hbm4e
всего материалов по тегу -
20
Чипы Samsung HBM4E будут использоваться в графических процессорах NVIDIA Rubin Ultra
Память Samsung HBM4E успешно прошла тестирование для эксплуатации в составе графических процессоров NVIDIA Rubin Ultra.
Новая память Samsung HBM5 будет вдвое быстрее HBM4E и экономичнее на 20%
Компания Samsung на мероприятии Memory Executive Summit, предшествующем выставке Semicon Taiwan 2026, объявила о разработке нового стандарта памяти HBM5.
Samsung подтвердила разработку памяти HBM4E со скоростью 16 Гбит/с на контакт
Южнокорейский гигант готовится поставлять микросхемы HBM4E
SK Hynix первой отправила клиентам образцы HBM4E объёмом 48 ГБ и скоростью 16 Гбит/с
SK Hynix передала крупным клиентам первые образцы памяти HBM4E для систем искусственного интеллекта. Новые модули предлагают ёмкость до 48 ГБ и скорость передачи данных до 16 Гбит/с на контакт.
SK Hynix объявила о поставках памяти HBM4E крупным заказчикам
Компания является основным поставщиком памяти для NVIDIA
NVIDIA одобрила память HBM4 производства Samsung для нового поколения ускорителей ИИ
Также южнокорейский производитель начал поставку образцов памяти HBM4E
Samsung Electronics начала поставки новой памяти HBM4E
По данным компании, она обеспечивает более чем на 20% лучшую производительность по сравнению с HBM4 предыдущего поколения
Samsung начала поставки высокопроизводительных чипов памяти HBM4E для ИИ
Компания опередила главных конкурентов.
Samsung первой в мире начала поставки образцов чипов высокоскоростной памяти HBM4E
Южнокорейский производитель обещает повышение скорости и энергоэффективности в чипах HBM4E по сравнению с памятью HBM4
Samsung показала новое поколение памяти HBM4E с 48 ГБ на стек и скоростью 16 Гбит/с
Решение ориентировано на будущие платформы NVIDIA для задач искусственного интеллекта.
Samsung анонсировала память HBM4E ёмкостью 48 ГБ с пропускной способностью 4 ТБ/с на стек
На конференции GTC 2026 южнокорейский производитель поделился достижениями в сфере производства высокопроизводительной памяти
AMD подтверждает выпуск ускорителя ИИ поколения Instinct MI500, созданного по 2-нм техпроцессу TSMC
На CES 2026 AMD раскрыла ключевые характеристики ускорителей Instinct MI500. Речь идет о 2-нм техпроцессе TSMC, новой архитектуре CDNA 6 и памяти HBM4E.
Процессоры Intel Jaguar Shores будут использовать память HBM4E
Известный инсайдер раскрыл тип памяти, который будет использоваться будущими процессорами Intel для центров обработки данных
NVIDIA представила суперчип Vera Rubin с двумя графическими процессорами и памятью HBM4
Первые чипы уже тестируются, а массовое производство новинки начнется в следующем году
Micron будет предлагать клиентам адаптированные под их нужды чипы HBM4E
Но уже после 2026 календарного года.
Micron стремится сохранить лидерство и уже разрабатывает HBM4E
Компания Micron представила обновления по своим технологиям HBM4 и HBM4E, запланировав массовое производство на 2026 год. В сотрудничестве с TSMC, Micron стремится занять лидирующие позиции на растущем рынке высокоскоростной памяти.
Micron начнет массовое производство памяти HBM4 в 2026 году
Кроме того, компания начала работу над памятью HBM4E.
Micron меняет правила игры на рынке памяти для графических процессоров
Micron анонсировала HBM4E, которая будет поддерживать кастомизацию базовых кристаллов для повышения производительности в приложениях ИИ и HPC.
HBM4E будет использовать 20-ярусные стеки памяти и появится в 2028 году
SK hynix над этим уже работает.
Память типа HBM4E компания SK hynix стремится представить уже в 2026 году
Новые поколения теперь будут выходить с шагом в один год.
