США захотели ограничить доступ Китая к некоторым чипам памяти нового поколения

Соединенные Штаты намерены ужесточить меры по предотвращению доступа Китая к передовым технологиям производства микросхем, обеспечивающим выпуск транзисторов с затвором полностью окружающим канал (GAA) и модулей памяти с высокой пропускной способностью (HBM).

ChangXin Memory Technologies Inc (CXMT), производитель DRAM в Хэфэй, может столкнуться с санкциями, поскольку планирует производить чипы памяти с высокой пропускной способностью. Photo: Baidu

По сообщениям СМИ, с очень большой долей вероятности очередная атака Вашингтона будет направлена на компанию ChangXin Memory Technologies Inc (CXMT) , расположенную в округе Хэфэй и специализирующуюся на производстве памяти DRAM для серверов и "умных" автомобилей. Среди основных конкурентов CXMT - Samsung Electronics, SK hynix и Micron.

Алан Эстевез, глава Бюро промышленности и безопасности (BIS) Министерства торговли Соединенных Штатов, недавно посетил Нидерланды, чтобы обсудить вопрос о внесении в черный список 11 новых китайских заводов по производству микросхем. Об этом во вторник сообщило агентство Reuters. Затем Эстевес отправился в Японию для переговоров по тому же вопросу.

В среду 19 июня агентство Bloomberg опубликовало статью, в которой говорится, что цель поездки Эстевеса - оказать давление на правительства Японии и Нидерландов, чтобы они ввели дополнительные ограничения на поставки в Китай продукции компаний Tokyo Electron Ltd и ASML, соответственно.

В сообщении говорится, что в ходе диалога Эстевеса с союзниками особое внимание уделялось вопросам разработки китайскими чипфабриками так называемых чипов памяти с высокой пропускной способностью (HBM), которые могут использоваться в качестве ускорителей искусственного интеллекта (ИИ).  

 В прошлом месяце агентство Reuters сообщило, что CXMT и Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co (XMC) - дочерняя компания чипмейкера флэш-памяти Yangtze Memory Technologies Co (YMTC) - находятся на начальных этапах производства чипов HBM и пытаются закупить необходимые инструменты в Южной Корее и Японии.

CXMT, пишет Bloomberg, активно сотрудничает с компанией Tongfu Microelectronics, специализирующейся на упаковке и тестировании кристаллов, для разработки образцов чипов HBM и их последующей демонстрации клиентам. В феврале XMC начала строительство предприятия, способного выпускать ежемесячно 3000 12-дюймовых пластин HBM.

В настоящее время в черном списке США находятся пять китайских производителей микросхем, среди которых Huawei Technologies, Semiconductor Manufacturing International Corp (SMIC) и YMTC. В марте текущего года Bloomberg сообщил, что Вашингтон планирует внести в черный список крупнейшего в Китае разработчика и производителя чипов памяти компании CXMT, а также еще пяти чипмейкеров КНР.

Технология GAAFET

В декабре прошлого года компания CXMT привлекла внимание BIS, заявив, что добилась успехов в разработке технологии микросхем GAA.

На 69-й Международной конференции IEEE по электронным устройствам (IEDM) в Сан-Франциско компания CXMT представила доклад о новой технологии изготовления GAA, которая позволяет создавать микросхемы с рекордной плотностью транзисторов и более высокими техническими характеристиками.

В статье, опубликованной газетой South China Morning Post, сообщается, что при разработке чипов GAA компании CXMT могут использоваться технологии, на которые наложены американские экспортные ограничения. Однако в CXMT заявили, что эти исследования не имеют ничего общего с текущими производственными процессами компании. В компании добавили, что любые обвинения в том, что CXMT нарушает экспортный контроль США, не соответствуют действительности.

Технология FinFET была представлена компанией Intel в 2011 году, однако в чипах следующего поколения она будет заменена на архитектуру GAAFET. Photo: techlevated.com

В прошлом для изготовления полупроводников использовались полевые транзисторы (МОП), сталкивающиеся с чрезмерным током утечки, а при достижении 28 нм. В попытке решить проблему утечки тока в 2011 году Intel представила полевые транзисторы FinFET с вертикальными каналами (ребрами), добавляемыми к каждому из затворов. Однако при дальнейшем уменьшении техпроцесса проблема появилась вновь.

Именно поэтому была разработана технология GAAFETAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistor). Ожидается, что новая архитектура обеспечит дальнейший рост производительности микросхем и позволит перейти на более тонкие технологические процессы вплоть до 1-2 нанометра.

В июне 2022 года компания Samsung начала массовое производство 3-нм чипов на основе GAA. В августе 2022 года BIS объявила о принятии нового закона, запрещающего экспорт в Китай американского программного обеспечения для автоматизации электронного проектирования (EDA), с помощью которого можно разработать микросхемы GAA.

11 июня агентство Bloomberg сообщило, что администрация Байдена рассматривает возможность введения новых ограничений на доступ Китая к технологии GAA.

"Когда речь заходит об искусственном интеллекте, Вашингтон говорит, что хочет вести диалог с Китаем, и одновременно с этим обдумывает шаги по преследованию китайского сектора искусственного интеллекта", - заявил 12 июня официальный представитель Министерства иностранных дел Китая Линь Цзянь. "Это говорит о лицемерии США". Линь добавил, что действия Соединенных Штатов не сдержат технологический прогресс Китая, а наоборот, сподвигнут китайские компании к достижению высоких результатов, полагаясь при этом только на себя.

В свою очередь, генеральный директор пекинского Альянса по потреблению информации Сян Лиган в интервью Global Times заявил, что американские санкции не смогли остановить прогресс Китая в области производства микросхем. Более того, они подтолкнули Китай к достижению самодостаточности во всей цепочке производства кристаллов.

По его словам, попытка Соединенных Штатов ограничить возможности Китая в производстве чипов недальновидна и в долгосрочной перспективе бесполезна. Впрочем, некоторые китайские публицисты опасаются, что запрет на экспорт технологии GAA в конечном счете повредит способности Китая разрабатывать интегральные схемы.

Так, например, 15 июня журналист под ником "Дядюшка Бяо" в своей статье пишет, что, помимо CXMT, команда под руководством Чжу Хуэйлуна из Института микроэлектроники Китайской академии наук за последние годы добилась значительного прогресса в разработке "вертикального многослойного GAAFET".

Джина Раймондо, министр торговли США, пообещала принять дополнительные меры, с тем чтобы ограничить доступ Китая к передовым чипам, необходимым для разработки систем искусственного интеллекта. Photographer: Qilai Shen/Bloomberg

Но, пишет эксперт, если Соединенные Штаты ужесточат контроль за экспортом технологии GAA, китайские производители чипов могут столкнуться с большими трудностями при разработке 3-нм чипов в будущем. По его словам, китайским чипмейкерам не стоит недооценивать негативное влияние этого пока что потенциального ограничения.