Южнокорейская компания SK hynix закрепила за собой почти половину мирового рынка памяти HBM и не намерена уступать позиции в конкурентной гонке. Чтобы укрепить свои позиции, компания активно разрабатывает микроcхемы следующего поколения HBM4. Согласно сообщениям из Южной Кореи, на стадии тестирования компания добилась 70% выхода годных 12-слойных чипов HBM4.

Как сообщает южнокорейское издание ETNews, данный уровень качества является весьма высоким для начальной фазы подготовки HBM4 к массовому производству. В конце прошлого года на предыдущей стадии тестирования уровень выхода годных микросхем составлял 60%. Улучшение объясняется, в частности, внедрением пятого поколения 10-нанометрового техпроцесса (1b), используемого в производстве DRAM-кристаллов для HBM4. Этот технологический процесс уже применяется при производстве памяти HBM3E.

SK hynix рассчитывает начать предоставление образцов HBM4 для Nvidia уже в июне, а массовое производство запустить к концу третьего квартала. Это позволит Nvidia оснастить свои новейшие ускорители Rubin памятью HBM4 во второй половине года. В то же время Micron Technology планирует начать массовое производство HBM4 не ранее 2026 года. Samsung же надеется начать производство к концу этого года, однако сталкивается с проблемами высокой доли дефектной продукции.