finfet
всего материалов по тегу -
14
Apple применит технологию «четырехгранного изгиба» в юбилейном iPhone 2027 года
Apple готовит к 2027 году iPhone с радикально новым дисплеем. Экран изогнется сразу по четырем граням, убрав любые визуальные рамки.
TSMC начала принимать заказы на 2-нм пластины - ориентировочная стоимость около 30 000$ за единицу
Смена технологий в производстве чипов начинается с отказа от архитектуры FinFET, десятилетиями определявшей прогресс в отрасли. Вместо нее TSMC внедряет транзисторы с нанолистовой структурой и «затворами со всех сторон» (GAA).
TSMC приоткрыла завесу тайны над своим передовым 2-нм техпроцессом
Одним из наиболее важных достижений нового техпроцесса является значительное повышение энергоэффективности.
Intel меняет курс: отказ от техпроцесса 20A и переход на внешнее производство для чипов Arrow Lake
Компания полностью отказывается от разработки техпроцесса 20A в пользу более перспективного 18A.
Samsung представил план внедрения 3D DRAM и многослойной памяти
Согласно планам Samsung, уже через 2 поколения техпроцессов компания начнет выпуск 3D DRAM на основе вертикальных транзисторов FinFET.
В сеть попало изображение пластины с чипами Intel Xeon Granite Rapids
Данные процессоры будут выпускаться по новому технологическому процессу Intel 3 и включать новые производительные ядра Redwood Cove
DigiTimes: В следующем году TSMC начнет массовое внедрение 2 нм техпроцесса
GAAFET-транзисторы придут на смену FinFET
У TSMC появились проблемы, поэтому компания может перенести сроки внедрения 2-нм узла на 2026 год
У главных конкурентов TSMC, а именно у Intel и Samsung появился шанс опередить тайваньскую компанию с внедрением нового передового техпроцесса.
Samsung заявила, что обгонит TSMC, запустив 2-нм техпроцесс в 2025 году
Два гиганта по производству чипов спорят о том, кто из них первым выведет на рынок 2-нм продукты.
Производство 3-нм чипов Samsung начнется в первой половине 2022 года
Это стало известно из заявления компании на Samsung Foundry Forum
Технология CasFET может прийти на смену традиционной FinFET
Работу по разработке такого типа транзисторов ведет коллектив Университета Пердью
Intel обвинили в нарушении патента FinFET и это грозит запретом на продажу процессоров в Китае
Очередная попытка Intel оспорить иск о нарушении патентных прав компании провалилась
TSMC начинает разработку 2 нм техпроцесса производства
В сети появился отчет ресурса DigiTimes, в котором говорится, что компания TSMC объявила инвесторам о начале предварительных исследований и НИОКР по разработке 2 нм технологического процесса.
Samsung представила прототип первых 3 нм полупроводников
По сообщению корейского агентства Maeil Economy, Samsung удалось сделать первые шаги в направлении 3-нм техпроцесса. Согласно отчету, целью Samsung является получение лидерства в производстве полупроводников к 2030 году.
