Обзор и тесты Hynix 5DU12822CPT-D43

для раздела Блоги
С того момента, когда мой QuakeIV стал подсвапывать в самые неподходящие моменты, я стал задумываться об увеличении объема оперативной памяти. Желания добавлять еще 2 по 512 у меня не было (4 двусторонних модуля в системе на A64 никогда не считалось хорошим тоном), поэтому была сделана попытка прикупить 2 по 1 Гб. Почему "попытка"? Просто в том магазине, где я обычно отовариваюсь из гиговых планок были только Hynix на CTP чипах. А зная их плохой разгонный потенциал, особого желания их брать у меня не было. Но, как только мои предыдущие 2 планки ушли с молотка, вопрос встал ребром. И пришлось взять то, что было на тот момент.

Hynix 5DU12822CPT-D43

Память ко мне попала в ОЕМ исполнении, в антистатическом пакете.



На гарантийной наклейке указана маркировка модуля, объем, CAS Latency, неделя выпуска модулей (45/2005), страна производства и модный нынче, значок отсутствия свинца. Модули произведены в Корее. Маркировка:



Вот, что показала утилита Everest:



SPD модуля заполнено полностью. Номинальное напряжение работы памяти – 2.5V.

Тестирование.

Память тестировалась по следующей схеме.
Напряжение 2.6, 2.8, 3.0, 3.2.
Тайминги:
2.0-2-2-10
2.0-3-3-10
2.5-3-3-10
2.5-4-4-10
3.0-3-3-10
3.0-4-4-10
Все при 1Т.

Тестовая система:

Материнская плата: EPoX rev.1.xx (nForce 4 SLI), BIOS 9SLI6109.
Процессор: AMD Athlon 64 3200+ 2000 MHz, (Venice, E6).
Система охлаждения: Zalman 7000B-Cu LED
Термоинтерфейс: КПТ-8.
Видеокарта: PCI Express ASUS EAX800XL (X800XL) 400/500@460/550
Дисковая подсистема: 200 Gb SATA WDC WD2000JD-00HBB0 8 Mb.
Привод: DVD±R/RW & CD-RW NEC ND-4550A.
Корпус: Chieftec BA-02B-B-SL + блок питания 420 W (HPC-420-102) + два корпусных 120-мм винтилятора Titan (max RPM, 12 V).

Результаты тестов

Общая диаграмма:



Честно говоря, закончив тест, меня не покидало чувство, что во время разгона я что-то не то делал. Пришлось спорные участи перетестивать. Все осталось, как было. Теперь каждый режим в отдельности:



CL2 для этих CTP оказался чисто формальным таймингом. Никто подобную память на таких частотах экплуатировать не собирается. Идем дальше:



Увеличение таймингов RAS to CAS delay (tRCD) и Row Precharge (tRP) с 2 на 3 дало минимальную прибавку к частотному потенциалу.



А вот тут и начинается самое интересное. Увеличив вольтаж с 2.8 на 3.0 я не только не получил прибавки MHz, но и потерял парочку. Может перегрев, а может память просто не любит большие напряжения (смею предположить, что это на нее повлиял новый безсвинцовый способ производства)



Подобная предыдущему случаю, картина.



CL=3 определенно не по вкусу гиговым CTP модулям. Смешные 220MHz модуль не осилил.



Очередная смешная прибавка MHz. Совсем не это я ожидал увидеть в конце тестирования.

Выводы

Большой объем памяти накладывает определенные ограничения на частотный потенциал. Свой вклад также вносит и чипы - CTP. В ветке, где они обсуждаются я встретил подобные результаты. От себя лишь могу добавить, что эта память у меня надолго не задержиться. Как только привезут что-нибудь на BT или DT, то буду тестить их. Надеюсь, что таких плачевных результатов я не увижу.

Поправки и критика принимаются по адресу:
http://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?t=129631
Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают