Компания Rambus поделилась новыми данными о своем контроллере для памяти HBM4 следующего поколения, который предоставит значительные преимущества по сравнению с текущими предложениями HBM3 и HBM3E.
С учетом того, что JEDEC близится к завершению спецификации для памяти HBM4, поступают первые сведения о том, какие инновации принесет это решение. Память HBM4 ориентирована в основном на рынок искусственного интеллекта и центров обработки данных и продолжит развивать возможности актуального дизайна HBM DRAM.
Что касается характеристик, Rambus заявила, что ее контроллер памяти HBM4 будет поддерживать скорости свыше 6,4 Гбит/с на контакт, что превосходит показатели первого поколения HBM3 и обеспечивает лучшую пропускную способность по сравнению с HBM3E, использующим тот же 16-Hi(шестнадцать ярусов) стек и максимально возможные 64 ГБ. Стартовая пропускная способность для HBM4 составит 1638 ГБ/с, что превосходит HBM3E на 33% и в два раза больше, чем у HBM3.
В настоящее время решения HBM3E могут достигать скоростей до 9,6 Гбит/с, обеспечивая пропускную способность до 1,229 ТБ/с на одном стеке. Новое поколение памяти HBM4 обещает увеличение до 10 Гбит/с и пропускную способность до 2,56 ГБ/с на HBM-интерфейсе, что более чем вдвое превышает показатели HBM3E. Полный потенциал HBM4 станет доступен только после дальнейшего улучшения производительности. К числу дополнительных функций памяти HBM4 относятся ECC, RMW, а также механизмы для исправления ошибок.
Согласно последним сведеньям, SK Hynix уже начала серийное производство своей 12-слойной памяти HBM3E с объемом до 36 ГБ и скоростью 9,6 Гбит/с, в то время как запуск HBM4 ожидается в этом месяце. Samsung планирует начать массовое производство HBM4 к концу 2025 года, а выпуск первой партии ожидается в текущем квартале.
