Бюджетная DDR3 память для Nehalem. Разгон и влияние Command Rate на производительность (страница 2)
реклама
Разгон
Наконец мы подошли к самой главной части сегодняшнего обзора – разгону. Итак, первым делом давайте проверим, какую частоту покорит память при своем номинальном напряжении 1.65v и номинальных таймингах 7-7-7-20:
На 7-7-7-20 память разогналась с номинальных 1333 до 1630 МГц и стабильно отработала свои 30 минут в тесте. Это очень хороший результат, учитывая, что напряжение на память установлено всего 1.65v. На 6-6-6-18 разгон дал стабильные 1403 МГц. И на 8-8-8-24 частота составила 1835 МГц.
Теперь увеличим напряжение на память до 1.8v. В этом случае была принята обязательная мера - напряжение Uncore было поднято до 1.35v. Смотрим на диаграмму:
реклама
Ну что сказать, просто великолепный результат! Хотя подобного и следовало ожидать, т.к. чипы Micron очень хорошо отзываются на рост напряжения и могут довольно сильно прибавлять в разгоне. Подумайте только – 1516 МГц с таймингами 6-6-6-18 и всего при 1.8v! Не часто такое увидишь. На 7-7-7-20 стабильная частота составила 1750 МГц по сравнению со своей номинальной частотой в 1333 МГц. А вот на 8-8-8-24 результат получился очень странный: по сравнению со своими 1835 МГц, которые были получены при 1.65v – и при 1.8v разгон не принес совершенно никаких плодов. Немного забегая вперед, скажу, что и на 1.9v результат был такой же – те же 1835 МГц. Все это казалось очень странно, и я был уверен, что проблема кроется не в памяти, а в чем-то другом. После небольшого анализа все-таки удалось найти причину, по которой происходила подобная ерунда. Виноват оказался процессор, и все упиралось в частоту UCLK, а точнее в какую-то одну из ее составляющих - L3 кэш или контроллер памяти. Мне не удалось точно выяснить что именно, но подозрения пали на L3 кэш, т.к. увеличение напряжения на память совершенно не увеличивало разгон (это напряжение питает также и контроллер памяти в процессоре). А вот поднятие напряжения Uncore до 1.55v давало все же небольшую прибавку в разгоне UCLK и как следствие самой памяти. Правда эта прибавка была небольшой, всего 10 МГц, а повышать Uncore свыше 1.55v было уже довольно рискованно. К тому же увеличение этого напряжения дополнительно нагревало процессор, и не слабо – примерно + 3-4 градусов по Цельсию.
Было решено остаться на напряжении Uncore равном 1.45v и не превышать эту величину. До этого значения оно и было поднято с 1.35v, после того, как напряжение на память было увеличено до 1.9v. Еще один разгон:
Здесь наблюдается все тот же почти пропорциональный рост частоты памяти в зависимости от напряжения на нее. На 7-7-7-20 память взяла 1820 МГц, а на 6-6-6-18 – 1572 МГц. Вот тебе и Micron D9JNM! Разгон на шестерках немного “не добил” до 1600 МГц, что немного жаль. Нет, эту частоту память брала без проблем, но при прохождении теста ОССТ вываливалась ошибка примерно через 1 минуту. Хотя 3DMark 06, например, был абсолютно стабилен. Про 8-8-8-24 я все сказал выше, тут комментарии излишни…
Тестирование
Здесь не будет приведено множество различных красочных графиков, которыми пестрят другие похожие обзоры памяти, т.к. тестировать один комплект подобным образом – совершенно не нужное дело. Но мы тщательно изучим, как влияет на производительность параметр Command Rate. Это один из немногих параметров, от которого может довольно существенно зависеть производительность подсистемы памяти.
Для тестирования была выбрана программа EVEREST Ultimate 2009.4.60, в которой производились тесты памяти и кэша процессора. Главное внимание стоит обратить на тесты: чтение из памяти, запись в память, копирование в памяти и латентность памяти (задержка). В дополнение также использовался процессорный тест из пакета 3DMark 06. Для этого теста процессор был разогнан до 3780 МГц (180х21), память до 1800 МГц. Тайминги на память были установлены как 7-7-7-20.
Сначала выясним быстродействие памяти с более медленной настройкой Command Rate = 2T:
реклама
Здесь мы получаем скорость чтения из памяти - 19308 Mb/s, записи – 15675 Mb/s, копирования в памяти – 18462 Mb/s и латентность 27.7 ns.
Далее выставим Command Rate = 1Т и еще раз проведем подобный тест:
Как мы видим, изменение параметра Command Rate с 2T на 1T дает довольно существенную прибавку производительности. В тесте латентности прибавка максимальна (в процентном отношении) – задержка уменьшилась с 27.7 до 26.3 ns. Да и в тесте чтения из памяти увеличение скорости тоже довольно значительно – прибавка около 470 Mb/s. А вот тест записи и копирования практически не дал никакого прироста.
Теперь прогоним процессорный тест 3DMark 06:
Ощутимо возросли “попугаи” и в этом тесте.
Из этого следует вывод, что выставление параметра Command Rate в 1T дает довольно хороший прирост производительности. Но тут есть небольшая ложка дегтя в бочке с медом... Ведь наверно всем известно, что выставление параметра Command Rate как 1T может довольно прилично снижать разгон памяти по частоте, по сравнению с тем случаем, когда Command Rate стоит как 2Т. Поэтому мы проведем еще один небольшой тест в этой области, чтобы выяснить величину снижения разгонного потенциала памяти в зависимости от параметра Command Rate.
Как мы помним, при напряжении 1.9v и таймингах 7-7-7-20 с параметром Command Rate = 2Т память стабильно взяла 1820 МГц. На всякий случай было приподнято напряжение Uncore до 1.5v и выставлено Command Rate =1Т. Давайте посмотрим, что из всего этого получилось:
Помнится, память DDR2 SDRAM снижала стабильную свою частоту с 1000 до 880-900 МГц при выставлении Command Rate как 1T. В данном же случае разгон снизился всего на 20 МГц, т.е. с 1820 до 1800 МГц. Это просто невероятно. К тому же снижение частоты на 20 МГц из 1800 МГц - является сущим пустяком! И при этом мы получили хорошую прибавку к производительности. Из этого всего следует вывод, что очень рекомендуется выставлять Command Rate именно как 1T, по крайней мере, для X58 чипсета. Мы получаем значительную прибавку производительности и при этом практически не теряем в разгоне памяти по частоте.
Заключение
Итак, пора подводить итоги. Cегодня мы рассмотрели одну из бюджетных моделей трехканальной памяти для платформы на чипсете Х58 и процессора Core i7. Память показала превосходные результаты по разгону! Конечно же, вся заслуга в этом перед чипами Micron D9JNM. Очень радостный факт, что компания OCZ, по крайней мере, на эту модель памяти ставит подобные чипы. Надеюсь, что так будет и дальше.
У данной памяти есть еще один плюс - она оказалась совсем не горячей и даже при напряжении на нее в 1.9v оставалась в тестах теплой и не перегревалась. И это без использования дополнительного воздушного охлаждения. Разве что вентилятор процессорного кулера слегка обдувал память.
реклама
Кто только собрался переходить на Nehalem, эта память будет очень хорошим выбором. Ведь процессор Core i7, а особенно материнская плата для него сейчас и так стоят баснословные деньги, и переплачивать еще кругленькую сумму за три планки памяти кому-то может оказаться просто не по карману. А OCZ3P1333LV3GK стоит дешевле многих своих собратьев и имеет замечательный разгон. OCZ DDR3 PC3-10666 Platinum можно смело назвать оверклокерской памятью. Micron, однако.
Оперативная память OCZ DDR3 PC3-10666 Platinum Low-Voltage Triple Channel на тестирование была предоставлена компанией Xpert.
Ермаков Владимир а.к.а. Buld@zer
реклама
Страницы материала
Теги
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Комментарии Правила