Компания Samsung начала промышленное производство чипов мобильный памяти LPDDR5 нового поколения на крупнейшей в мире полупроводниковой линии. По сравнению с предыдущим поколением объём памяти в одном чипе вырастет до 16 Гб, а производительность увеличится на 16%. Смартфоны с этой памятью могут появиться к новому году с объёмом 16 Гб и даже больше.

Чипы производятся на третьем поколении техпроцесса 10 нм с ультрафиолетовой литографией. Используется предприятие в Южной Корее.

Это первые чипы на второй промышленной линии завода в городе Пхёнтхэк. Сейчас это крупнейшая в мире полупроводниковая производственная линия. Она занимает более 128900 квадратных метров. Samsung называет эту линию ключевым производственным хабом для самых продвинутых технологий, в том числе памяти DRAM и V-NAND.

Скорость чтения данных в этих чипах составит 6400 Мб/с против 5500 Мб/с в 12Gb LPDDR5. Последняя память сейчас используется во многих флагманских моделях, вроде Samsung Galaxy S20 Ultra.

С увеличением плотности хранения данных Samsung и другие производители мобильных устройств могут при помощи 8 чипов предлагать в смартфонах память объёмом 16 Гб. Прежде для такого объёма нужно было 12 чипов: восемь объёмом 12 Гбит и четыре по 8 Гбит. Samsung развивает технологию быстрыми темпами: предыдущий чип 12 Гбит начали производить только в июле прошлого года. Ещё за год до этого дебютировал чип 8Gb LPDDR5.

Всего 4 года назад объём памяти 4 Гб смартфонов казался избыточным. 8 Гб было достаточно для компьютеров и ноутбуков. Теперь в компьютерах некоторым не хватает 16 Гб, а для смартфонов 8 Гб стали нормой.