Компания Samsung Electronics объявила о планах представить HBM4 память в 2025 году, сообщает Wccftech. «Ожидается, что HBM4 будет представлена к 2025 году с использованием технологий, ориентированных на достижение более высоких тепловых характеристик, в частности, сборка на основе непроводящей плёнки (NCF) и гибридное медное соединение (HCB)», — сказал исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM компании Samsung Сан Джун Хван (SangJoon Hwang), также отметив, что на данный момент компания готовится к началу поставок своей новой памяти HBM3E: «Samsung серийно выпускает HBM2E и HBM3, а также разработала HBM3E со скоростью 9,8 гигабит в секунду (Гбит/с), поставки которой мы скоро начнем для заказчиков в рамках нашего стремления обогатить экосистему HPC/AI».
Специалисты Wccftech считают, что Samsung вызвала большой интерес среди потенциальных клиентов своими решениями HBM3. Корейское издание The Elec сообщало, что в числе этих клиентов NVIDIA, которая ведёт переговоры с разными поставщиками HBM3, чтобы диверсифицировать поставки памяти для производства оборудования, нацеленного на сегменты высокопроизводительных вычислений и искусственного интеллекта. Компания Samsung может не только поставлять память, но и предложить услуги по конечной упаковке чипов с применением 2.5D технологии I-Cube.
Как отмечают в AnandTech, прежний темп увеличения пропускной способности HBM памяти становится все труднее поддерживать по мере увеличения скорости передачи данных в памяти. В HBM4 ожидаются существенные изменения. Планируется увеличить шину до 2048-бит удвоив плотность соединений для сохранения прежней занимаемой площади. Производители памяти собираются объединять до 16 кристаллов памяти в один стек 16-Hi, что также усложняет производство и требует тесного сотрудничества между производителями чипов и компаниями, занимающимися их упаковкой.
- Источники
- Samsung Electronics
- Wccftech
- The Elec
- AnandTech
