По данным портала Tom's Hardware, Институт физики микроструктур Российской академии наук представил масштабный проект дорожной карты развития отечественного литографического оборудования. Проект охватывает период с 2026 по 2037 годы. Основной целью является внедрение технологических процессов с размером менее 10 нм.

Специалисты подчеркнули, что отечественное оборудование не станет простым аналогом решений голландского производителя ASML, использующего системы EUV-литографии. Российский подход предполагает использование уникальных технических решений. Среди них выделяются гибридные твердотельные лазеры, специальные источники света на основе ксеноновой плазмы и зеркальные покрытия из металлов рутения и бериллия, способные эффективно отражать ультрафиолетовые лучи с длиной волны всего 11,2 нм. Вместо традиционных капелек олова, применяемых в современных установках, предлагается использовать ксенон, что снизит риск повреждения дорогостоящих фотошаблонов.

Первый шаг (2026–2028 годы) предусматривает разработку прототипа литографического станка с технологическим процессом 40 нм, с точностью наложения слоев 10 нм и производительностью не менее 5 пластин в час. Размеры поля засветки составят 3×3 мм.
Следующим этапом (2029–2032 годы) станет создание сканера с длиной волны 28 нм, использующего четырёхзеркальную оптику и обеспечивающего точное позиционирование слоя до 5 нм. Производительность системы возрастёт примерно до 50 пластин в час, а размеры поля засветки увеличатся до 26×0,5 мм.
Заключительный этап (2033–2036 годы) направлен на достижение технологического уровня ниже 10 нм. Это потребует шестизеркальной оптики, точности выравнивания менее 2 нм и повышения производительности до более чем 100 пластин в час. Поле засветки составит 26×2 мм.
Главная задача проекта — осуществить качественный переход всех участников отечественной индустрии микроэлектроники на принципиально новый уровень, сохраняя экономическую целесообразность и ориентацию на малые производственные мощности. Успех программы окажет значительное влияние на развитие отечественной электроники и откроет новые возможности для экспорта отечественных чипов.

