Ранее в этом месяце исследователи из физического и инженерного факультета Ланкастерского университета в Великобритании опубликовали документ, в котором подробно описывается важный прогресс, достигнутый в приближении UltraRAM к массовому производству.

 UltraRAM описывается как технология памяти, которая сочетает энергонезависимость памяти для хранения данных, такой как флэш-память, со скоростью, энергоэффективностью и долговечностью рабочей памяти, такой как DRAM. Это звучит знакомо, так как Intel уже пыталась преодолеть разрыв между DRAM и флэш-памятью с помощью Optane, хотя и без особого успеха. У Samsung также есть наработки в данном направлении под названием Z-NAND, а Kioxia и Western Digital хотят интегрировать XL-FLASH в будущие потребительские и корпоративные решения для хранения данных.

 Материалы, используемые для изготовления UltraRAM, представляют собой те же полупроводники, которые используются в оптоэлектронных устройствах, таких как светодиоды, лазеры, фотодиоды и фототранзисторы. Последний прорыв ученых заключался в повышении производительности и использовании кремниевых подложек, в отличие от пластин из арсенида галлия, которые могут быть в 1000 раз дороже.

 Это означает, что UltraRAM может стать экономичным решением. Ученые утверждают, что протестированные ими прототипы устройств могут обеспечить 1000 лет хранения данных и выносливость без деградации более 10 миллионов циклов записи/стирания. Одной только последней цифры достаточно, чтобы заинтересовать технологические компании, особенно если новая память действительно может быть такой же быстрой, как традиционная оперативная память.

 Еще одно преимущество этой новой технологии заключается в том, что она использует квантово-механический эффект резонансного туннелирования, позволяющий барьеру переключаться с непрозрачного на прозрачный при подаче напряжения. Этот процесс очень энергоэффективен по сравнению с технологиями переключения, используемыми в ОЗУ и флэш-памяти, поэтому может привести к созданию мобильных устройств, которые будут работать дольше при питании от аккумулятора.

 Тот же процесс позволяет создать очень компактную архитектуру с высокой плотностью битов, что теоретически должно позволить производителям упаковать в один чип больший объем памяти. Исследователи из Ланкастерского университета заявили, что им необходимо дополнительно улучшить процесс изготовления ячеек памяти, но это интересная технология с большим потенциалом.