На рынке памяти DRAM назревает очередное технологическое обновление. SK Hynix, один из ведущих производителей, готовится к масштабному расширению применения EUV в своих чипах, устанавливая новые ориентиры для отрасли.

По данным ZDNet Korea, SK Hynix первой в отрасли планирует применить шесть слоев EUV-литографии в производстве 1c DRAM. Это решение направлено на повышение производительности и качества продукции, в том числе в сегментах DDR5 и HBM.

Технология EUV, использующая длину волны 13,5 нм, дает возможность печатать сложные элементы с меньшим числом этапов формирования. Ранее в производстве DRAM применяли комбинацию EUV и DUV, однако теперь SK Hynix переходит на полный цикл из шести EUV-слоев.

Такой шаг не только улучшит характеристики текущих решений, но и создаст задел для следующего поколения — DRAM 1d и 0a. В этих продуктах компания планирует интегрировать EUV с высокой числовой апертурой (HNA), что еще больше увеличит плотность, скорость и энергоэффективность чипов.

Одноканальная DRAM пока не применяется в массовых потребительских устройствах, но с приходом HBM4 она может стать ключевым стандартом. Для SK Hynix ставка на EUV — это стратегическое решение, которое позволит сохранить лидерство и обеспечить выпуск более емких и быстрых модулей памяти в будущем.