Корпорация Intel официально заявила о подписании партнерского соглашения с японской компанией SAIMEMORY (дочерней структурой группы SoftBank) в целях совместной разработки и продвижения принципиально нового типа оперативной памяти — Z-Angle Memory (ZAM). Эта память станет прямой альтернативой существующему формату High Bandwidth Memory (HBM).
Партнерство было запущено в рамках инициативы Министерства энергетики США Advanced Memory Technology (AMT), стартовавшей в июне 2025 года. Цель проекта AMT заключается в ускорении развития технологий высокопроизводительной вычислительной техники, особенно важной для центров обработки данных и научных исследований.
По словам представителей Intel, Z-Angle Memory обеспечит увеличенную емкость в два-три раза больше HBM, снизит энергопотребление почти наполовину и сократит производственные затраты примерно на 60%. Чтобы достичь таких впечатляющих результатов, был разработан новый метод вертикального размещения нескольких слоев DRAM. Также была использована технология Intel Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB), которая позволяет существенно снизить задержку между отдельными чипами.
Также разработчики обращают внимание на использование передового метода соединения микросхем — гибридное межсоединение медь-медь. Данный подход позволяет расположить ячейки памяти под углом в виде буквы Z и обеспечивает оптимальное взаимодействие между слоями.
Ожидается, что уже в 2027 году на рынке появятся первые образцы памяти формата ZAM, а массовое производство начнётся двумя годами позже — в 2029 году.
