Американская компания Wolfspeed отчиталась о прогрессе в производстве полупроводниковых материалов. Ее заявление касается карбида кремния (SiC) — материала, критически важного для силовой электроники. Новость опубликовало издание TechPowerUp.

Wolfspeed заявляет, что смогла изготовить монокристаллическую пластину из карбида кремния диаметром 300 мм. Раньше стандартом для SiC были пластины размером 150 или 200 мм. Больший диаметр — это больше чипов за один производственный цикл. Теоретически это ведет к снижению стоимости.

Главный технический директор Wolfspeed Элиф Балкас (Elif Balkas) назвала это результатом многолетней работы над выращиванием кристаллов. Пока речь идет о демонстрации технологии, а не о запуске массового производства готовых чипов.

Аналитик Пошун Чиу (Poshun Chiu) из Yole Group считает этот шаг важной вехой. Он заявил, что технология показывает зрелость карбида кремния как материала и дает рынку дорожную карту для роста объемов.

Wolfspeed видит несколько ключевых областей применения. Первая — инфраструктура для центров обработки данных и систем ИИ, где критична энергоэффективность. Вторая — устройства дополненной и виртуальной реальности, которым важны теплопроводность и оптические свойства материала. Наконец, это традиционная силовая электроника для промышленности и энергосетей.

Главный вопрос теперь — сроки. Компания прокладывает путь, но до массового внедрения 300-мм пластин в коммерческое производство чипов еще далеко.