Компания SK hynix объявила о начале массового производства первой в мире 321-слойной флэш-памяти NAND. Согласно пресс-релизу, компания начнет поставлять клиентам свою 321-слойную флэш-память NAND емкостью 1 ТБ, начиная с первой половины следующего года.

 Новая 321-слойная флэш-память NAND от SK hynix создана на основе технологии, которую компания называет процессом «3 plugs». Для этого процесса компания SK hynix разработала материал с низким напряжением, одновременно внедрив технологию, которая автоматически корректирует выравнивание между затворами.

 SK hynix также использует ту же платформу разработки для своей 321-слойной NAND, что и для предыдущей 238-слойной флэш-памяти, что дает предполагаемое улучшение на 59% в производстве 321 слоя. Переход на 321 слой предположительно повысил скорость передачи данных на 12% и производительность чтения на 13% по сравнению с предыдущим поколением. Энергоэффективность также была увеличена более чем на 10%.

 321-слойная флэш-память NAND в настоящее время является самой многослойной флэш-памятью в отрасли. Следующей по данному показателю является компания Samsung, у которой на данный момент пока есть 280-слойная флэш-память NAND, но южнокорейский гигант активно работает над 300-слойной и даже 400-слойной флэш-памятью, чтобы конкурировать с продукцией SK hynix. Micron, YMTC и Kioxia отстают больше всего, имея 232-слойную и 218-слойную архитектуру на данный момент.

 Следующее поколение 300-слойной флэш-памяти NAND от Samsung, как утверждается, будет производиться иначе, чем это делает SK hynix. Она будет использовать технологию «двойного стека», которая включает размещение одного стека 3D NAND на 300-миллиметровой пластине и создание другого стека флэш-памяти поверх первого. Решение SK hynix предположительно более эффективно и предполагает использование до трех слоев.