Платим блогерам
Блоги
GrozaX
Такое решение повысит производительность и снизит энергопотребление.


Корейцы из Samsung объявили, что новый квартал для компании многое значит, ведь за этот период компания желает начать массовое производство чипов с процессом 3GAE. Отмечу, что данное решение станет первым на рынке, технология 3 нм, и узел с использованием транзисторов GAAFET. Компания ищет революционные решения для преодоления глобальных проблем на рынке.

Напомню: Так званая архитектура GAAFET разрабатывается крупной организацией, в ней состоят такие компании, как IBM, Globalfoundries и конечно корейская Samsung, а существование она начала с 2000 года. В задачи организации входит преодоление ограничений по масштабированию МОП. Одной из важных особенностей новой архитектуры стали кольцевые затворы, кстати именно потому такое название и получила технология. Каналы транзисторов - это нанопровода сделанные из пары горизонтальных кремниевых «нанолистов». 

Корейская компания использует несколько измененный вариант технологии, его называют MBCFET, и отличия у нее не только в названии, а и немного технически: корейская технология использует каналы в виде плоских "мостиков", а не как у организации - "проводков". Техпроцесс с названием 3GAE - первое решение и технология корейцев, где начали использовать транзисторы GAA, или же так званый MBCFET. Такое технологическое решение компании позволит улучшить производительность примерно на 30%, а вот энергопотребление наоборот, понизить на половину. Плотность транзисторов повышается до 80%.

Так как новая технология 3GAE довольно ранняя с использованием 3-нм, скорее всего использовать ее будут самые крупные подразделения корейской компании и несколько заказчиков Samsung Foundry, но объемы будут большими, так как основное подразделение LSI и клиенты точно будут заинтересованы в продвижении новой технологии, а если она оправдает себя эффективностью, то успеха ей точно не избежать.

1
Показать комментарии (1)

Популярные новости

Сейчас обсуждают