gaafet
всего материалов по тегу -
7
Samsung создала с помощью искусственного интеллекта первый 3-нм мобильный процессор
Создание нового чипа стало возможным благодаря сотрудничеству с Synopsys и её программному обеспечению.
DigiTimes: В следующем году TSMC начнет массовое внедрение 2 нм техпроцесса
GAAFET-транзисторы придут на смену FinFET
Samsung может начать массовое производство 3-нм чипов уже на этой неделе
Об этом стало известно из осведомленных средств массовой информации Южной Кореи
Корейский гигант Samsung начнет массовое производство 3GAE с использованием транзисторов GAAFET
Такое решение повысит производительность и снизит энергопотребление.
Технология CasFET может прийти на смену традиционной FinFET
Работу по разработке такого типа транзисторов ведет коллектив Университета Пердью
Исследователи создали новую конструкцию CasFET для транзисторов следующего поколения
Используются методы, извлеченные из квантовой физики для увеличения срока службы кремниевых транзисторов
Samsung показала чип MBCFET емкостью 256 Гбайт 3 нм на мероприятии ISSCC 2021
Компания Samsung на мероприятии ISSCC 2021 продемонстрировала чип MBCFET емкостью 256 Гбайт 3 нм
