SK Hynix официально объявила о начале массового производства передовой 321-слойной 4D NAND памяти с ёмкостью чипа 1 Тбит. Это первое решение на рынке с таким количеством слоёв, что делает его значимым шагом для всей индустрии полупроводников. Поставка новой памяти клиентам начнётся в первой половине 2025 года, причём компания сумела начать производство раньше запланированных сроков, заслужив отдельные аплодисменты.

По сравнению с предыдущей 238-слойной памятью, переход на 321 слой обеспечил увеличение выхода годных чипов на 59 % с каждой кремниевой пластины. Одновременно с этим скорость работы возросла на 18 %, что стало возможным благодаря улучшениям в передаче сигналов. Эти показатели делают новую память от SK Hynix наиболее продвинутым решением на рынке.

4D NAND от Hynix сочетает в себе инновационную вертикальную структуру слоёв с усовершенствованными технологиями размещения ячеек, что позволяет достичь высочайшей плотности данных и эффективности производства. Этот подход делает память не только более производительной, но и более экономичной в долгосрочной перспективе.

Сегмент NAND памяти продолжает расти благодаря постоянно увеличивающимся требованиям к хранению данных. Новое поколение чипов от SK Hynix открывает двери для более ёмких и быстрых решений, которые найдут применение в серверных системах, облачных хранилищах, а также в устройствах конечных пользователей, таких как смартфоны и SSD-накопители.