hbm4
всего материалов по тегу -
96
Графический процессор Nvidia GB300 Blackwell Ultra получит 288 ГБ памяти HBM3e и потребление 1400 Вт
Выпуск GB300 запланирован на конец 2025 года и включает в себя многочисленные обновления памяти, возможностей подключения, охлаждения и других областей по сравнению со своим предшественником.
Micron стремится сохранить лидерство и уже разрабатывает HBM4E
Компания Micron представила обновления по своим технологиям HBM4 и HBM4E, запланировав массовое производство на 2026 год. В сотрудничестве с TSMC, Micron стремится занять лидирующие позиции на растущем рынке высокоскоростной памяти.
Micron сообщила, что запустит массовое производство памяти HBM4 в течение 2026 года
Также компания начала работу над более совершенной HBM4E.
Micron начнет массовое производство памяти HBM4 в 2026 году
Кроме того, компания начала работу над памятью HBM4E.
Samsung готовится к массовому производству 1c DRAM, чтобы обеспечить конкурентное преимущество
Компания Samsung анонсировала переход к массовому производству 1c DRAM на своем заводе Pyeong Plant 4, что должно укрепить ее позиции на рынке. Ожидается, что новая память, основанная на технологии 10 нм, будет полностью готова к 2025 году.
SK hynix в следующем году будет использовать 3-нм чипы при производстве HBM4
NVIDIA захотела получить самое лучшее.
Упаковка CoWoS в новом поколении позволит создавать гораздо более крупные многокристальные чипы
Закону Мура это определённо поможет.
Samsung и SK hynix разрабатывают вариант памяти HBM4 для нужд Tesla
У корейских производителей памяти есть и другие заказчики на продукцию этого типа.
Samsung будет готовить для Microsoft и Meta особую память типа HBM4
Уже со следующего года.
Nvidia попросила южнокорейскую компанию SK hynix ускорить поставки передовых чипов HBM
Генеральный директор Nvidia, Дженсен Хуанг, лично обратился к руководству SK Hynix с просьбой ускорить сроки поставок новых чипов на полгода.
Rambus представила контроллер памяти нового поколения
Новый контроллер обещает увеличение скорости до 10 Гбит/с и пропускную способность до 2,56 ГБ/с
Samsung и SK Hynix сосредоточились на разработке мобильной версии HBM
Это решение было принято для того, чтобы поддерживать искусственный интеллект на устройствах на аппаратном уровне.
Неожиданный союз: Samsung и TSMC объединили силы для разработки памяти HBM4 для ИИ
Ключевой особенностью разрабатываемой HBM4 станет отсутствие буфера, что позволит значительно увеличить скорость обмена данными между памятью и процессором.
В рамках выпуска HBM4 компания Samsung пойдёт на сотрудничество с TSMC
Даже при том, что конкурирующая SK hynix тоже это сделает.
Память HBM4 от SK hynix выйдет в октябре и будет использоваться в чипах ИИ следующего поколения
SK Hynix планирует выпустить свою память HBM4 в октябре и использовать ее в чипах следующего поколения от NVIDIA - Rubin AI
Samsung готовится к выпуску высокоскоростной памяти HBM4 в конце этого года
Ожидается, что HBM4 предложит двукратное увеличение пропускной способности по сравнению с предыдущим поколением благодаря новой 2048-битной шине данных.
Память Samsung HBM4 нового поколения поступит в массовое производство к концу 2025 года
Этот продукт будет конкурировать с аналогичной памятью от SK hynix.
SK hynix готова поднять быстродействие памяти HBM в 20 или 30 раз
Но как скоро, не уточняет.
Память Samsung HBM4 поступит в промышленное производство в конце 2025 года
Тестовые образцы памяти Samsung HBM4 начнут производить в последнем квартале 2024
Samsung приступит к выпуску памяти HBM4 в следующем году
Цифровой проект будет готов к концу текущего года.
Китай начал производство собственной памяти HBM2
Производителем является компания ChangXin Memory Technologies, которой удалось это сделать на два года раньше намеченного срока.
Samsung готова начать поставки памяти типа HBM4 через год
А восьмиярусные микросхемы HBM3E начнёт выпускать в этом квартале.
JEDEC раскрывает детали нового стандарта памяти HBM4: больше емкости, выше пропускная способность
HBM4 будет поддерживать интерфейс на стек шириной 2048 бит, что вдвое больше, чем у его предшественника HBM3.
Опубликованы предварительные характеристики памяти HBM4
Предварительные характеристики HBM4 указывают на значительное повышение производительности устройств благодаря скорости передачи данных до 6,4 ГТ/с через 2048-битный интерфейс
JEDEC завершает разработку спецификации HBM4 с ключевым обновлением для производителей памяти
HBM достигает чрезвычайно высокой пропускной способности за счет использования сверхширокого интерфейса памяти, который дорого реализовать в потребительском оборудовании, но обеспечивает скорость, необходимую корпоративным системам.
SK hynix собирается разрабатывать HBM4 в альянсе с TSMC и NVIDIA
И наладить выпуск этого типа памяти в 2026 году.
Samsung создала специальное подразделение по разработке HBM
Оно поможет догнать SK hynix и понравиться NVIDIA.
Samsung готовит новую упаковку памяти HBM поверх процессоров
Память HBM будет расположена поверх процессоров и графических процессоров, которые появятся в 2025 году.
Руководство SK Group встретилось с новым председателем совета директоров TSMC
Компании продолжат сотрудничество и углубят его.
HBM4E будет использовать 20-ярусные стеки памяти и появится в 2028 году
SK hynix над этим уже работает.
TSMC представляет технологию HBM4 с 2048-битным интерфейсом
Компания TSMC раскрывает подробности своей передовой технологии HBM4 с 2048-битным интерфейсом, призванной революционизировать высокопроизводительные вычисления и память.
Память типа HBM4E компания SK hynix стремится представить уже в 2026 году
Новые поколения теперь будут выходить с шагом в один год.
Графический процессор NVIDIA R100 на архитектуре Rubin поступит в производство в конце 2025 года
Подробностей о нем очень мало, предполагается, что данные ускороители будут оснащаться высокопроизводительной памятью HBM4
TSMC поможет SK hynix к 2026 году освоить выпуск HBM4
Компании подписали меморандум о взаимопонимании.
JEDEC смягчил требования к толщине корпуса HBM4 по запросу крупных производителей
HBM четвертого поколения обещает рекордную производительность.
TSMC поможет SK hynix освоить выпуск памяти типа HBM4
И усилить позиции в противостоянии с Samsung Electronics.
Поставки памяти HBM удвоятся к 2025 году
Предполагаемый рост обусловлен появлением графических процессоров нового поколения с упором на искусственный интеллект
Память типа HBM4 выйдет на рынок не ранее 2026 года
Но к 2027 году получит до 16 ярусов в одном стеке.
NVIDIA и SK Hynix возможно объединились для разработки GPU со стекированной памятью HBM4
Этот тип технологии стекирования является новинкой в секторе графических процессоров, но некоторые ее аспекты уже реализованы в области процессоров.
SK Hynix и NVIDIA могут совместно работать над GPU со встроенной HBM4 памятью
Полупроводниковой отрасли предсказывают трансформацию в ближайшее десятилетие.
Micron выпустит память HBM4E в 2028 году
Кроме того компания планирует представить оперативную память DDR5-12800 объемом 256 ГБ в 2026 году
Samsung намерена представить память HBM4 с 2048-битным интерфейсом в 2025 году
В текущем же году компания готовится к поставкам первых образцов HBM3E.
Samsung Electronics собирается представить память HBM4 к 2025 году
Планируется увеличить шину до 2048-бит.
В 2025 году компания Samsung представит память HBM4
Выход данного типа памяти станет вехой в развитии HBM и принесет к появлению 2048-битного интерфейса
Samsung готовит дебют памяти типа HBM4 к 2025 году
Отставать от конкурентов компания не собирается.
Память HBM4 получит 2048-битный интерфейс
Увеличение ширины интерфейса памяти HBM4 значительно увеличит пропускную способность
