В сети появился отчет ресурса DigiTimes, в котором говорится, что компания TSMC объявила инвесторам о начале предварительных исследований и НИОКР по разработке 2 нм технологического процесса. Как ведущая сегодня компания по производству полупроводников, TSMC, похоже, не останавливается на достигнутом. Её продукция, основанная на 7-нм технологическом процессе уже достигла доли в 30 процентов от общего количества заказов компании на полупроводники, а 5 нм технологический процесс, который будет основан на литографии EUV, должен достичь HVM (High Volume Manufacturing) во втором квартале текущего года. Однако, на данный момент о 2 нм техпроцессе известно не так много, как хотелось бы.
После полноценного освоения 5 нм техпроцесса, который как ожидается должен принести увеличение плотности упаковки транзисторов на 84-87% по сравнению с текущим 7-нм узлом, TSMC планирует перейти на 3 нм техпроцесс. Представители компании TSMC сообщают, что 3 нм полупроводники должны поступить в массовое производство в 2022 году. Интересно, что TSMC планирует использовать технологию FinFET для своего 3 нм производственного узла, хотя уже имеет в своём распоряжении технологию GAAFET ( gate-all-around field-effect transistor). Планы TSMC по развертыванию технологии FinFET при производственном процессе менее 5 нм по мнению многих отраслевых аналитиков и специалистов являются чрезвычайно трудными для реализации, поскольку потребуют для этого более экзотических материалов и конструкций транзисторов, чем те, которыми сейчас располагает компания TSMC.
