В настоящее время производство чипов на  7 нм техпроцессе достигло своего пика. По слухам, Nvidia начнет размещать заказы у TSMC и Samsung на выпуск своих видеокарт следующего поколения Ampere в середине 2020 года. Между тем, мы уже знаем, что TSMC инвестирует значительные средства в развитие 5-нм техпроцесса, а компания Apple якобы зарезервировала две трети мощностей TSMC по производству 5-нм чипов для SoC A14, которая, как ожидается, будет использоваться в новых iPhone 12.

  Теперь, по сообщению корейского агентства Maeil Economy, Samsung удалось сделать первые шаги в направлении 3-нм техпроцесса. Согласно отчету, целью Samsung является получение лидерства в производстве полупроводников к 2030 году.

  Работа Samsung над 3 нм техпроцессом основана на технологии Gate All Around (GAAFET), а не на FinFET. Предполагается, что это уменьшает общий размер чипа на 35% и обеспечивает такое же энергопотребление и увеличение производительности на 33% по сравнению с 5-нм процессом FinFET.

 Ещё около года назад мы впервые услышали, что компания Samsung работает над 3-нм техпроцессом GAAFET, чипы на основе которого должны поступить в массовое производство в 2021 году. В то время такие планы считались достаточно амбициозными, но если Samsung уже удалось выпустить свои первые 3-нм прототипы, то производитель может быть очень близок к поставленными перед собой целями.

  Конструкция GAAFET отличается от конструкции FinFET тем, что она построена на основе затворов с четырех сторон канала, что обеспечивает уменьшение утечки мощности и, следовательно, улучшенный контроль над каналом. Этот переход на более эффективную конструкцию транзистора в сочетании с уменьшенным размером узла позволяет обеспечить огромный скачок производительности на ватт относительно 5-нм техпроцесса FinFET.