v-nand
всего материалов по тегу -
9
Samsung первой в мире начала массовое производство чипов V-NAND 9-го поколения емкостью 1 ТБ
Samsung разработала самый маленький в мире размер ячейки.
Samsung готовит к релизу 290-слойную память V-NAND — ей на смену может прийти 430-слойная
Компании необходимо подтвердить статус лидера на рынке чипов памяти
Samsung готовит память V-NAND 8-го поколения со скоростью 12 Гбит/с и выше
Предположительно V-NAND Samsung 8-го поколения будет использовать 236-слойные чипы
Samsung к 2030 году планирует выпустить и 1000-слойную память V-NAND
Кроме того, несмотря на неблагоприятную ситуацию в отрасли, компания не снижает свои темпы производства и надеется значительно оторваться от конкурентов
Samsung анонсировала новый стандарт памяти GDDR7 со скоростью 36 Гбит/с и DDR5 на 32 Гб
Новый стандарт GDDR7 предлагает на 50% более высокую скорость по сравнению с текущим стандартом GDDR6X от Micron. Пиковая пропускная способность GDDR7 может достигать 1,7 ТБ/с при 384-битной шине. Samsung также планирует выпустить чипы DDR5 емкостью 32 Гб.
Samsung готовит 236-слойную память V-NAND следующего поколения
V-NAND следующего поколения приведет к росту скоростей и емкости модулей памяти и твердотельных накопителей
Samsung готова к выпуску 176-слойной памяти V-NAND
А в перспективе рассчитывает на выпуск памяти с 1000 слоями
Samsung не может остановиться со строительством новых фабрик по выпуску памяти
К китайской стройке добавляется южнокорейская.
Сейчас обсуждают