Технология памяти с высокой пропускной способностью (HBM) добилась значительного прогресса с момента ее появления на рынке менее десяти лет назад. Radeon RX Fury и RX Vega в наши дни уже практически забыты, но технологические достижения HBM продвинули этот вид памяти гораздо дальше, но не для рядовых геймеров.

 Первоначально предлагая повышенную скорость передачи данных и расширенную емкость, HBM сейчас стоит на пороге самой значительной на сегодняшний день трансформации, и все это благодаря растущей популярности рабочих нагрузок искусственного интеллекта. Новое сообщение намекает на появление чипов памяти HBM4 следующего поколения с 2048-битным интерфейсом, что вдвое превышает текущий 1024-битный интерфейс, используемый с 2015 года.

 Важный игрок на рынке чипов памяти, компания Samsung Electronics Co., обнародовала свои планы на будущее. По словам Сан Джуна Хвана, исполнительного вице-президента по продуктам и технологиям DRAM Samsung, компания планирует представить чипы DRAM HBM4 шестого поколения в 2025 году.

 В своей статье о полупроводниковой отрасли Samsung Хван Сан Чжун подтвердил продолжающееся массовое производство HBM2E и HBM3. Samsung также готовится предоставить клиентам образцы HBM3E со скоростью 9,8 Гбит/с. Окончание разработки HBM4 запланировано на 2025 год. Хотя подробностей о HBM4 пока мало, Samsung намекает на инновационные функции, такие как «непроводящая пленка» и «гибридное медное соединение» для повышения энергоэффективности и рассеивания тепла.