Обзор и тестирование Samsung M378A1G43TB1-CTD 8Gb 2666MHz cl19

Всем привет, совсем недавно в руки попали два модуля оперативной памяти M378A1G43TB1-CTD, разгонный потенциал которых мы в данной статье и рассмотрим. 

В стоке память обладает следующими характеристиками: частота - 2666МГц, объем - 8Гб, напряжение - 1.2В. На представленных планках чипы T-die, распаяны с двух сторон (т.е. dual rank). Дата производства обеих 31 неделя 2019 года.

Разгон производился на материнской плате Asus Maximus Hero VIII z170 (BIOS 3802, T-топология), при этом использовался процессор Intel Celeron g3900 (частоты core/avx/ring=2.8ГГц, что конечно же скажется на показателях пропускной способности памяти (ПСП) и latency в бенчмарке AIDA64). При проверке на стабильность память дополнительно охлаждалась 120мм. вентилятором на максимальных оборотах.

Начнем наше тестирование с поиска максимальной частоты для каждой отдельно взятой планки (вставлялись во 2 слот - DIMM A2), выставив при этом первичные тайминги 19-25-25-48 cr2, и следующие напряжения VCCIO=1.2В, VCCSA=1.25В, DRAM Voltage=1,35. Критерий успеха на данном этапе - инициализация до BIOS.

Первый модуль памяти (8E97) при напряжении 1.35В запустился на частоте 3466МГц, какое-либо снижение напряжения положительного эффекта не дало, значит движемся вверх с шагом 0.05В. Дальнейшая отметка в 3600МГц была взята при 1.4В, для 3733МГц потребовалось повышать напряжение уже до 1.45В (напряжения на КП при этом выставлялись с запасом - VCCIO=1.3В, VCCSA=1.35В).

Второй модуль памяти (9AA6) имеет схожее поведение за исключением того, что частота в 3733МГц ему так и не далась (что сейчас мне кажется крайне странным, далее узнаете почему, при этом попытки запуска были неоднократными).

Дальше, когда мы определились с максимально возможной частотой, можем подойти к поиску минимально возможных таймингов. Критерий прохождения, как и в первом этапе.

Первый модуль запускался со следующими значениями: 17-21-21-42 cr2 на 3733МГц и 16-20-20-40 cr2 при 3600МГц; второй модуль, который я заочно считал менее удачным, несколько удивил, когда смог взять меньший tCl, итоговые значения - 15-20-20-39 cr2 на частоте 3600МГц.

Целевая частота в 3600МГц определена, ищем минимальное напряжение, при котором происходит инициализация до BIOS при таймингах 16-20-20-40 cr2, для первого - 1.43В, второй опять удивляет - 1.355В (разрыв целых 0.075В!).

Предварительные результаты тестирования показали, что вторая планка памяти более удачная, ставим в дальний 4 слот - DIMM B2, первая отправляется во 2 слот - DIMM A2.

И вот, уже закончив первичную настройку на частоте 3600МГц, мне захотелось все-таки попробовать запустить 3733МГц, и они запустились! Я не знаю как это вообще возможно (напишите в комментариях ваши версии), для меня это вообще "дичь дикая". Нашел стабильные тайминги, выставил субтайминги.

ВЫВОД 

Память была куплена в конце апреля 2020г. на крупной площадке объявлений за 5200р (включая доставку), за свою цену данная память показывает удовлетворительные результаты в синтетических бенчмарках, а двухранговость позволит получить хорошую стабильность в тяжёлых ААА проектах. Да, можно было бы добавить пару тысяч рублей и купить Crucial Ballistix на чипах Micron E-die, но в виду большой популярности данной памяти местные ритейлеры ставят слишком высокую цену (сравнимую с б/у комплектом хороших Samsung B-die), на вторичном рынке же, при адекватной цене, её расхватывают как горячие пирожки… Платить ли больше за незначительную разницу в синтетических тестах и играх, или нет пусть решит каждый сам за себя. Всем добра ;-)