Источник изображения: Micron
Компания Micron Technology сделала важное заявление на этой неделе, сообщив о прогрессе в разработке своих программ HBM4 и HBM4E. Как сообщает Tom's Hardware, следующее поколение памяти HBM4 с интерфейсом на 2048 бит ожидается в массовом производстве в 2026 году. Более продвинутая версия HBM4E, которая последует за HBM4, не только обещает повышенные скорости передачи данных, но и предоставит возможность индивидуальной настройки базового кристалла.
HBM4E Micron впечатляет своими техническими характеристиками, но особенный интерес вызывает возможность адаптации под нужды конкретных клиентов, что позволит предоставлять оптимизированные решения с дополнительными функциями. Такие кастомизированные логические кристаллы будут производиться на заводах TSMC, используя передовые технологические процессы, позволят интегрировать больше кэш-памяти и улучшить производительность.
«HBM4E ознаменует собой смену парадигмы в бизнесе памяти, предоставляя возможность адаптации логического базового кристалла для определенных клиентов с использованием продвинутого производственного процесса TSMC», — отметил Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), президент и генеральный директор Micron. Мехротра также выразил уверенность, что эта возможность кастомизации улучшит финансовые показатели компании.
Стоит сказать, что разработка продуктов на базе HBM4E активно ведется в сотрудничестве с несколькими заказчиками, что подразумевает выпуск разнообразных конфигураций базовых кристаллов для различных применений, включая AI, HPC и сетевые технологии. Конкуренция на этом рынке нарастает, и будет интересно наблюдать, как решения HBM4E от Micron будут соперничать с кастомизированными HBM (cHBM4) от Marvell, анонсированными ранее в этом месяце.
Также Micron уже начала массовые поставки 8-Hi HBM3E устройств для процессоров Blackwell от Nvidia и начался процесс тестирования 12-Hi HBM3E стеков, который, по словам Мехротра, показывает лучшее в классе потребление энергии, будучи на 20% ниже, чем у конкурентов, при этом предоставляя на 50% больше емкости памяти.
