Samsung Electronics объявила о начале серийного производства во второй половине года 16-гигабитной DRAM памяти DDR5 по передовому техпроцессу класса 12-нанометров. Примечательно, что оценка совместимости с продуктами AMD уже была завершена в декабре прошлого года. В Samsung считают, что появление их новой 12-нм памяти «станет ключевым фактором, способствующим широкому внедрению DDR5 DRAM на рынке». В частности, этому должно способствовать 20% увеличение выхода продукции с пластин благодаря высочайшей плотности кристаллов. Планируется широкое внедрение 12-нм памяти Samsung в различные сегменты рынка.
Ожидается, что новая память будет работать на скоростях до 7,2 гигабит в секунду, требуя на 23% меньше энергии, по сравнению с предыдущей памятью DRAM. Этого удалось добиться за счёт применения материалов с высоким коэффициентом диэлектрической проницаемости, запатентованных Samsung технологий проектирования, а также улучшенной многослойной литографии в жёстком ультрафиолете.
