Компания Samsung завершила разработку своих первых чипов памяти шестого поколения HBM4 и находится на завершающем этапе подготовки к массовому производству. Об этом сообщают южнокорейские источники и издание AjuNews со ссылкой на подразделение Device Solutions компании.
Как уточняется, Samsung прошла внутреннюю проверку Production Readiness Approval (PRA) — последний этап перед началом объемного выпуска. Новые чипы HBM4 должны обеспечить примерно на 60% больше пропускной способности по сравнению с текущим поколением HBM3E.
Образцы HBM4 уже отправлены NVIDIA для оценки и возможного использования в грядущей платформе Rubin. Согласно информации, первые образцы превзошли требование NVIDIA к следующему поколению чипов — 11 Гбит/с на контакт. В основе решения — улучшенная DRAM 1c-класса и логический кристалл, произведённый по 4-нм техпроцессу, что позволяет контролировать тепловыделение и энергопотребление при повышении скорости передачи данных.
Массовое производство HBM4 запланировано на 2026 год. Об этом Samsung заявляла ещё во время отчёта по итогам третьего квартала 2025 года: «HBM3E уже находится в массовом производстве и поставляется всем соответствующим клиентам, в то время как образцы HBM4 одновременно отправляются ключевым заказчикам», — говорилось в выступлении компании.
Также сообщается, что в 2026 году подразделение Samsung Foundry сосредоточится на стабильном выпуске чипов по 2-нм технологии GAA и производстве базовых кристаллов для HBM4, параллельно наращивая мощности нового завода в Тейлоре, штат Техас.
Кроме того, в компании работают над ускоренной версией HBM4, которая должна обеспечить ещё 40% прироста производительности. Её анонс может состояться уже в середине февраля 2026 года.
