память
всего материалов по тегу -
669
Ученые выяснили, что мультисенсорная VR-прогулка по лесу снижает уровень стресса и улучшает память
Исследование показало, что погружение в виртуальный лес с запахами и звуками помогает справиться со стрессом. Эффект усиливается, если задействованы сразу несколько органов чувств.
Ученые выяснили, как повторяющиеся воспоминания искажает хронологию памяти
Новое исследование показало, что многократное повторение информации заставляет нас считать ее более ранней. Память подстраивает хронологию событий, основываясь не на фактах, а на ощущениях.
KAIST и Tera представили дорожную карту развития памяти HBM до 2038 года
Следующие поколения HBM от HBM4 до HBM8 принесут терабайты памяти на будущие ускорители мощностью более 15000 Вт
Micron готовит самую быструю и тонкую в мире память LPDDR5X для флагманских смартфонов
Скорость новых чипов LPDDR5X составит до 10,7 Гбит/с и будет на 20% экономичнее существующих чипов
Samsung запустит массовое производство чипов LPDDR6 уже к концу этого года
Однако, уже в 2026 году этого же прогресса добьётся китайская Changxin Storage. Китай постепенно сокращает отставание в данной области.
Samsung ускоряет выпуск LPDDR6 с целью опередить Changxin Memory Technologies
Samsung активизировала разработку оперативной памяти LPDDR6 с целью её выпуска уже во второй половине 2025 года. Причина — конкуренция с китайским производителем CXMT и рост интереса со стороны ключевых клиентов, включая Qualcomm.
Micron представила LPDDR5x-память шестого поколения с рекордной скоростью 10,7 Гбит/с
Новинка обладает повышенной энергоэффективностью по сравнению с предыдущим поколением на 20%, что делает её оптимальным выбором для мобильных устройств.
Модели iPhone 2027 года станут дороже из-за памяти HBM и поддержки ИИ локально на устройстве
Apple внедрит высокоскоростную память HBM и технологию TSV в модели iPhone 2027 года. Эти компоненты позволят запускать крупные ИИ-модели локально, без обращения к облаку.
В Китае создали самую быструю в мире флеш-память на основе графена
Смена ключевого материала пошла на пользу.
Разрабатывается новая сегнетоэлектрическая память DRAM+ с применением оксида гафния
Сегнетоэлектрическая память сочетает высокую производительность DRAM с энергонезависимостью.
Samsung сообщила о грядущем повышении цен на память DRAM и NAND
Компания заявляет о растущем спросе со стороны покупателей и дополнительных сложностях в связи с пошлинами США
Micron повышает цены на память из-за растущего спроса
Другие производители могут последовать примеру.
Micron предупреждает о скором повышении цен память DRAM и NAND
По имеющейся информации, из-за спроса на серверное оборудование стоимость на чипы будет расти вплоть до 2026 года
SK Hynix первой в мире начинает производство 12-слойных образцов HBM4 с ёмкостью до 36 ГБ
Также компания запустила массовый выпуск памяти SOCAMM нового поколения и 12-слойной HBM3e
SK hynix разрабатывет память LPDDR5M с низким напряжением и высокой энергоэффективностью
SK hynix анонсировала разработку новой памяти LPDDR5M, которая работает при более низком напряжении, чем LPDDR5X, обеспечивая тем самым большую энергоэффективность. Ожидается, что эта память найдет применение в современных смартфонах с функциями искусственного интеллекта.
Apple завершает выпуск iPhone с 64 ГБ: новый стандарт — 128 ГБ
Apple официально прекратила выпуск всех моделей iPhone с 64 ГБ встроенной памяти. С выходом iPhone 16e, 128 ГБ становится минимальным объемом для новых устройств.
Крупнейшие производители памяти планируют прекратить производство DDR3 и DDR4 в 2025 году
Более современные модули памяти обеспечивают производителям микросхем более высокую прибыль.
Крупные производители DRAM прекращают выпуск памяти DDR4 и DDR3
Ведущие производители DRAM, включая Samsung, Micron и SK Hynix, планируют прекратить производство памяти DDR4 и DDR3. Этот шаг обусловлен растущим спросом на более современные решения, такие как DDR5 и HBM.
Крупнейшие производители памяти откажутся от выпуска DDR3 и DDR4 до конца 2025 года
Компании акцентируют внимание на чипах DDR5 и HBM.
NVIDIA разрабатывает компактные модули SOCAMM для персональных суперкомпьютеров
NVIDIA совместно с крупными производителями памяти разрабатывает новые модули SOCAMM, предназначенные для персональных суперкомпьютеров с искусственным интеллектом. Эти модули обещают улучшить производительность при низком энергопотреблении.
Ученые записали терабайты данных на миллиметровый кристалл
Метод предполагает использование дефектов кристалла.
Micron расширяет присутствие в сегменте HBM3E, пока Samsung сталкивается с трудностями
Война за память: Micron выходит на рынок HBM3E, конкурируя с Samsung и SK hynix
SanDisk представила новую память HBF для ИИ-ускорителей
Новая память HBF от SanDisk сочетает в себе емкость 3D NAND с пропускной способностью HBM
Samsung модернизировала производство чипов DRAM 1c для увеличения доли качественных продуктов
Впоследствии это должно будет отразиться на успехе выпуска памяти HBM4
Ученые раскрыли потенциал графита для создания высокотехнологичных запоминающих устройств
Ученые из Израиля разработали новый метод преобразования графита в уникальные материалы с возможностями хранения информации. Этот подход может изменить представление о материалах в вычислительной технике и электронике.
Китайские хитрости или куда делась в планшете память
Скачали несколько объемных файлов и больше нет свободной памяти... У вас такое было? У меня да...
Всегда ли память китайских гаджетов соответствует заявленной и как это проверить...
Nvidia отказалась от сотрудничества с Samsung в закупках HBM-памяти для линейки Blackwell
Дженсен Хуанг раскритиковал частую смену руководства в южнокорейской компании, считая, что из-за этого страдает и качество продуктов
Китайская компания Tongfu начинает производство памяти HBM2
По имеющимся данным, её чипы будут использоваться в графических ускорителях Huawei.
ASUS анонсировала обновление AEMP III для поддержки модулей памяти объемом 64 ГБ на платах Intel
ASUS анонсировала обновление AEMP III, которое теперь поддерживает модули памяти до 64 ГБ на материнских платах Intel. Новая функция обеспечивает более высокие частоты и лучшую производительность для пользователей.
Учёные наши способ программировать мозг, подменяя плохие воспоминания положительными эмоциями
До появления полноценной методики ещё очень далеко, но начало положено
Представлена первая в мире разгоняемая память DDR5 RDIMM со скоростью 6000 МТ/с и объемом до 256 ГБ
Компания V-Color анонсировала запуск первой в мире разгоняемой памяти RDIMM DDR5, предлагая модули объемом до 256 ГБ. Эти модули обеспечивают скорость до 6000 МТ/с и предназначены для высокопроизводительных вычислений.
Crucial представила два новых высокоскоростных SSD-накопителя: P510 и P310
Также компания расширила линейку своей оперативной памяти DDR5 Pro OC, добавив варианты на 32 и 64 ГБ
G.Skill запускает новые комплекты памяти DDR5 6000 с низкой задержкой для Ryzen 9000
G.Skill анонсировала новые комплекты оперативной памяти DDR5 6000, разработанные для процессоров Ryzen 9000 и платформы X870.
Аналитики ожидают 13-процентного снижения цен на память DRAM в начале 2025 года
Это связано с активным сокращением запасов, слабым спросом и увеличением производства DDR4 китайскими компаниями
Память SK Hynix DDR5 удалось разогнать до 8600 МТ/с на материнской плате ASUS ROG Crosshair X670E
При этом в тестах не наблюдалось никаких ошибок — система работала безупречно.
Micron сообщила, что запустит массовое производство памяти HBM4 в течение 2026 года
Также компания начала работу над более совершенной HBM4E.
Micron начнет массовое производство памяти HBM4 в 2026 году
Кроме того, компания начала работу над памятью HBM4E.
Китайский производитель памяти CXMT запустил производство DDR5, конкурируя с Samsung и SK Hynix
Китайская компания CXMT начала массовое производство модулей памяти DDR5, что ставит под угрозу позиции южнокорейских производителей. Это событие подчеркивает стремительное развитие китайской полупроводниковой отрасли и меняющуюся геополитическую обстановку.
Незапланированная покупка или как я выбирал М2 накопитель
Как не ошибиться с выбором нового хранилища для вашей системы на базе М2 накопителя.
Colorful анонсировала высокоскоростные модули памяти iGame DDR5 для платформ AMD
Компания Colorful представила новые модули памяти iGame DDR5, которые обещают отличные характеристики для платформ AMD. Высокая скорость и низкие задержки делают эти модули привлекательными для геймеров и профессионалов.
Samsung готовится к массовому производству 1c DRAM, чтобы обеспечить конкурентное преимущество
Компания Samsung анонсировала переход к массовому производству 1c DRAM на своем заводе Pyeong Plant 4, что должно укрепить ее позиции на рынке. Ожидается, что новая память, основанная на технологии 10 нм, будет полностью готова к 2025 году.
Ryzen Master теперь может изменять настройки памяти без необходимости в перезагрузке
AMD выпустила новую версию своего ПО, упрощающую разгон комплектующих
Samsung и SK Hynix работают вместе над памятью LPDDR6-PIM
Samsung и SK Hynix решили сотрудничать в разработке памяти LPDDR6-PIM, несмотря на конкуренцию. Это объединение направлено на стандартизацию технологии, которая обещает повысить производительность и снизить энергопотребление.
Samsung анонсирует память GDDR7 на ISSCC 2025: скорость 42,5 Гбит/с и 24 ГБ
Samsung готовится представить свою новейшую память GDDR7 на выставке ISSCC 2025 в Калифорнии. Модуль объемом 24 ГБ обещает скорость до 42,5 Гбит/с, что значительно превышает возможности текущих стандартов.
Samsung представит память GDDR7 со скоростью 42,5 Гбит/с на грядущей ISSCC 2025
Правда, у грядущих видеокарт GeForce RTX 50-й серии будут модули на 28-32 Гбит/c.
Samsung расскажет о GDDR7 чипах с ёмкостью 24 Гбит и скоростью 42,5 Гбит/с на конференции ISSCC 2025
Ожидается, что чипы по 3 ГБ найдут применение в будущих видеокартах, позволяя реализовать новые конфигурации памяти.
NVIDIA выбирает GDDR7 от Samsung для GeForce RTX 50
NVIDIA сделала выбор в пользу памяти GDDR7 от Samsung для своей новой линейки графических процессоров GeForce RTX 50 «Blackwell». Это сотрудничество обещает значительные улучшения в производительности и скорости обработки данных.
SK Hynix начала выпуск 321-слойной 4D NAND памяти нового поколения
4D NAND TLC от Hynix уже на конвейере
SK hynix запустила производство 321-слойной флэш-памяти NAND
Первые коммерческие поставки новинки начнутся в первой половине следующего года.
Китайские производители DDR4 стремятся захватить мировой рынок путем снижения цен на память
Демпинг на рынке памяти: китайские DDR4 дешевле подержанных чипов
