Обзор скоростной DDR3 SDRAM от Cell Shock и Patriot

7 декабря 2007, пятница 07:35

Введение

Появившаяся на рынке с выходом набора логики Intel P35 новая системная память стандарта DDR3 SDRAM пока что не может похвастать своей популярностью. Даже приобретающие новые системы пользователи пока что отдают предпочтение DDR2 SDRAM, так как эта проверенная временем память стоит значительно дешевле и при этом в большинстве случаев способна обеспечивать не худшее быстродействие. Не помогло продвижению на рынок DDR3 SDRAM и появление нового чипсета для энтузиастов, Intel X38. Производители материнских плат смогли быстро освоить производство продуктов на его основе, обладающих совместимостью со старой DDR2 памятью, и именно к ним в настоящее время покупатели проявляют больший интерес. Однако не заметить медленные, но верно происходящие на рынке изменения всё-таки нельзя. Самые функциональные, дорогие и производительные платформы для геймеров-оверклокеров сегодня потихоньку начинают переходить на применение DDR3 SDRAM. Дело в том, что системы с DDR3 SDRAM, имеющей гораздо более высокий, нежели DDR2 память, частотный потенциал, при разгоне выигрывают в производительности у платформ с памятью прошлого поколения. А, кроме того, такая память, предлагаемая ведущими поставщиками оверклокерских модулей, гарантирует полное отсутствие каких бы то ни было проблем: поддерживаемые ей частоты достаточно велики для работы при любом повышении частоты FSB.

Дополнительный толчок в повышении популярности DDR3 SDRAM должен дать и скорый выход набора логики Intel X48. Этот чипсет, который будет ориентирован на использование совместно с процессорами с 1600-мегагерцовой системной шиной, будет официально поддерживать лишь DDR3 память, причём вплоть до DDR3-1600, которая ещё совсем недавно могла применяться только в оверклокерских платформах.

Таким образом, для развития DDR3 SDRAM начинает складываться вполне благодатная почва. Чем и пользуются производители памяти для энтузиастов, представляющие всё новые и новые DDR3 продукты. Месяц назад мы уже рассматривали модули DDR3-1800 и DDR3-1866, предлагаемые компаниями Corsair, OCZ и Super Talent. Однако на сегодняшний день число производителей, выпускающих аналогичные модели памяти, увеличилось. За прошедший период времени в нашу лабораторию поступили подобные продукты, продаваемые под торговыми марками Cell Shock и Patriot. Хотя в основе этих модулей памяти лежат такие же, как и в других оверклокерских DDR3 продуктах, чипы Micron D9GTR, мы решили уделить внимание и им. Тем более что характеристики вновьприбывших продуктов несколько отличаются от спецификаций уже тестировавшихся комплектов памяти для энтузиастов.

Следует отметить, что разные производители памяти, предлагающие модули, основанные на одних и тех же микросхемах, действительно имеют возможность создания отличающихся продуктов. Это обуславливается как разными технологиями сортировки чипов и использованием различных систем охлаждения, так и собственным дизайном печатных плат, лежащих в основе модулей. Зачастую, эти отличия оказываются вполне достаточными для однозначного ранжирования похожей с точки зрения характеристик DDR3 SDRAM.

Платформа для проверки характеристик памяти

Для проверки практических характеристик тестируемых модулей нами была собрана специальная система. В отличие от нашего прошлого исследования DDR3-1800 SDRAM, на этот раз для тестов мы решили использовать более новую платформу, базирующуюся на наборе логики Intel X38. В основу испытательного стенда легла материнская плата ASUS P5E3 Deluxe, которая, впрочем, как было выяснено впоследствии, при разгоне памяти ведёт себя аналогично ASUS P5K3 Deluxe на Intel P35, использовавшейся в предшествующем тестировании. Иными словами, DDR3 SDRAM на ASUS P5E3 Deluxe и ASUS P5К3 Deluxe разгоняется совершенно одинаково, что позволяет сопоставлять полученные сегодня результаты с данными тестов, сделанными нами ранее.

Целиком тестовая система включала следующие комплектующие:





  • Процессор: Intel Core 2 Duo E6750 (LGA775, 2.66GHz, 1333MHz FSB, 4MB L2, Conroe).
  • Материнская плата: ASUS P5E3 Deluxe (LGA775, Intel X38, DDR3 SDRAM).
  • Графическая карта: OCZ GeForce 8800GTX.
  • Дисковая подсистема: Western Digital WD1500AHFD.
  • Блок питания: SilverStone SST-ST85ZF (850 Вт).
  • Операционная система: Microsoft Windows Vista Ultimate x86.

Разгон памяти выполнялся с использованием делителя FSB:Mem, равного 1:2. Стабильность системы проверялась тестовыми программами S&M 1.9.0 и Prime95 25.5.

Следует заметить что, так как контроллеры памяти существующих DDR3 наборов логики Intel P35 и Intel X38 не поддерживают более низких, чем 1:2 делителей FSB:Mem, тактование памяти на частоте 1800 МГц и выше требует разгона FSB до частот, превышающих 450 МГц. Именно поэтому, для успеха оверклокерских испытаний памяти мы понижали множитель процессора до 7x, одновременно увеличивая его напряжение до 1.4 В, а также повышали до 1.55 В вольтаж на северном мосту набора логики.

Cell Shock CS3222580

Большинство наших читателей с маркой Cell Shock скорее всего ещё не знакомо. Ведь у нас в лаборатории подобная память оказалась впервые. Между тем, Cell Shock – это торговая марка, принадлежащая достаточно известному немецкому дистрибутору электронных компонентов – MSC Vertriebs GmbH. Данный товарный знак используется компанией для своих модулей памяти, которые разрабатываются и производятся в Германии на собственных мощностях с применением оригинальных технологий. Таким образом, Cell Shock – это новая оверклокерская память европейского происхождения.

На тесты нами был получен комплект DDR3 модулей с артикулом CS3222580. За этим буквенно-цифровым сочетанием скрывается пара гигабайтных DDR3-1800 модулей, рассчитанных на работу с таймингами 8-7-6-21 при напряжении 1.7-1.9 В.

Поставляется рассматриваемый комплект в весьма нехарактерной для оверклокерской памяти упаковке. Модули убраны в чёрную картонную коробку с прозрачным «окном», в которой, помимо пары «линеек» DDR3 SDRAM, нашлось место для короткой инструкции и стикера с логотипом Cell Shock для передней панели корпуса.

Внешний вид самих модулей также необычен. Для отвода тепла от чипов памяти производитель использует массивные алюминиевые пластины строгой, но оригинальной формы, анодированные в чёрный цвет. Несмотря на то, что гигабайтные модули DDR3 несут на себе по восемь гигабитных чипов, расположенных с одной стороны печатной платы, Cell Shock экономить на радиаторах не стал. Каждый модуль оснащается парой теплорассевателей, прилегающих как к лицевой стороне чипов, так и оборотной стороне печатной платы. Крепление радиаторов на модуле также весьма своеобразно: оно обеспечивается четырьмя винтами, стягивающими «половинки» системы охлаждения. В качестве термоинтерфейса между чипами и теплорассеивателями используется термопаста белого цвета.





Радиаторы украшены шестью неглубокими продольными канавками, кроме того, на лицевой стороне модуля выдвлен логотип Cell Shock. На оборотной стороне приклеена серебристая наклейка, содержащая сведения об артикуле и номинальных характеристиках комплекта памяти. Штатные спецификации рассматриваемых модулей несколько необычны: DDR3-1800 от Cell Shock обладает весьма нехарактерным сочетанием задержек.

  Cell Shock CS3222580
Объём комплекта памяти 2 модуля по 1 Гбайту
Частота 1800 МГц
Тайминги 8-7-6-21
Напряжение 1.7-1.9 В
Используемые чипы Micron D9GTR (BY-187E)
Система охлаждения Массивные алюминиевые радиаторы с каждой стороны модуля

Заметим, что модули DDR3-1800 от Cell Shock рассчитаны на сравнительно низкое напряжение питания. В то время как большинство аналогичных продуктов от других производителей использует напряжение 1.9-2.0 В, память Cell Shock может работать и при напряжении в 1.7 В, что всего лишь на 13% выше декларируемых спецификаций JEDEC для DDR3 чипов 1.5 В.

Содержимое SPD достаточно стандартно. В нём прописаны тайминги из спецификации, но декларируемая частота занижена до 1600 МГц, что позволяет модулям запускаться при напряжении в 1.5 В, выставляемом большинством плат по умолчанию. При этом профили XMP память от Cell Shock не поддерживает.

Практическое тестирование DDR3-1800 от Cell Shock позволяет сделать вывод о том, что эта память имеет хороший разгонный потенциал, что отчасти обуславливается возможностью повышения напряжения питания относительно заявленных в спецификациях значений. Например, при его увеличении до 2.0 В, используемых большинством DDR3-1800 продуктов других производителей, частота 1800 МГц покоряется рассматриваемым модулям даже с задержками 7-7-7-20, что является очень хорошим результатом. При штатном же напряжении в 1.9 В максимальная частота стабильной работы памяти Cell Shock с такими таймингами ограничивается лишь величиной в 1788 МГц.

Весьма внушительные частоты DDR3-1800 Cell Shock покоряет и при «ослаблении» задержек по схеме 8-8-8-24. На штатном напряжении в 1.9 В память стабильно разгоняется до 1900 МГц, а дальнейшее увеличение напряжения позволяет ещё слегка поднять эту планку.

Приведённый на скриншоте результат получен при напряжении на памяти, установленном в 2.0 В. Установка же напряжения питания памяти в значения выше 2.1 В в нашем случае стала приводить к снижению разгонного потенциала, что, по-видимому, объясняется небезграничной эффективностью применённых теплорасеивателей.





Полный протокол испытаний памяти Cell Shock приводится в таблице ниже, из которой можно почерпнуть сведения о максимальной достигнутой нами частоте памяти при различных таймингах и напряжении.

Cell Shock CS3222580
Тайминги Напряжение Максимальная частота
6-6-6-18 1.9 В 1549 МГц
7-7-7-20 1.9 В 1788 МГц
7-7-7-20 2.0 В 1808 МГц
8-8-8-24 1.9 В 1900 МГц
8-8-8-24 2.0 В 1908 МГц
8-8-8-24 2.1 В 1908 МГц

Что же касается лучших таймингов, при которых память Cell Shock может функционировать на штатной частоте 1800 МГц, то они при напряжении питания 2.0 В составили 7-6-5-18.

Это – весьма производительный режим, который ранее мы смогли получить лишь при использовании элитных модулей Corsair Dominator TWIN3X2048-1800C7DF G. Однако даже память от Corsair проигрывает рассмотренному продукту от Cell Shock в части максимальных частот при таймингах 8-8-8-24. Этот факт даёт нам возможность назвать дебют модулей памяти германского производителя на страницах нашего сайта не просто удачным, а даже выдающимся.

Страницы материала
Страница 1 из 2
Оценитe материал

Комментарии 40 Правила

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают