Компания Samsung во вторник представила следующее поколение высокоскоростной памяти HBM4E, твердотельные накопители PCIe Gen6 и оперативную память SOCAMM2. Всё это может найти применение на платформах искусственного интеллекта производства компании NVIDIA.

Изображение: wccftech.comУ памяти HBM4E скорость ввода-вывода достигает 16 Гбит/с при пропускной способности на один стек до 4 ТБ/с. 16-слойные стеки дают 48 ГБ на один стек. Данная память предназначена для работы в составе платформы NVIDIA Rubin Ultra. В её состав войдут два чиплета графического процессора и 16 блоков памяти HBM. Результатом станет ёмкость HBM4E в 384 ГБ и пропускная способность до 64 ТБ/с.

Также посетители выставки получили возможность ознакомиться с технологией гибридного медного соединения. Этот метод обеспечивает 16 и более слоёв памяти HBM, снижая тепловое сопротивление более чем на 20%.

Изображение: wccftech.comЧто касается модуля памяти SOCAMM2, он создан на базе энергоэффективной памяти DRAM. Это вариант для серверов с высокой пропускной способностью и инфраструктуры искусственного интеллекта следующего поколения. Промышленное производство этой памяти уже стартовало.

На этой же выставке Samsung покажет память LPDDR5X и LPDDR6 для смартфонов, планшетов и премиальных носимых устройств. У этой памяти снижена задержка и повышена пропускная способность. LPDDR5X достигает скорости передачи до 25 Гбит/с на контакт, сокращая энергопотребление на 15%. Это повышает отклик у мобильных устройств, ускоряет запуск игр на высоком разрешении и работу приложений с алгоритмами ИИ, не вредя продолжительности работы.

Изображение: wccftech.comПамять LPDDR6 даёт 30–35 Гбит/с на контакт и поддерживает передовые алгоритмы управления питанием, включая адаптивное масштабирование напряжения и динамическое управление обновлением данных. Это позволит получить производительность ИИ для периферийных устройств следующего поколения.