Обзор и тесты Corsair VS1GB400C3
реклама
2 мои предыдущие планки по 1 Гб показали не лучшие результаты в тестах. В прошлой статье я писал, что буду ждать память на DT, но она не пришла. А пришли Корсары на чипах Samsung UCCC так хорошо разрекламированные среди гиговых плашек.
Corsair VS1GB400C3 на чипах Samsung UCCC
Память ко мне попала в Retail исполнении в пластиковых коробочках
А вот и сама память:
На гарантийной наклейке указана маркировка модуля, из которой можно выудить объем, CAS Latency, неделя выпуска модулей (02/2006). Маркировка:
Вот, что показала утилита Everest:
SPD модуля заполнено только для частоты в 200MHz. Номинальное напряжение работы памяти – 2.5V.
Тестирование.
Память тестировалась по следующей схеме.
Тайминги:
2.0-2-2-10
2.0-3-3-10
2.5-3-3-10
2.5-4-4-10
3.0-3-3-10
3.0-4-4-10
Все при 1Т.
Остальные тайминги указаны на скрине:
Тайминги стоят в соответствии с пунктом G.Skill HZ таблицы, взятой их ветки про разгон гиговых модулей.
Напряжение 2.5, 2.7.
Более высокое напряжение на чипах не ставилось потому что опытаным путем было выявлено, при вольтаже >3.0 память начинала выдавать ошибки. К тому же использовался то напряжение, который точно не повредит памяти при долговременном ее пользовании. В FAQ по гиговым модулям 2.5-2.7 считается самым "правильным" для этих чипов.
Тестовая система:
Материнская плата: EPoX EP-9NPAJ SLI rev.1.xx (nForce 4 SLI), BIOS 9SLI6109.
Процессор: AMD Athlon 64 3200+ 2000 MHz, (Venice, E6).
Система охлаждения: Zalman 7000B-Cu LED
Термоинтерфейс: КПТ-8.
Видеокарта: PCI Express ASUS EAX800XL (X800XL) 400/500@460/550
Дисковая подсистема: 200 Gb SATA WDC WD2000JD-00HBB0 8 Mb.
Привод: DVD±R/RW & CD-RW NEC ND-4550A.
Корпус: Chieftec BA-02B-B-SL + блок питания 460 W (FSP 460-60PFN) + два корпусных 120-мм винтилятора Titan (max RPM, 12 V).
Результаты тестов
Первое, что бросается в глаза - минимальная прибавка MHz при повышениии напряжения на 0.1v.
Второе - нелюбовь этой памяти к CL=2, что, впрочем, объясняется ее бюджетностью.
Ну и третье - максимальное MHz при 3.0-3-3-10 оказалось больше, чем при 2.5-4-4-10. Имея перед этим 2 плашки Hynix'а я столкнулся с противоположным.
Из всего этого можно сделать заключение о любви памяти к повышению CL. С одной стороны, это вроде как и банальная вещь, но с другой - те же Hynix на DT чипах гораздо сильнее любят повышение Trcd, чем Tcl.
Выводы
UCCC чипы меня определенно порадовали. Они оказались на голову выше гиговых Hynix'ов. Жаль, что память попалась серии Value от Corsair, были бы оригинальные от Самсунга - результат был бы выше, наверно ;)
Обсуждение ведется в этой ветке конференции
https://forums.overclockers.ru/viewtopic.php?p=2447103#2447103
реклама
Лента материалов
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Сейчас обсуждают