DDR3-1600 SDRAM: технологический прорыв или маркетинговый пшик?

20 августа 2007, понедельник 00:25

Введение

Проведённое недавно тестирование платформ, основанных на наборе логики Intel P35 и снабжённых DDR3 памятью, показало, что на данном этапе новая память не может обеспечить видимого преимущества в производительности по сравнению с привычной высокочастотной DDR2 SDRAM. Относительно высокие задержки серийных DDR3 модулей приводят к тому, что память, функционирующая на частоте 1333 МГц, проигрывает в скорости широкодоступной DDR2-1066 c таймингами 4-4-4-12 в достаточно большом числе приложений различного характера. Однако такое положение дел не должно стать поводом для поспешных выводов.

То, что самая скоростная DDR3 SDRAM, официально поддерживаемая чипсетами Intel на данный момент, имеет частоту 1333 МГц и тайминги 7-7-7 ещё ни чего не значит для тех производителей модулей, которые привыкли идти впереди отраслевых стандартов. Если вы следите за новостями, то знаете, что ведущие производители оверклокерских модулей памяти уже поставляют на рынок DDR3-1600 SDRAM и готовятся к началу продаж DDR3-1800. Достижение столь высоких частот стало возможно благодаря стараниям компании Micron, начавшей выпуск чипов Z9, продолжающих традиции знаменитых в среде оверклокеров микросхем DDR2 Micron D9, которые после проведения отбора и повышения напряжения питания оказываются способны к работе на частотах, значительно превышающих штатные. Несмотря на то, что номинально микросхемы Micron Z9 представляют собой чипы DDR3-1066, именно их использование позволило поднятие практических частот DDR3 SDRAM на новый уровень. Это даёт сторонникам всего нового отличный повод для надежды на превосходство DDR3 в производительности над DDR2 в реальных приложениях.

Собственно, эта статья и будет посвящена анализу того уровня быстродействия, который можно получить при использовании новейших оверклокерских DDR3-1600 модулей памяти от ведущих производителей. Впрочем, перед тем как перейти непосредственно к результатам тестов важно сделать одно замечание, касающееся сферы применимости DDR3-1600. Дело в том, что модули памяти с такой частотой не могут быть использованы в системах, основанных на Intel P35 ни при какой частоте процессорной шины из штатного набора 800/1066/1333 МГц. Этот набор логики попросту не имеет необходимых делителей для тактования памяти на столь высокой частоте. Поэтому, DDR3-1600 SDRAM в настоящее время представляет интерес исключительно для оверклокеров, разгоняющих процессоры увеличением частоты FSB. К счастью для производителей памяти, таких пользователей существует не так уж мало, благо современные процессоры семейства Core 2 могут похвастать значительным скрытым разгонным потенциалом, не задействовать который кажется просто неразумным.

Таким образом, вполне логичным представляется сравнение новой скоростной DDR3-1600 SDRAM именно с оверклокерскими модулями DDR2 памяти, чем мы и займёмся в рамках данного материала. Но прежде чем перейти к знакомству с результатами тестов, давайте подробнее рассмотрим участников сегодняшнего тестирования.

Конфигурация для проверки характеристик памяти

Для проверки практических характеристик тестируемых моделей, а также их разгонных возможностей, нами была собрана система, включающая следующие комплектующие:

  • Процессор: Intel Core 2 Duo E6850 (LGA775, 3.0GHz, 1333MHz FSB, 4MB L2, Conroe).
  • Материнская плата: ASUS Blitz Extreme (LGA775, Intel P35, DDR3 SDRAM).
  • Графическая карта: OCZ GeForce 8800GTX.
  • Дисковая подсистема: Western Digital WD1500AHFD.
  • Блок питания: SilverStone SST-ST85ZF (850 Вт).
  • Операционная система: Microsoft Windows Vista Ultimate x86.
Разгон памяти выполнялся с использованием делителей FSB:Mem, равных 1:1 и 5:6. Стабильность системы проверялась тестовыми программами Memtest86, S&M и SP2004/ORTHOS.

Новые оверклокерские модули памяти

Super Talent W1600UX2G7





Поскольку компания Super Talent стала первым производителем оверклокерской памяти, задействовавшим чипы Micron для выпуска скоростной DDR3 SDRAM, начнём знакомство с DDR3-1600 памятью мы именно с её продукта.

Комплект Super Talent W1600UX2G7 состоит из двух модулей DDR3-1600 (PC3-12800) ёмкостью по 1 Гбайту каждый. Набор поставляется в стандартной пластиковой упаковке, помимо модулей включающей лишь картонный вкладыш с общими словами о преимуществах DDR3 памяти от Super Talent.

Сами модули выглядят несколько непривычно, чипы на них располагаются лишь с одной стороны. Впрочем, это неудивительно, так как они основаны на микросхемах ёмкостью 1 Гбит. Соответственно, чёрный алюминиевый радиатор, обеспечивающий отвод тепла от чипов, наклеен на модулях лишь с одной стороны, на другой же можно видеть голую поверхность PCB и наклейку с маркировкой. Этот стикер содержит информацию об артикуле продукта, объёме модулей, штатной частоте, таймингах и производителе чипов.

Super Talent гарантирует работоспособность комплекта W1600UX2G7 на частоте 1600 МГц при таймингах 7-7-7-18 и напряжении 1.8 В. Иными словами, для достижения заявленной частоты производитель предлагает использовать напряжение, превышающее штатное на 20%. Полная спецификация рассматриваемого продукта выгладит следующим образом:

  Super Talent W1600UX2G7
Объём комплекта памяти 2 модуля по 1 Гбайту
Частота 1600 МГц
Тайминги 7-7-7-18
Напряжение 1.8 В
Используемые чипы Micron Z9
Система охлаждения Литой алюминиевый радиатор
с одной стороны модулей

По заверениям производителя, модули предварительно тестируются на работоспособность при заявленных параметрах на материнской плате ASUS P5K3 Deluxe.

Содержимое SPD модулей выглядит следующим образом.





Как видим, для достижения совместимости Super Talent указывает в SPD штатные характеристики чипов, при которых они должны функционировать с обычным напряжением в 1.5 В.

Что же касается реальных возможностей модулей памяти Super Talent W1600UX2G7, то, как показала практическая проверка, они лишь немного лучше заявленных в спецификации. Максимальные частоты, с которыми указанная память способна стабильно функционировать при различных задержках на своём штатном напряжении в 1.8 В, показаны на графике.

Как видим, при таймингах 7-7-7-18 модули оказались способны на стабильную работу лишь на частоте 1632 МГц, а при ухудшении задержек до 9-9-9-24 частота поднялась только до 1652 МГц. Зато при штатной частоте в 1600 МГц модули могут стабильно функционировать не только с таймингами 7-7-7-18, но и при «улучшенных» до 7-6-6-18 задержках.

Увеличение напряжения питания влияет на разгон Super Talent W1600UX2G7 достаточно сильно. При установке их вольтажа в 2.1 В максимальная частота, при которой модули смогли стабильно работать с таймингами 9-9-9-24, составила 1760 МГц, а при задержках 7-7-7-18 – 1672 МГц.

Впрочем, полученные результаты всё равно вызывают разочарование. Дело в том, что первые попавшие в руки оверклокеров экземпляры Super Talent W1600UX2G7 могли разгоняться до 2 ГГц, о чём имеется масса свидетельств. Однако полученные нами модули были выпущены уже после того, как Super Talent начала производство DDR3-1800 SDRAM, а значит, все самые скоростные чипы теперь уходят на выпуск этой памяти. Поэтому, надеяться на феноменальные результаты разгона DDR3-1600 памяти от Super Talent больше не приходится, что и подтверждают результаты наших опытов.

OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel Enhanced Bandwidth Edition

Не осталась в стороне от выпуска DDR3-1600 SDRAM и компания OCZ, которую смело можно отнести к числу ведущих поставщиков памяти для оверклокеров. Поэтому совершенно неудивительно, что в ассортименте у OCZ имеется несколько вариантов DDR3 памяти, основанной на чипах Micron. Нам же на тесты достались одни из самых продвинутых модулей OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition.

Этот комплект, состоящий из пары гигабайтных модулей рассчитан на работу при частоте 1600 МГц с более агрессивными, чем Super Talent W1600UX2G7 таймингами 7-6-6-20. Правда, и штатное напряжение у модулей от OCZ повыше – оно декларируется на уровне 1.9 В.

Поставка OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition стандартна – комплект модулей запечатан в стандартную пластиковую упаковку.





Принципиальное отличие OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition от рассмотренной выше памяти Super Talent обнаруживается сразу: компания OCZ не стала экономить на радиаторах и снабдила ими каждый модуль с двух сторон. Несмотря на это чипы на «линейках» DDR3-1600 от OCZ расположены лишь с одной стороны PCB. Сами радиаторы также представляют определённый интерес, ибо это фирменные медные сетчатые пластины, выполненные по технологии XTC (Xtreme Thermal Convection), славящиеся своей неплохой эффективностью. Теплорассеиватели имеют напыление платинового цвета, кроме того на них нанесён стилизованный логотип Z3.

На одной из сторон каждого модуля прикреплена наклейка с артикулом продукта, его частотой, объёмом каждого модуля и штатными таймингами. Забавно, что сведения, имеющиеся на стикере полученного нами комплекта, слегка расходятся со спецификацией OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition, имеющейся на официальном сайте.

Придерживаясь версии сайта, приведём полные характеристики рассматриваемого комплекта памяти:

  OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition
Объём комплекта памяти 2 модуля по 1 Гбайту
Частота 1600 МГц
Тайминги 7-6-6-20
Напряжение 1.9 В
Используемые чипы Micron Z9
Система охлаждения Медные сетчатые радиаторы XTC с каждой стороны модуля

Заметим, что OCZ отдельно обещает безопасность использования модулей и при более высоком напряжении 1.95 В, которое превышает номинальное напряжение для используемых чипов на 30%.

Следует заметить, что OCZ отдельно подчеркивает оптимизацию своих модулей DDR3-1600 SDRAM для материнских плат ASUS, на которых они и проходят предпродажное тестирование.

Содержимое SPD у OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition достаточно стандартно, здесь всё ориентируется на совместимость и работоспособность плашек в любой материнской плате без повышения напряжения питания.





Практическое исследование рассматриваемых модулей на максимальные частоты при различных таймингах даёт следующие результаты.

Частоты на диаграмме получены при определённом спецификацией напряжении 1.9 В. И, надо заметить, OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition показывает лучшие результаты, нежели Super Talent W1600UX2G7 при любых таймингах. Так, при задержках 7-7-7-18 она демонстрирует свою способность к стабильному функционированию на частотах до 1704 МГц, а послабление задержек до 8-8-8-21 даёт возможность достижения частоты 1808 МГц. При штатной же частоте 1600 МГц, как показывают проведённые тесты, OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition может работать не только с таймингами 7-6-6-20, но и с более агрессивными задержками 7-6-5-18.

Увеличение напряжение улучшает разгоняемость OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition – это характерная особенность чипов Micron. Так, при напряжении питания 2.1 В память оказывается стабильна при частоте 1752 МГц с таймингами 7-7-7-18.

Таким образом, в целом OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition показывает более высокие результаты, нежели Super Talent W1600UX2G7. Впрочем, сказывается это и на стоимости. Разница в стоимости этих комплектов модулей с похожими характеристиками достигает порядка 15%, которые, учитывая достаточно высокие текущие цены на DDR3 SDRAM, выливаются в весьма солидную сумму.

Kingston KHX11000D3ULK2/2G

Нашлось в нашем тестировании место и модулям памяти от Kingston. Хотя полученные нашей лабораторией модули Kingston KHX11000D3ULK2/2G и ориентированы на работу лишь при частоте 1375 МГц, не включить их в настоящий материал мы не могли. Дело в том, что Kingston избрал другой путь повышения производительности DDR3 SDRAM, заключающийся не в увеличении её частоты, а в снижении латентности. Так, рассматриваемый комплект способен работать про CAS Latency, равной 5, что даёт нам полное право отнести его к числу скоростных и оверклокерских.

Таким образом, комплект модулей Kingston KHX11000D3ULK2/2G представляет собой пару гигабайтных модулей DDR3 SDRAM со штатной частотой 1375 МГц и таймингами 5-7-5-15. При этом штатное напряжение этой памяти установлено в 1.75 В.

Столь разительное отличие характеристик Kingston KHX11000D3ULK2/2G объясняется использованием в их основе других чипов, производителем которых выступает компания Elpida. В отличие от гигабитных микросхем Micron эти чипы имеют ёмкость 512 Мбит, из-за чего рассматриваемые «плашки» - двухсторонние. Соответственно, штампованные алюминиевые теплорассеиватели на памяти от Kingston установлены с обеих сторон модулей. Они имеют стандартную конфигурацию, но ярко-синюю окраску, удачно оттеняемую нанесёнными бело-красными логотипами.

На стикерах, наклеенных на радиаторах содержатся сведения об общем артикуле комплекта и штатном напряжении модулей. Более подробные сведения имеются на упаковке пары: там кроме артикула есть данные о суммарной ёмкости продукта, его штатной частоте и латентности.

Полный список характеристик Kingston KHX11000D3ULK2/2G выглядит следующим образом:

  Kingston KHX11000D3ULK2/2G
Объём комплекта памяти 2 модуля по 1 Гбайту
Частота 1375 МГц
Тайминги 5-7-5-15
Напряжение 1.9 В
Используемые чипы Elpida
Система охлаждения Штампованные алюминиевые
пластины-теплорассеиватели

Важным плюсом модулей памяти Kingston KHX11000D3ULK2/2G перед другими оверклокерскими комплектами является его применимость при штатной частоте процессорной шины 1333 МГц. Материнские платы для энтузиастов, основанные на наборе логики Intel P35, имеют возможность тактовать системную память на частоте 1333 МГц, не требуя разгона FSB. Среди же представленных на рынке DDR3-1333 модулей памяти комплект Kingston KHX11000D3ULK2/2G предлагает наилучшее сочетание таймингов.

Содержимое SPD у Kingston KHX11000D3ULK2/2G стандартно, в неё заявленные в спецификации характеристики не занесены, оно ориентировано на возможность простого запуска памяти в «режиме совместимости».

Обратите внимание, модули Kingston KHX11000D3ULK2/2G снабжены встроенным термодатчиком. Это – одно из новых, но пока опциональных свойств DDR3 памяти.

Практическое изучение разгонных возможностей памяти от Kingston даёт весьма любопытную картину. На графике ниже приводятся максимальные частоты, при которых Kingston KHX11000D3ULK2/2G сохраняет способность к стабильному функционированию при своём штатном напряжении 1.75 В.

Хотя при тестовых наборах таймингов модули Kingston KHX11000D3ULK2/2G показывают всегда худшие результаты, чем продукты на базе чипов Micron, они действительно работают с частотой 1375 МГц при таймингах 5-7-5-15 – режиме, недоступном ни для OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition, ни для Super Talent W1600UX2G7.

На повышение напряжения питания модули Kingston на чипах Elpida реагируют слабо: при увеличении вольтажа до 2.1 В максимальную частоту удалось нарастить лишь до 1486 МГц. Таким образом, Kingston KHX11000D3ULK2/2G интересна только своими низкими таймингами при частотах, близких к 1333 МГц.

Как мы тестировали

После подробного знакомства с новыми оверклокерскими комплектами памяти DDR3-1333 и DDR3-1600 само время обратить внимание на их практическую производительность в реальных системах. Смогут ли описанные выше продукты обеспечить более высокий уровень быстродействия, нежели модули DDR2 SDRAM, – это основной вопрос, стоящий на повестке дня.

Как уже было указано выше, тестирование DDR3-1600 возможно только в разогнанных системах на базе набора логики Intel P35 Express (на данный момент он единственный поддерживает DDR3 SDRAM), работающих с увеличенной частотой FSB. Для наших тестов мы решили избрать частоту FSB, равную 400 МГц. Такая конфигурация при задействовании различных делителей позволяет выставлять частоту памяти в 1000, 1200, 1333 и 1600 МГц, что вполне нас устраивает для очередного сравнения DDR3 и DDR2 памяти. Соответственно, тестовый процессор был разогнан до 3.6 ГГц, получаемых как 9 x 400 МГц. Тестирование DDR3 SDRAM происходило в описанной выше системе, основанной на материнской плате ASUS Blitz Extreme, производительность же DDR2 SDRAM измерялась в аналогичной системе, построенной на материнской плате ASUS P5K Deluxe. Со скоростью DDR3-1600 и DDR3-1333 сопоставлялась производительность оверклокерской DDR2-1000 SDRAM, работающей при задержках 4-4-4-12, и DDR2-1200 SDRAM, функционирующей с таймингами 5-5-5-15.

Полный перечень протестированных модулей памяти приведён в таблице, в ней же мы даём ссылки на скриншоты диагностических утилит, показывающих установки всех таймингов, включая второстепенные. Отметим, что при тестировании мы специально не настраивали второстепенные параметры, оставляя все их в значении Auto.

Режим работы
памяти
Тайминги Используемые
модули
Подробности
DDR2-1000 4-4-4-12 OCZ DDR2 PC2-8000
Platinum Extreme
Edition Dual
Channel
Скриншот
DDR2-1200 5-5-5-15 OCZ DDR2 PC2-9600
FlexXLC Edition
Скриншот
DDR3-1333 7-7-7-15 Kingston
KHX11000D3LLK2/2G
Скриншот
DDR3-1333 5-7-5-18 Kingston
KHX11000D3ULK2/2G
Скриншот
DDR3-1600 7-7-7-18 Super Talent
W1600UX2G7
Скриншот
DDR3-1600 7-6-6-18 OCZ PC3-12800
Platinum Dual
Channel EB Edition
Скриншот

Что же касается остальных комплектующих, которые были использованы в процессе тестов, то их список приведён ниже:

  • Процессор: Intel Core 2 Duo E6850, разогнанный до 3.6 ГГц (9 x 400 МГц).
  • Материнские платы:
    • ASUS P5K Deluxe (LGA775, Intel P35, DDR2 SDRAM);
    • ASUS Blitz Extreme (LGA775, Intel P35, DDR3 SDRAM).
  • Графическая карта: OCZ GeForce 8800GTX.
  • Дисковая подсистема: Western Digital WD1500AHFD.
  • Блок питания: SilverStone SST-ST85ZF (850 Вт).
  • Операционная система: Microsoft Windows Vista Ultimate x86.

Производительность: DDR3-1600 против DDR2

Синтетические тесты подсистемы памяти

В первую очередь давайте посмотрим на то, какие значения практической пропускной способности и латентности способна продемонстрировать DDR3 SDRAM. Для измерений мы воспользовались утилитой Everest Ultimate Edition 4.00.

При измерении скорости чтения из памяти максимальную пропускную способность демонстрирует DDR2-1200. Даже DDR3-1600, теоретическая скорость которой выше на треть оказывается не способна обойти оверклокерскую память предыдущего поколения. Очевидно, виной всему высокие задержки, присущие DDR3 SDRAM. Впрочем, DDR2-1000 с самыми агрессивными таймингами 4-4-4-12 при чтении из памяти показывает скорость ниже, и чем DDR3-1600, и чем DDR3-1333 с таймингами 5-7-5-15.

Скорость записи в память ограничивается практической пропускной способностью процессорной шины, поэтому результаты второго теста в Everest дать нам новую пищу для размышлений не могут.

При копировании данных в памяти первую скрипку играет латентность. Поэтому самый высокий результат в этом тесте у DDR2-1200 с таймингами 5-5-5-15, а на втором месте – DDR3-1333 с задержками 5-7-5-15 и DDR2-1000 с таймингами 4-4-4-12. Модули же DDR3 памяти с CAS Latency, равной 7 в этом тесте демонстрируют гораздо худший результат.

Практически измеренная латентность выявляет однозначное преимущество скоростной DDR2 памяти над DDR3 SDRAM, даже оверклокерского предназначения. Иными словами, сегодняшнее сравнение DDR2 и DDR3 SDRAM вновь превращается в тестирование в стиле «Пропускная способность против латентности».

Давайте обратимся к комплексным бенчмаркам и к тестам в реальных приложениях.

SuperPi, PCMark05, 3DMark06

Самый высокий результат в вычислительном тесте SuperPi показывает DDR2-1200 SDRAM. Однако ноздря в ноздрю с ней выступает и DDR3-1600 с таймингами 7-6-6-18, что позволяет надеяться на то, что для лидерства новой DDR3 памяти осталось лишь ещё немного нарастить частоту или снизить тайминги.

Примерно то же самое можно сказать и о результатах тестирования с использованием PCMark05. Кстати, обратите внимание на то, что DDR2-1000, несмотря на свою относительно невысокую по современным меркам частоту, даёт возможность системам, её использующим, щеголять неплохим быстродействием. Что ещё раз подтверждает тот факт, что списывать со счетов DDR2 явно преждевременно.

Скорость в 3DMark06 зависит от параметров подсистемы памяти достаточно слабо. Тем не менее, тенденции, подмеченные выше, проецируются и на результаты этого бенчмарка.

3D-игры

А вот игровые тесты дают возможность понаблюдать и другое положение дел. Во всех используемых нами играх DDR3-1600 SDRAM с таймингами 7-6-6-18 (это – штатный режим для OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition) позволяет получить слегка более высокий уровень fps, нежели при использовании DDR2-1200. Впрочем, любые другие варианты DDR3 SDRAM из участвующих в данном тесте скоростной DDR2 проигрывают.

Отметим также, что DDR3-1333 с таймингами 5-7-5-15, к сожалению, не может составить конкуренцию DDR3-1600 SDRAM, обладающей более высокой пропускной способностью. Эта тенденция прослеживается во всех тестах, включая и игры. Иными словами, для оверклокеров памяти на чипах Micron оказывается несомненно более полезной, чем память с чипами Elpida.

Кодирование видео

При измерении скорости кодирования DDR3-1600 с наиболее агрессивными таймингами снова способна порадовать сторонников новых технологий. Впрочем, речь может идти только о сохранении паритета с наиболее скоростной участвующей в тестировании DDR2 SDRAM.

Офисные приложения

Во время архивации первые места по производительности занимает DDR2 память, зато при выполнении вычислений в Excel ситуация обратная. В этом приложении наивысшую скорость показывают платформы, оснащённые DDR3-1600 SDRAM.

Финальный рендеринг

Финальный рендеринг относится к классу задач, производительность в которых зависит от скорости подсистемы памяти весьма незначительно. Ещё раз доказывает этот факт приведённый график.

Выводы

Несмотря на произошедший прогресс, всё сказанное в нашем предыдущем материале о DDR3 памяти остаётся в силе. Впечатление, которое произвела на нас новая оверклокерская DDR3 память, к сожалению, хорошим назвать нельзя. Оно неоднозначно. Дело в том, что, согласно полученным результатам тестов, ни DDR3-1333 с экстремально низкими задержками, ни DDR3-1600 не смогли обеспечить однозначно лучшее быстродействие, чем проверенная временем DDR2 память. Хотя в некоторых задачах, например в играх, при кодировании видео контента и в Excel новая DDR3 SDRAM и показывает более высокую производительность, есть большое количество задач, где картина обратная.

Иными словами, производители DDR3 SDRAM движутся в правильном направлении. Ещё немного – и мы сможем сказать, что новая память достигла лучшего быстродействия, нежели оверклокерская память прошлого поколения. Но а пока в число однозначных плюсов новой технологии можно включить лишь более низкое энергопотребление и возможность создания модулей увеличенного объёма.

Впрочем, предел недавно появившихся чипов DDR3 от Micron пока исследован нами не полностью. Мы убедились в том, что память, основанная на этих микросхемах, прекрасно может работать на частоте 1600 МГц, однако в ближайшее время мы сможем познакомиться и с аналогичными DDR3-1800 модулями.

Компания Micron дала прекрасное поле для деятельности компаний, занимающихся разработкой и производством разогнанных модулей. Применяемые ранее в оверклокерских продуктах DDR3 чипы от Elpida столь высоким частотным потенциалом похвастать не могут, а DDR3-1333 память с пониженными таймингами на их основе всё-таки проигрывает даже DDR3-1600, не говоря о более скоростных продуктах.

При этом следует понимать, что рассмотренные в этой статье модули DDR3-1600 OCZ PC3-12800 Platinum Dual Channel EB Edition и Super Talent W1600UX2G7 – это нишевые продукты с исчезающе узкой сферой применимости. Они могут использоваться лишь в разогнанных системах, а привносимые ими преимущества весьма эфемерны. Одновременно с этим стоимость этих комплектов памяти не испугает лишь энтузиастов с исключительно крепкой психикой, особенно если принять во внимание тот факт, что этими же производителями предлагаются и более скоростные продукты. Аналогичный вердикт можно вынести и в адрес DDR3-1333 модулей Kingston KHX11000D3ULK2/2G, которые к тому же практически всегда уступают в производительности качественной DDR2 SDRAM.

Страницы материала
Страница 1 из 0
Оценитe материал

Комментарии 118 Правила

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают