Согласно отчету тайваньского ресурса DigiTimes, уже в четвертом квартале TSMC выпустит первые партии полупроводников, изготовленных с помощью передового 2 нм техпроцесса, задействуя для этого глубокий ультрафиолет.
Ожидается, что 2 нм нормы станут для TSMC важным шагом, поскольку в случае успеха она станет первой компанией, которая выведет на рынок FET-транзисторы с окружающим затвором (GAAFET).
Последние являются приемниками FinFET-транзиторов, использовавшихся в течение последнего десятилетия при постепенном переходе индустрии с 16 на 3 нм. Считается, что технология GAAFET будет играть решающую роль на пути от 2 к 1 нм.
Для создания чипов с транзисторами нового типа выделен новый завод TSMC в научном парке Синьчжу, расположенном в северной части Тайваня. Если все пойдет по плану, то массового производство стартует во втором квартале 2025 года. Пока же 3 нм FinFET остается наиболее передовым узлом компании.
Конкуренты в лице Samsung и Intel также не дремлют. Первая располагает собственной 2 нм разработкой, названной SF2. А Intel, в свою очередь, активно тестирует 2 нм техпроцесс 20A, с амбициозной целью начать серийный выпуск чипов на GAAFET уже в 2024 году.
