке. Ожидается, что новая память, основанная на технологии 10 нм, будет полностью готова к 2025 году.
Ryzen Master теперь может изменять настройки памяти без необходимости в перезагрузке
AMD выпустила новую версию своего ПО, упрощающую разгон комплектующих
Samsung и SK Hynix работают вместе над памятью LPDDR6-PIM
Samsung и SK Hynix решили сотрудничать в разработке памяти LPDDR6-PIM, несмотря на конкуренцию. Это объединение направлено на стандартизацию технологии, которая обещает повысить производительность и снизить энергопотребление.
Samsung анонсирует память GDDR7 на ISSCC 2025: скорость 42,5 Гбит/с и 24 ГБ
Samsung готовится представить свою новейшую память GDDR7 на выставке ISSCC 2025 в Калифорнии. Модуль объемом 24 ГБ обещает скорость до 42,5 Гбит/с, что значительно превышает возможности текущих стандартов.
Samsung представит память GDDR7 со скоростью 42,5 Гбит/с на грядущей ISSCC 2025
Правда, у грядущих видеокарт GeForce RTX 50-й серии будут модули на 28-32 Гбит/c.
Samsung расскажет о GDDR7 чипах с ёмкостью 24 Гбит и скоростью 42,5 Гбит/с на конференции ISSCC 2025
Ожидается, что чипы по 3 ГБ найдут применение в будущих видеокартах, позволяя реализовать новые конфигурации памяти.
NVIDIA выбирает GDDR7 от Samsung для GeForce RTX 50
NVIDIA сделала выбор в пользу памяти GDDR7 от Samsung для своей новой линейки графических процессоров GeForce RTX 50 «Blackwell». Это сотрудничество обещает значительные улучшения в производительности и скорости обработки данных.
SK Hynix начала выпуск 321-слойной 4D NAND памяти нового поколения
4D NAND TLC от Hynix уже на конвейере
SK hynix запустила производство 321-слойной флэш-памяти NAND
Первые коммерческие поставки новинки начнутся в первой половине следующего года.
Китайские производители DDR4 стремятся захватить мировой рынок путем снижения цен на память
Демпинг на рынке памяти: китайские DDR4 дешевле подержанных чипов
GeIL готовится выпустить модули памяти CUDIMM DDR5 следующего поколения
Сообщается, что скорость некоторых моделей будет достигать 9200 МТ/s
В ASUS доказали, что высокая частота памяти DDR5 CUDIMM не способствует повышению производительности
Тесты показали лучшую производительность и задержку DDR5 8800 МТ/с «Gear 2», чем у 9600 МТ/с «Gear 4»
На SK AI Summit 2024 в Сеуле SK Hynix представила первую в мире память HBM3E с 16 разрядами
Образцы нового продукта появятся в начале следующего года, открывая новые горизонты для технологий.
SK hynix представил передовую память HBM3E с высочайшей ёмкостью
Также производитель сейчас работает над SSD-накопителями с интерфейсом PCIe 6.0.
Повышенный объем памяти в Mac Mini M4 стоит столько же, сколько покупка еще одного базового Mac Mini
Apple зарабатывает на своей эксклюзивности
Samsung выпустит 400-слойную V-NAND 10-го поколения в 2026 году
Для этого компания внедрит технологию вертикального связывания NAND.
G.Skill и Asus покоряют новую вершину разгона памяти DDR5
Для установления рекорда использовался процессор intel Core Ultra 9 285K.
Новый тип памяти Samsung может объединить скорость DRAM и емкость SSD в одном решении
Ученые Samsung представили новую память Selector-Only Memory (SOM), которая обещает объединить скорость оперативной памяти и емкость твердотельных накопителей. Прорыв в области компьютерного моделирования ускорил разработку этой инновационной технологии.
SK hynix фиксирует рекордную прибыль благодаря спросу на память для ИИ
В частности продажи HBM увеличились более чем на 70% по сравнению с предыдущим кварталом и на 330% по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.
Рынок микросхем HBM ожидает взрывной рост до 46,7 миллиардов долларов к 2025 году
Аналитики предсказывают, что рынок микросхем HBM вырастет на 156% и достигнет $46,7 миллиарда к 2025 году. Основным двигателем этого роста станет растущий спрос на память для искусственного интеллекта.
Сразу 200 специалистов Samsung попытались найти работу в SK Hynix
В настоящий момент компании находятся в условиях ожесточенной конкурентной борьбы на рынке HBM-памяти
Samsung представила чипы GDDR7 DRAM емкостью 24 ГБ
Компания стала первой, представившей чипы GDDR7 с таким обемом и скоростью до 40 Гбит/с
Samsung представила память 24-гигабитную память GDDR7 с рекордной скоростью и ёмкостью — её будут использовать в RTX 5090
У памяти есть свои преимущества по части компоновки.
Новые модули памяти для мощных рабочих станций и ИИ Micron DDR5 6400 МТ/с
Мощные модули для ИИ и рабочих станций. Удвоенная производительность и энергоэффективность
Забайкальцы выстраиваются в 40-километровую очередь на похоронах бойца СВО
В Забайкальском крае жители выстроились в длинную очередь, чтобы почтить память бойца СВО Артема Дамбаева. Его подвиг, совершенный во время спецоперации, вдохновил тысячи людей прийти на похороны.
Новая память Intel MCR DIMM улучшила производительность рабочих нагрузок более чем в два раза
А производительность на существующих платформах была улучшена на 30–40%.
Цены на чипы памяти DRAM и NAND снижаются из-за сокращения спроса
Оперативная память и SSD могут снова начать дешеветь
DRAMeXchange: Модули оперативной памяти DDR4 8Gb 1Gx8 подешевели на 17,07%
Согласно аналитике, пользователи активнее переходят на новый стандарт памяти DDR5, что снижает спрос на модули DDR4
Rambus представила контроллер памяти нового поколения
Новый контроллер обещает увеличение скорости до 10 Гбит/с и пропускную способность до 2,56 ГБ/с
Samsung Galaxy S25 Ultra получит обновление, в том числе оперативная память станет больше
Некоторые технические данные серии S25 уже просочились в СМИ и должны порадовать будущих владельцев устройств.
SK hynix запускает массовое производство 12-слойной памяти HBM3E объёмом 36 Гбайт
Пропускная способность HBM3E достигает впечатляющих 9600 МТ/с.
В Apple подтвердили расширение оперативной памяти до 8 ГБ на всех моделях iPhone 16
Сообщается, что это связано с Apple Intelligence, так как опция занимает немалый объём ОЗУ
SK Hynix намерена запустить производство 12-слойной HBM3E к концу текущего месяца
Компания может официально представить её на рынке уже в следующем квартале
Мозг использует три различных набора нейронов для хранения одного воспоминания
Исследование Биоцентра Базельского университета показало, что мозг использует три различных набора нейронов для хранения одного воспоминания. Это открытие может помочь в лечении травм, связанных с болезненными воспоминаниями.
NEO Semiconductor представила новую технологию памяти для ИИ-устройств
Согласно представителям компании, 3D X-AI chip сможет быть в 100 раз производительнее действующих решений
Samsung начала массовое производство самых тонких чипов памяти DRAM
Согласно имеющимся данным, толщина её LPDDR5X чипов составляет всего 0,65 мм
Сейчас обсуждают