FAQ по HYNIX PC3200 DT-D43

14 апреля 2006, пятница 18:48
для раздела Блоги
FAQ по HYNIX PC3200 DT-D43


Внимание! При установке памяти Hynix DT-D43 на материнские платы от DFI на базе NForce4 могут возникнуть проблемы совместимости!


Наклейка на HYNIX DT-D43


Наклейка: HYMD264-646D8R – D43 PQ
Маркировка чипов: HY-5D-U-56-8-2-2-D-T – D43

Расшифровка маркировки чипов:
HY: принадлежность модуля к памяти Hynix
5D: DDR SDRAM
U: VDD=2.5V & VDDQ=2.5V
56: 256Mb 8K Refresh
8: ORGANIZATION - x8
2: # of BANK - 4Banks
2: INTERFACE SSTL_2
D: DIE GENERATION - 5th Gen
T: PACKAGE TYPE - TSOP
D43: Speed DDR400 3-3-3

SPD: Registered - No, Buffered - No, Correction - None.

SPD Timings Table
133MHz 2-2-2-6
166MHz 2.5-3-3-7
200MHz 3-3-3-8

Q: Какого типа это память?
A: Двусторонняя, по 8 чипов суммарным объёмом 32х8 = 256Mb с каждой стороны. В итоге 512Мб на модуль. На данный момент есть тока двусторонние 512Мб и односторонние 256Мб планки на этих чипах. Чипы сделаны на 130нм техпроцессе.

Q: До каких частот гонится память?
A: В среднем до 260-280 МГц в двухканальном режиме, и 270-310 в одноканальном, в зависимости от таймингов и экземпляра памяти.

Q: Какие тайминги оптимальны для этой памяти?
A: Обычно это 2.5-3-3-5(6,7)-1Т. При этих таймингах достигается мах производительность, по частоте память доходит до 270 и более в зависимости от напряжения.


Тайминги памяти:
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T (4T for max Overclock)
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 5T (10T for max Overclock)
Row Cycle Time (tRC) 7T (13T for max Overclock)
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 12T (16T for max Overclock)
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T (3T for max Overclock)
Write Recovery Time (tWR) 2T
Read To Write Delay (tRTW) 2T (3T for max Overclock)
Write To Read Delay (tWTR) 1T (2T for max Overclock)
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 4708 (166МГц 1.95us) - если делитель 166 (5/6)
3120 (200МГц 15.6us) - если делитель 200 (1/1)
DQS Skew Control Запрещено
DRAM Drive Strength Weak
DRAM Data Drive Strength 1 (50% Reduction)
Max Async Latency 8 ns (увел. for max Overclock)
Read Preamble Time 6 ns (увел. for max Overclock)
Idle Cycle Limit 16 (256 for max Overclock)
Dynamic Idle Cycle Counter Запрещено
Read/Write Queue Bypass 16
Bypass Max 7
32-byte Granularity Запрещено

При этих таймингах моя память в двухканальном режиме дошла до 265МГц, напряжение 3В. Охлаждение - медные радиаторы TITAN.
В скобках приведены значения, которые могут увеличить разгон и добавить стабильности. Если нужны дополнительные мегагерцы, а все тайминги уже на мах, можно выставить Command Rate (CR) в 2Т и CAS Latency (CL) в 3Т. При этом значительно падет производительность, но это может дать желаемые 5-10 МГц.

Q: Какое напряжение оптимально для памяти?
A: Стандарт 2.5. Рекомендуется 2.6-2.8 – без охлаждения, 2.9-3.2 при радиаторах на памяти и обдуве. Но не стоит усердствовать с поднятием напряжения. Известны случаи когда большое напряжение негативно влияло на разгон, поэтому позаботьтесь о хорошем охлаждении прежде чем поднимать напряжение на памяти, в особенности если у вас плохо вентилируемый корпус.

Q: Чем охлаждать память?
A: Самый простой вариант купить радиаторы. Это даст возможность поднять напряжение на память без опасений до значения 3В. Второй вариант поставить 80 х 80 вентилятор на обдув, что также позволит поднять напряжение на память и добиться повышения частоты памяти на несколько мегагерц. И третий вариант поставить радиаторы + вентилятор на обдув. При этом память будет чуть теплой. Это даст возможность поднять напряжение на память до значения 3.2В и достичь максимально возможных частот.

Q: Чем теститровать память на ошибки?
A: Superpi 32Mb, Prime, MemTest for Win, , S&M.
Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают