Компания Micron объявила о запуске LPDDR5x-памяти на основе 10-нм технологии шестого поколения (1 или 1-gamma), которая обеспечивает скорость передачи данных до 10,7 Гбит/с (10 667 МТ/с). Новинка превосходит предыдущее поколение 1 на 20% по энергоэффективности, что делает её оптимальным решением для мобильных устройств.

Толщина модулей памяти Micron 1 LPDDR5x составляет всего 0,61 мм — на 14% меньше, чем у 1-версии, и на 6% тоньше аналогов конкурентов. Это позволяет производителям смартфонов создавать более компактные ультратонкие и складные модели.

Технология 1 стала первой для Micron EUV-литографией, ранее применённой в DDR5-памяти. Сейчас образцы 16-ГБ модулей переданы партнёрам для тестирования. В будущем линейка расширится вариантами от 8 до 32 ГБ. Как ожидается, новая память появится в флагманских смартфонах 2026 года.