Разгон самой дешёвой оперативной памяти с чипами Micron E-die на Intel - 3600 MHz CL16, 4000 MHz CL 18 за 5 минут

Если вы ищите готовые решения, так называемые пресеты для оперативной памяти - с подобранными за вас вольтажами, выверенными таймингами, без заморочек, чтобы "ввести 3 значения в BIOS и забыть" - то я могу вас обрадовать: вы нашли готовое решение для своей оперативной памяти на платформе Intel - 100% безопасные и рабочие пресеты, которые будут работать даже на самых дешевых модулях оперативной памяти с крайне популярными в наше время (и, самое главное, дешевыми) чипами Micron E-die, которые отлично подходят как для платформы Intel, так и AMD (разгонного потенциала этих чипов платформе красных, скорее всего, хватит даже на будущие процессоры Ryzen 4000).

Итак, этой весной я уже выпускал гайд по разгону оперативной памяти для платформы AMD Ryzen, который стал очень популярным, пусть и отчасти незаслуженно - я тогда только-только освоил разгон памяти на Zen+, пытался все делать по формулам, объяснить что-то сложное простыми словами. Как итог, прошлый гайд подвергся некоторой критике и был несколько раз редактирован во избежание неточностей и введения читателей в заблуждение. Да и такое подробное руководство, написанное любителем для широких масс - сизифов труд.

Сейчас, когда у меня несколько больший опыт в разгоне оперативной памяти DDR4, а также более или менее освоенная платформа AM4 (Zen+ - 3333 MHz CL14, Zen2 - 3800 MHz CL16), я с уверенностью могу сказать, что разгон памяти на Intel - это просто, а разгон памяти на AMD Ryzen - это еще проще. Не советую выискивать мой старый гайд по разгону оперативной памяти на AMD Ryzen - делаем проще: загружаем известный всем DRAM Calculator for Ryzen, который работает как часы, заполняем необходимые поля, выбираем профиль "FAST", вбиваем полученные значения в BIOS и все! Оно 100% работает и, если же вы хотите попытаться уменьшить Latency на одну-две наносекунды, то можете еще поужимать тайминги, но в реальной ситуации оно того не стоит - профит не сопоставим с временными затратами.

Итак, перейдем к Intel, новейшей платформе LGA 1200. Если вы уверены в том, что ваша память выполнена на чипах Micron E-die, а проверить это можно через утилиту Thaiphoon Burner, смело заходите в биос и начнем простейший разгон.

Самый простой разгон памяти на Micron E-die до 3600 MHz CL16

Итак, начинаем с легкого и полностью безопасного разгона в несколько действий:

Напомню вам, что разгон памяти на Intel возможен только на материнских платах с Z-чипсетами.

После того, как вы зашли в BIOS, выставляем частоту памяти в 3600 MHz. Выставляем VCCIO (напряжение, подаваемое на контроллер памяти в процессоре) в 1.2 вольта, оно полностью безопасно. Напряжение VCCSA (системный агент) подбираем в диапазоне от 1.2 вольта до 1.25 вольта, этого будет достаточно.

Далее мы выставляем напряжение на память. Оно может быть в диапазоне 1.39 - 1.42 вольта. Память у всех разная - рекомендую выставить напряжение в 1.42, опять же, это безопасное напряжение. Далее вы постепенно, шаг за шагом, снижаете напряжение, скорее всего, вам подойдет напряжение 1.4 - 1.41 вольта, но бывают и исключения. Можете смело поднимать напряжение до 1.45 вольта, но лишь на короткий период, настолько большое напряжение на постоянной основе может потребовать от вас дополнительного обдува модулей памяти.

На этом мы заканчиваем с вольтажами - самая сложная часть позади. Далее от вас потребуется зайти в настройки VRM вашей материнской платы (на материнских платах Asus вкладка находится в разделе "Ai tweaker" и называется "DIGI+ VRM"), здесь вам необходимо выставить VRM switching на частоту в 300 кГц, этого будет достаточно. Далее выставляем фазы, отвечающие за питание, подаваемое на память,  в Extreme.

Нам остается только выставить тайминги. Единственное, рекомендую выставить из "вторичек" лишь  tCWL= 16 (CAS Write Latency), особенно актуально для материнских плат Asus, которые не стартуют с tCWL=15, хотя выставляют его в Auto. Далее выставляем tCL = 16, tRCD = 18, tRP = 18, tRAS = 38. Comand Rate (CR) выставляется в значение 1T (1N), если у вас одноранковые модули, или в 2T (2N) если ваши модули имеют два ранка (например, вы купили кит из 32 гигабайт двумя планками).

Также не забудьте выключить Mrc Fast boot и включить Mch full check.

На этом, собственно, простой разгон памяти закончен.

Не забудьте найти минимальные вольтажи и протестировать разгон хотя бы в Test Mem 5. Но для надежности советую все-таки тестировать систему в реальных играх, бенчмарках, стресс-тестах и, самое главное, в более тяжелых и долгих тестах памяти, так как отсутствие ошибок в Test Mem 5 еще не гарантирует 100% надежность разгона!

Быстрый и легкий разгон модулей с чипами Micron E-die до 4000 MHz CL18

Относительно безопасно можно разогнать модули и до частоты в 4000 MHz с таймингами CL18, времени на такой разгон у вас уйдет ровно 5 минут, а если вы уже смогли успешно взять частоту в 3600 MHz, то вам потребуется всего минута времени.

Советую также начать с высоких напряжений, постепенно снижая их до порога, пока не будет выявлено минимальное напряжение при максимальной стабильности. Выставляем напряжение на память в пределах 1.42 - 1.45 вольта, советую начать с более высокого. VCCIO и VCCSA советую также временно поднять для стабильности до 1.25 и 1.30 соответственно, далее "идем на снижение".

В настройках VRM делаем все то же самое, что и в случае с памятью в 3600 MHz CL16. VRM switching может потребовать более, чем 300 кГц, в диапазоне до 400 кГц, я думаю, вы найдете подходящую частоту, но мне было достаточно стандартных 300 кГц.

В настройках таймингов все идентично предыдущему пункту, когда мы разгоняли до 3600 MHz, естественно, за исключением первичных таймингов, выставляем tCL = 18, tRCD = 20, tRP = 20, tRAS =42.

Больше ничего трогать не надо - выключаем Mrc Fast boot и включаем Mch full check и завершаем разгон памяти, не забывая прогонять TM5:

На этом, собственно, "пятиминутные" разгоны Micron E-die на платформе Intel завершены. И большинству людей такого разгона будет предостаточно - нет смысла платить за XMP, если таких же результатов (даже лучше) можно добиться за 5 минут.

Самый простой разгон памяти с настройкой вторичных таймингов - оптимальный способ без использования сложных формул

А теперь предлагаю вам более мудреный вариант разгона, но все еще легкий - с выставлением вторичных таймингов. Это все еще крайне просто, потому что вам ничего считать не надо - просто вбиваем все необходимое в таблицу от anta777 и перебиваем все значения в BIOS. Найти простой вариант таблицы вы можете на нашей Конференции в ветке по разгону памяти DDR-4 на платформах Intel, где вам также, в случае чего, настоящие профессионалы помогут с разгоном памяти и подбором оптимальных вольтажей и таймингов.

Этим способом я "довел до ума" как разгон памяти до 4000MHz, так и до 3600MHz. Уточню, что в настройке вторичных таймингов я ничем не пользовался, кроме таблицы и некоторых рекомендаций, указанных в шапке ранее упоминаемой мной ветке.

Посмотреть актуальные тайминги вы можете в ASRock timing configurator, для платформы LGA 1200 вам потребуется версия утилиты 4.0.3:

Совет в разгоне: отчасти я люблю платы ASUS за такой пункт в BIOS, как Mem Over Clock Fail Count, при помощи которого можно указать количество попыток старта системы при неудачном разгоне. Я выставляю данный параметр на 1, что позволяет мне не вытаскивать батарейку из платы в случае неудачной попытки разгона. Если вы также имеете плату от ASUS, то воспользуйтесь данным пунктом в BIOS - это удобно.

Тестирование эффективности разгона памяти

Ну и какое же руководство по разгону памяти на Intel без тестов, чтобы убедиться, что разгон  памяти имеет какой-то эффект?

А перед тестированием предлагаю, конечно же, ознакомиться с тестовым стендом.

В данный момент единственной более или менее новой игрой у меня является Tom Clancy's Rainbow Six Siege (осада), которая обладает прекрасной оптимизацией и эффективнейшим образом работает с большим количеством потоков процессора.

Игра тестировалась на минимальных настройках графики, в минимальном разрешении и с минимальным рендером сглаживания TAA (25% от разрешения экрана), чтобы избежать упора в видеокарту.

В качестве тестового отрезка был выбран встроенный в игру бенчмарк.

С результатами тестирования предлагаю ознакомиться в виде итоговой гистограммы:

Частоты памяти разнятся крайне сильно, а все результаты замеров сводятся практически к погрешности тестирования. Явного фаворита выявить крайне не просто и все это наталкивает на мысль о том, что для процессоров  Comet Lake-S разгон памяти и вовсе не нужен, и, как следствие, можно обойтись без дорогой материнской платы на Z-чипсете.

Но мой разгон не является показательным и нельзя делать такие выводы лишь по одной протестированной игре.

Что же, предлагаю оставить этот вопрос на рассмотрение в одной из следующих статей, когда я подготовлю больше игр для тестов и, быть может, даже чуть улучшу результаты разгона, дополнительно ужав какие-то тайминги.

А пока я планирую на этом закончить слегка затянувшуюся статью о разгоне памяти с чипами Micron E-die на Intel, в частности на платформе LGA1200. Если у вас остались какие-то вопросы или предложения - прошу обсудить материал в комментариях.