Бюджетная DDR3 память для Nehalem. Разгон и влияние Command Rate на производительность


Вступление

Все мы уже довольно долго наблюдаем на рынке компьютерного “железа” оперативную память DDR3 SDRAM, многие уже перешли на нее, хотя многие пользователи продолжают оставаться на DDR2 SDRAM. Это понятно, DDR2 сейчас очень сильно подешевела и можно за довольно небольшие деньги купить себе четыре, а то и все восемь гигабайт оперативной памяти в компьютер. Но прогресс не стоит на месте и совсем недавно компания Intel выпустила новое поколение процессоров – Nehalem, а также чипсет Х58 для него. Для новой платформы требуется в обязательном порядке не только память DDR3 SDRAM, но и уже не два, а целых три модуля памяти для нормального функционирования - память должна работать в трехканальном режиме.

Не секрет, что вышедшие материнские платы на Х58 чипсете сейчас довольно высоки в цене, в основном из-за лицензии на SLI за которую производители материнских плат отстегивает кругленькую сумму nVidia. Чипсет X58 помимо поддержки CrossFire также поддерживает и полноценный режим SLI, который ранее был возможен только на чипсетах nForce от nVidia. Да и желающим перейти на новый процессор Core i7 так или иначе придется переходить на новую платформу из-за сокета LGA1366, которым Intel снабдил свое новое детище. И как следствие - переход на трехканальную DDR3 SDRAM оперативную память.

Не так давно производители начали выпускать комплекты памяти DDR3 SDRAM состоящие из трех модулей и предназначенные специально для Nehalem. В принципе, модули можно использовать от разных производителей и с разными характеристиками, главное, чтобы все три могли работать на одинаковой частоте и таймингах. Но комплект из трех модулей покупать все же очень желательно – в нем память подобрана по всем параметрам. Но главное заключается в том, что напряжение питания у такой памяти не превышает 1.65v, в то время как у двухканальной DDR3 SDRAM оно составляет 1.8-1.9v. Это связано с тем, что по спецификации Intel для чипсета X58 напряжение на память не должно превышать 1.65v, т.к. этим же напряжением помимо самой памяти питается и перенесенный в процессор контроллер памяти. И превышение этого напряжения выше данной величины может вывести процессор из строя.

Хотя цена на DDR3 SDRAM память сейчас довольно высока, есть и недорогие комплекты, в том числе и трехканальные. Один из таких комплектов относящихся к бюджетному сектору мы сегодня рассмотрим и протестируем на разгон. Главная цель этого обзора – выяснить, стоит ли оверклокеру при переходе на Nehalem переплачивать довольно крупную сумму за более дорогую память или можно купить что-то более дешевое и с помощью разгона получить частоты и производительность не хуже, а то и лучше, чем у более дорогой памяти.

Для этих целей был выбран комплект трехканальной памяти, один из самых дешевых на нашем рынке и предназначенный специально для Core i7 - OCZ DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel имеющий модельный номер OCZ3P1333LV3GK. Был выбран объем 3 Гб (3х1024 Мб) из тех соображений, чтобы можно было установить Windows x86 (32 бит), т.к. подобные операционные системы все равно не видят свыше 3 Гб оперативной памяти.

Упаковка и внешний вид

Память упакована в небольшую картонную коробку, окрашенную в синие тона. Хоть через прозрачное окошко видно только два модуля памяти, перепутать ее с двухканальной DDR3 SDRAM просто невозможно - снизу крупно выделено TRIPLE CHANNEL, что говорит о предназначении памяти для трехканального режима.





Сами модули упакованы в блистеры. Помимо верхнего блистера с двумя модулями с задней стороны спряталась еще одна планка в отдельном блистере.

Вот и сами модули. Эта серия памяти называется Platinum, что подтверждается одетыми на нее серебристыми никелированными блестящими радиаторами.

Характеристики

Данная память имеет номинальную частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7-20, что совсем не плохо, учитывая ее цену приблизительно в 150$ на январь 2009 года. В большинстве случаев память, имеющая подобные частотные характеристики, но от других производителей - имеет стоимость больше, а тайминги хуже.

Из прошитой в память SPD можно видеть, что по умолчанию память запускается на 1066 МГц со своими номинальными таймингами (7-7-7-20) и напряжением в 1.5v. Частоту 1333 МГц и напряжение 1.65v нужно выставлять в биосе вручную.

Сами чипы на модуле расположены только с одной стороны, т.е. эта память односторонняя. Модуль имеет 8 чипов по 128 Мб каждый. С другой стороны модуля радиатор приклеен через термопрокладку непосредственно к PCB. PCB в свою очередь имеет шесть слоев.





При снятии радиатора с удивлением обнаружилось, что на памяти стоят чипы Micron D9JNM.

Я не ожидал, что на свою бюджетную память OCZ будет ставить чипы Micron, которые отличаются в первую очередь очень хорошим частотным потенциалом, и которые в основном ставят на свою дорогую оверклокерскую память именитые производители. Но так сложилось, что на памяти, которая участвует в нашем обзоре, как раз установлены подобные чипы. И это значит, что она должна обладать хорошим разгонным потенциалом - это мы сегодня и выясним. Ну что ж, пора заканчивать обзор характеристик памяти и переходить непосредственно к ее разгону и тестированию.

Тестовый стенд и методика тестирования

  • Операционная система: Windows XP Pro SP3 х86
  • Процессор: Intel Core i7 920
  • Кулер: Noctua U12P SE
  • Материнская плата: Asus P6T-Deluxe
  • Память: 3x1024 OCZ3P1333LV3GK
  • Видеокарта: GeForce 7600GS
  • Жесткий диск: WD 3200AAKS 320Gb
  • Блок питания: Enermax PRO82+ 625W
  • Корпус: открытый стенд

Тестирование памяти на ошибки производилось программой ОССТ 2.01 в режиме тестирования “Память” в течение 30 минут. ОССТ в данном режиме очень хорошо выявляет какие-либо ошибки памяти, даже совсем незначительные. Prime 95 v25.9 отлавливал их немного хуже, поэтому было решено его не использовать.

Делитель памяти менялся в некоторых пределах в зависимости от частоты памяти. Частота BCLK - в районе 150-170 МГц при частоте процессора 3200-3600 МГц. Сильного разгона процессора не проводилось, дабы исключить ошибки не связанные с переразгоном памяти. Подстройка частоты памяти осуществлялась частотой BCLK. Разгон проводился на напряжениях: номинальные 1.65v и повышенные 1.8v и 1.9v. На каждом напряжении тайминги выставлялись: номинальные 7-7-7-20, пониженные 6-6-6-18 и повышенные 8-8-8-24. Субтайминги не менялись, т.е. оставались в Auto. Плата сама их неплохо подстраивает в зависимости от частоты памяти. Command Rate в настройках памяти был выставлен принудительно в 2Т. Память была установлена в дальние от процессорного сокета слота оранжевого цвета. В ближних черных слотах память работать в трехканальном режиме отказалась.

Добавлю кое-что о напряжениях. Как было сказано выше, превышать напряжение на память выше 1.65v не рекомендуется самой Intel. Правда тут есть одно НО - это правило действует только в том случае, если напряжение Uncore выставлено как стандартное значение в 1.2v. Но Intel допускает повышение этого напряжения до 1.35v, как максимальное безопасное для процессора. В этом случае максимально допустимое напряжение на память повышается до 1.875v. Главное соблюдать разницу между напряжением Uncore и напряжением на память. Эта разница должна быть в районе 0.4-0.5v. Несоблюдение этого условия может привести к тому, что процессор будет поврежден или снизится его частотный потенциал.





Еще я хотел бы сказать пару слов о нагреве памяти. Во время проведения тестов, даже с установленным напряжением на память в 1.9v, она оставалась теплой и не нагревалась выше 45-50 градусов. Дополнительного воздушного охлаждения на память не использовалось.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Страницы материала
Страница 1 из 2
Оценитe материал
рейтинг: 4.5 из 5
голосов: 54

Теги

Комментарии 94 Правила



Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают