Как известно компания Samsung в Пхёнтхэке построила завод, который будет выпускать продукцию по 3-нм технологическим нормам. Отраслевые инсайдеры ожидают, что корейский гигант объявит о начале массового производства в ближайшие дни, опередив своего главного конкурента TSMC в стремлении производить самые передовые чипы в мире.

 У Samsung большие амбиции в отношении своего полупроводникового направления, и это ключевая часть плана стоимостью 205 миллиардов долларов по завоеванию лидерства в производстве микросхем, робототехники, искусственного интеллекта и биофармацевтики. Не менее половины этих средств пойдет на создание передовых заводов по производству микросхем, а также на исследования и разработку новых технологических норм и транзисторов.

 Тем не менее у корейской компании было много проблем с выходом чипов при переходе на более мелкие технологические процессы, которые затронули некоторых из его крупнейших клиентов, таких как Qualcomm, рассматривающей возможность использования мощностей TSMC для будущих мобильных чипов. Nvidia также станет клиентом TSMC для производства устройств следующего поколения.

 С обновленной компанией Intel во главе с Пэтом Гелсингером конкуренция в производстве полупроводников усиливается. Samsung нужно обойти другие компании в гонке за коммерческое производство 3-нм продукции, иначе она не сможет привлечь крупных клиентов, таких как Nvidia, AMD, Apple и других. TSMC заявляет, что в ближайшие месяцы начнет наращивать объемы производства по 3-нм техпроцессу, поэтому окно возможностей сужается. Samsung знает об этом и изо всех сил пытается угнаться за графиком TSMC. В апреле руководство Samsung сообщило инвесторам, что коммерческое производство начнется через несколько недель, но официальной информации по этому поводу пока нет.

 Сообщения местных СМИ в Южной Корее показывают, что Samsung готовится объявить о начале серийного производства 3-нанометровых чипов уже на этой неделе. Это будет отличным ходом против TSMC, а также означает, что корейская компания станет первой, кто будет использовать полевые транзисторы с затвором (GAAFET).

 Samsung называет свою реализацию 3-нанометровых GAAFET транзисторов многомостовыми полевыми транзисторами, которые потребляют на 50% меньше энергии, занимают на 45% меньше места и могут работать более стабильно при очень низких напряжениях.

 Есть информация, что Samsung уже получила первых клиентов и, будет интересно посмотреть, сможет ли компания избежать повторения своих ошибок при производстве 8-нм и 4-нм продукции.