Samsung готовится к значительному обновлению своей продукции, а именно к запуску массового производства 1c DRAM на своем заводе Pyeong Plant 4. Ожидается, что установка нового оборудования начнется в первом квартале 2025 года. Новая память, относящаяся к шестому поколению и использующая технологию 10 нм, должна обеспечить компании преимущество на рынке.

Южнокорейские СМИ сообщают, что Samsung уже начала заказывать необходимое оборудование, и монтаж планируется начать в феврале 2025 года. После успешного пилотного тестирования в третьем квартале 2024 года, компания уверенно движется к полной коммерциализации своей новой памяти.

1c DRAM заменит предыдущую 1a DRAM в новой памяти HBM4, что позволит Samsung опередить своих конкурентов, которые пока используют 1b DRAM. Успешный переход к массовому производству HBM4 на основе 1c DRAM может значительно укрепить позиции Samsung в сфере искусственного интеллекта, где память играет ключевую роль.