В новом накопителе используется память V-NAND 9-го поколения от Samsung и недавно разработанный 4-нм контроллер. Samsung заявляет, что модернизация контроллера и интерфейса позволяет PM1763 обеспечить более чем вдвое большую производительность по сравнению с предыдущей серией PM1753.

Модель объемом 16 ТБ достигает скорости последовательного чтения до 28400 МБ/с и скорости последовательной записи до 21900 МБ/с. По данным Samsung, это позволяет передать 40-гигабайтный файл примерно за 1,4 секунды.

Источник: Samsung

В анонсе серийного производства накопителей сообщается об устройствах с емкостью 4 ТБ, 8 ТБ и 16 ТБ. На странице продукта Samsung также упоминаются форм-факторы E1.S, E3.S и U.2 с емкостью от 4 ТБ до 64 ТБ, хотя вариант U.2 ограничен интерфейсом PCIe Gen5. Компания Samsung заявляет, что накопитель способен поддерживать пиковую производительность при высоких нагрузках и обеспечивает более чем в 1,8 раза более высокую энергоэффективность, чем PM1753.

Накопитель также получил функции безопасности для ИИ и виртуализированной инфраструктуры. Samsung указывает на поддержку постквантовой криптографии, SPDM 1.4, CNSA 2.0 и шифрования каналов на основе TDISP. Компания заявляет, что PM1763 прошел проверку на совместимость с платформами ИИ следующего поколения, к которым должны относиться системы на базе NVIDIA Vera Rubin.