Вашему вниманию сегодня будет представлено подробное описание и тестирование шести пар модулей памяти DDR SDRAM с объемом модуля по 1 Gb и номинальной частотой работы 400 MHz, относящихся к недорогому, так называемому бюджетному, классу.

23 августа 2005, вторник 00:46

Jordan для раздела Лаборатория

Введение
Конфигурация тестового стенда и методика тестирования
Результаты тестов и их анализ
Заключение

Введение

Требования к объему оперативной памяти растут с выходом каждого нового игрового хита. Far Cry и DOOM 3 убедили нас, что 512 Mb уже совершенно недостаточно и для комфортной игры желательно иметь объем в 1 Gb. Не слишком удачный в плане ресурсоемкости движок Xenus: Boiling Point поднял эту планку до полутора гигабайт. Еще более увеличил необходимость в наличии более 1 Gb памяти недавно вышедший Battlefield 2, и вполне можно ожидать, что в недалеком будущем потребность в наличии 2 Gb оперативной памяти станет насущной для широких масс. Подобные вопросы, кстати, постоянно возникают в соответствующем разделе конференции. Кроме того, для профессионалов-дизайнеров и специалистов, работающих с графикой и изображениями, много памяти не бывает в принципе, поэтому уж кто-кто, а они знают, насколько важно иметь два, а то и четыре гигабайта RAM. Другой вопрос – сколько из них оверклокеров, но этот аспект выходит за рамки данного материала.

Вашему вниманию сегодня будет представлено подробное описание и тестирование шести пар модулей памяти DDR SDRAM с объемом модуля по 1 Gb и номинальной частотой работы 400 MHz (стандарт JEDEC PC3200), относящихся к недорогому, так называемому бюджетному, классу. Все рассматриваемые сегодня модули оперативной памяти имеют двустороннее расположение 2 x 8 чипов объемом по 64 Mb каждый, 184-контактный разъем, номинальное напряжение работы в диапазоне 2.5–2.65 V и не поддерживают коррекцию ошибок (non ECC). Корпусировка всех чипов памяти рассматриваемых модулей – TSOP (Thin Small Outline Package). За исключением одного производителя, на все модули распространяется пожизненная гарантия (что при отсутствии официальных представительств в России не имеет никакого значения).

Бытует мнение, что чем больше объем модуля оперативной памяти, тем меньше шансов на удачный разгон (данная тема также затронута в конференции). Сложно сказать, насколько это справедливо для дорогих оверклокерских комплектов, но по отношению к рассматриваемой сегодня памяти высказанное мнение вполне оправдано. Но не будем забегать вперед и для начала познакомимся с участниками сегодняшних тестов.

Итак, в тестировании принимают участие следующие шесть пар модулей:

Hynix HY5DU12822BTP-D43;
Kingston KVR400X64C3A/1G;
PQI PQ4D648S5;
Patriot PSD1G400;
Transcend TS128MLD64V4J;
GEIL GE1GB3200BSC.

Конечно же, на российском рынке присутствуют и другие производители бюджетной оперативной памяти объемом 1 Gb. В их числе Corsair, NCP, Infineon, Kingmax, Samsung, Mtek, Digma, OCZ и другие, но получить на тесты удалось только вышеперечисленные комплекты.

Очередность рассмотрения модулей памяти в указанном списке обусловлена только случайной последовательностью проведения тестов, поэтому именно в таком порядке и начнем знакомство с участниками сегодняшнего тестирования.

1. Hynix HY5DU12822BTP-D43 – "лучший среди равных"

Единственная память в обзоре, представленная на тестировании не двумя, а четырьмя модулями. Память производства Hynix поставляется в OEM-упаковке, то есть в одном только антистатическом пакете.

На гарантийном стикере указаны маркировка модуля, объем и тип памяти, CAS Latency, неделя выпуска модулей (22/2005) и страна производства. Модули памяти Hynix произведены в Корее, и хотя маркировка чипов очень плохо видна, прочитать ее все же удалось:

Информационно-тестовая утилита Everest, к сожалению, по SPD модулей не определила, является ли их производителем Hynix:

Тем не менее, результаты тестов показали, что, даже несмотря на объем каждого модуля в 1 Gb, это настоящий D43. Тайминги на номинальной для PC3200 частоте работы в 200 (400) MHz равны 3-3-3-8. Дефолтовое напряжение работы модулей – 2.6 V. Примечательным является тот факт, что номинал по SPD составляет 2.5 V, а на официальной странице памяти этой маркировки и объема указано как раз 2.6 V. В то же время для памяти Hynix HY5DU12822BTP-D43 объемом 128, 256 и 512 Mb используется напряжение в 2.5 V. Впрочем, учитывая методику проведения тестирования, это не столь важно. Кроме того, как будет видно далее, все рассматриваемые сегодня модули памяти имеют номинальное напряжение в 2.6 V.

Скачать очень подробный даташит модулей Hynix HY5DU12822BTP-D43 вы можете с официального сайта (формат PDF, 604 Kb). Дополню картину ссылкой на обсуждение этой памяти в форуме Overclockers.ru.

2. Kingston KVR400X64C3A/1G – "самый удачный близнец"

Оба модуля оперативной памяти производства Kingston, даже несмотря на отнесение их производителем к бюджетному классу " Value RAM ", поставляются в строгого вида пластиковом боксе с прозрачной верхней крышкой:

По центру упаковку опоясывает стикер, несущий информацию об объеме модуля, его маркировке, CAS Latency и стране производства, которой является "поднебесная", то бишь Китай. Извлечь память из коробки можно только разорвав или разрезав эту ленту (пожизненная гарантия при этом, конечно же, сохраняется). Модуль памяти закреплен в основании бокса надежно, поэтому риск повредить память при транспортировке минимален. На дне коробки находится аккуратно сложенная инструкция по эксплуатации с указанием гарантийных обязательств и адресов официальных представительств.

Модули памяти выглядят так:

Чипы памяти в количестве 16 штук объемом по 64 Mb каждый расположены с двух сторон печатной платы. На одной из сторон наклеен гарантийный стикер, несущий информацию о маркировке модулей – KVR400X64C3A/1G, рабочем напряжении – 2.6 V и об уже упомянутой мною ранее стране производства. Также указаны различные серийные номера. Сведения о каких-либо таймингах работы оперативной памяти на стикере отсутствуют.

В рассматриваемых сегодня модулях памяти Kingston использовал микросхемы производства Infineon ревизии B, маркированные как HYB25D512800BE-5 и выпущенные на 20-й неделе 2005 года, с номинальным временем доступа 5 нс. Обращаю внимание, что неделя выпуска на всех чипах одинакова (специально отмечаю этот факт, так как нередко попадаются модули, укомплектованные чипами одной маркировки, но разных недель выпуска):

В SPD модулей запрограммирована следующая информация:

Что интересно, дата выпуска самих модулей – 26-я неделя текущего года: это значит, что модуль выпущен в середине июля, то есть совсем недавно. Как и рассмотренная выше память производства Hynix, Kingston на частоте в 200 (400) MHz выставляет тайминги 3-3-3-8, а не типично высокие для памяти данного уровня 3-4-4-8. Кроме того, в SPD присутствует информация о работоспособности памяти на частоте в 133 (266) MHz с таймингами 2-2-2-6, опять же, как и у модулей Hynix. Даташит памяти Kingston KVR400X64C3A/1G вы можете скачать отсюда (формат PDF, 95 Kb), а принять участие в обсуждении памяти Kingston Value RAM DDR400 на чипах Infineon можно в соответствующей ветке конференции.

Познакомимся со следующим участником сегодняшних тестов.

3. PQI PQ4D648S5 – "крепкий середнячок"

Продукция компании PQI не получила должного распространения на российском рынке оперативной памяти. Тем не менее, в ассортименте выпускаемой компанией памяти присутствуют как дорогие оверклокерские модули с теплораспределителями с платиновым напылением, так и доступные массовому пользователю недорогие комплекты объемом от 128 Mb до 2 Gb. Есть в числе выпускаемых PQI модулей и DDR2 память, а также модули памяти для ноутбуков. Но рассмотрим сегодняшнего участника тестов.

Как и у Hynix, упаковка представлена только антистатическим пакетом. Вынув из него модули, можно их пристально рассмотреть:

Из особенностей модуля можно отметить несколько "бедную" оборотную сторону, на которой присутствует минимум дополнительных микроэлементов. Маленький стикер, умещающийся на одном из чипов памяти, расскажет пользователю только об объеме модуля, его маркировке и принадлежности данной памяти к классу DDR400, а также предупредит о потере гарантии при удалении данной наклейки.

Чипы памяти PQI собственного производства выпущены на 24-й неделе текущего года:

Посмотрим на информацию, предоставленную SPD модуля:

Достаточно необычное сочетание таймингов на частоте в 200 (400) MHz – 2.5-4-4-8. CAS Latency, равная 2.5, редко встречается у бюджетных модулей меньшей емкости, а тут 1 Gb! Причем на частоте в 166 MHz, по информации в SPD модуля, память способна работать с таймингами 2-3-3-7, что также является исключением в контексте данного обзора. Номинальное напряжение работы модулей оперативной памяти 2.6 V. Страну производства по модулям установить не удалось.

Даташит памяти PQI PQ4D648S5 не найден, но на официальной странице можно изучить ассортимент выпускаемой компанией оперативной памяти. Память PQI в нашем форуме не так популярна, поэтому соответствующее обсуждение отсутствует.

4. Patriot PSD1G400 – "просто оперативная память"

Память этой компании уже не раз тестировалась на нашем сайте, заслужив при этом в целом только положительные отзывы. Сегодняшняя пара модулей, как и вся память, тестируемая в статье, относится к недорогой бюджетной линейке, именуемой Patriot как " Signature Line . "Is the perfect mix of Quality and Value in memory modules today" ("прекрасное сочетание качества и доступности") – вот что заявляет производитель о своем продукте. Каждый модуль поставляется в прозрачной пластиковой коробке с картонным вкладышем:

На вкладке, помимо наименования линейки и фотографий модулей, приведены: информация об объеме модуля, стандарте – PC3200, адрес официального сайта, а также три постулата компании: "Innovations, Quality, Perfomance" (инновации, качество и производительность).

Окинем взглядом модули памяти Patriot:

На довольно большом стикере с фирменным лейблом кроме штрих-кода есть информация о маркировке модуля, его объеме и CAS Latency. Сохранение наклейки является обязательным условием предоставления пожизненной гарантии.

Patriot PSD1G400 выполнена на таких же чипах, как и память производства Kingston – Infineon HYB25D512800BE-5:

Только дата их выпуска отличается – 14-я неделя 2005 года, то есть на шесть недель раньше, чем у Kingston.

Информация из SPD модуля выглядит следующим образом:

Все параметры, за исключением производителя памяти, серийного номера и даты выпуска, полностью идентичны памяти Kingston KVR400X64C3A/1G. Очевидно, что рассмотренная память от Kingston и Patriot отличаются только печатной платой – тем интереснее, на мой взгляд, будет сравнить эти модули. Даташит памяти Patriot PSD1G400 вы можете найти здесь (формат PDF, 299 Kb). Добавлю, что эти модули поставляются также в двухканальных комплектах, в таком случае к маркировке добавляется буква "K" (PSD1G400K). К сожалению, в форуме в большей степени обсуждаются оверклокерские модули производства Patriot, поэтому ссылки на обсуждение рассмотренной памяти нет.

5. Transcend TS128MLD64V4J – "гости из будущего"

Взяв в руки коробку с одним модулем памяти производства японской компании Transcend, сначала не совсем понимаешь что, собственно, ты держишь в руках. Размеры бокса сравнимы с размерами упаковки процессорного кулера, но никак не одного модуля оперативной памяти. Смотрите сами:

Лицевая сторона упаковки "специалиста по памяти" украшена коллажем из изображений различных типов памяти, выпускаемых компанией Transcend, наклейкой со штрих-кодом, а также с информацией о маркировке модуля, его объеме, организации и основных таймингах. В коробке находится специальная тонкая пластиковая вставка с мягкими углублениями, предназначенная для фиксации модуля при транспортировке и уменьшающая риск его повреждения.

Внутри, в запечатанном антистатическом пакете, находится один модуль объемом 1 Gb Transcend TS128MLD64V4J:

На текстолите печатной платы белой краской нанесено имя производителя и страна производства – Тайвань. Кроме бумажной наклейки (на которой присутствует информация об объеме модуля, таймингах и серийный номер) на одном из чипов есть голографическая наклейка, в какой-то степени защищающая модули от подделок.

Теперь непосредственно о чипах:

Так и хочется сказать: "Ба! Знакомые все лица!". Уже третий комплект модулей сегодняшнего обзора, укомплектованный чипами Infineon HYB25D512800BE-5 ревизии B. Неделя выпуска чипов – 24/2005.

А вот информация из SPD модуля несколько отличается от той, что прошита в SPD Kingston и Patriot:

Отсутствует информация о таймингах работы памяти на частоте в 133 (266) MHz. Кроме того, невольно вызывает улыбку дата выпуска – 5-я неделя 2025 года... Так что, купив Transcend TS128MLD64V4J, вы легко можете заглянуть в будущее оперативной памяти лет эдак на 20 вперед ;).

Даташит памяти Transcend TS128MLD64V4J вы можете скачать отсюда (формат PDF, 306 Kb). Обсуждение данной памяти в форуме не обнаружено.

6. GEIL GE1GB3200BSC – "номинация "За лучший стиль"

Рассматриваемые сегодня модули от Golden Emperor International Ltd. (GeIL) – признанного бренда оперативной памяти – сегодня без труда могут выиграть номинацию "лучшая упаковка". Каждый модуль объемом 1 GB упакован в отдельную небольшую коробку из достаточно толстого картона:

"Всегда впереди!" – гласит нижняя строка в правом углу лицевой стороны упаковки. Проверим, так ли это. GEIL – одна из немногих компаний – производителей оперативной памяти, которые выпускают как сами чипы, так и печатные платы под них.

Российское представительство GEIL организовало маркетинговую акцию "Серийный номер", о чем нам сообщает соответствующий угловой стикер. Благодаря проводимой акции каждый покупатель модуля памяти GEIL может выиграть приз, для чего необходимо на официальном сайте ввести серийный номер только что приобретенного модуля (тестируемые, увы, оказались без выигрыша – я ради интереса проверил :)). Кроме того, на лицевой стороне присутствует адрес официального сайта и окно, позволяющее рассмотреть модуль памяти еще до его приобретения.

На обратной стороне упаковки, кроме штрих-кода с серийный номером, указаны контактные телефоны службы поддержки, информация о пожизненной гарантии на память и лозунг о "лучшем качестве и лучшей производительности":

Существуют у GEIL и двухканальные наборы этого типа памяти, поставляемые в одной коробке:

Память произведена на Тайване, в Тайпее. В картонной коробке находится пластиковый бокс, в котором надежно закреплен модуль памяти:

Еще по прорези в коробке можно было догадаться, что память закрыта теплораспределителями (единственная среди тестируемых сегодня бюджетных модулей):

На лицевой стороне алюминиевых Heat Spreader'ов присутствует фирменный логотип GEIL и голографическая наклейка с указанием объема модуля, его маркировки, таймингов (3-4-4-8) и страны производства. На обратной стороне все тот же штрих код и серийный номер. Чипы памяти расположены на лицевой и оборотной стороне печатной платы, которая, по информации GEIL, выполнена по шестислойному дизайну. Теплораспределители контактируют с чипами через термопрокладки. Кроме того, с обеих сторон пластины запираются в своеобразный замок, расстегнуть который, приложив умеренное усилие, не удалось. Если же чрезмерно сильно давить на пластины, то, на мой взгляд, существует риск повреждения модулей в целом и чипов памяти в частности. Поэтому увидеть то, что скрывается под пластинами, не удалось.

Указанные тайминги подтвердились информацией из SPD модулей:

GEIL GE1GB3200BSC относится к самому дешевому (читайте – бюджетному) классу выпускаемой GEIL памяти. В этом же сегменте компания выпускает модули памяти PC3200 объемом 256 и 512 Mb с номинальными таймингами 2.5-3-3-6 и 2.5-4-4-8 соответственно и частотой работы 400 MHz. Но только рассматриваемая сегодня память объемом 1 Gb имеет завышенные тайминги 3-4-4-8, что вполне логично. Номинальное напряжение работы памяти лежит в пределах 2.55–2.65 V. Даташит памяти, увы, обнаружить не удалось, однако в форуме "народная" память от GEIL активно обсуждается.

Ну что же, надеюсь, что у вас уже сложилось определенное мнение об участниках сегодняшнего тестирования, поэтому предлагаю перейти непосредственно к проведению тестов и анализу их результатов. Но для начала познакомимся с конфигурацией тестового стенда и методикой тестирования.

7. Конфигурация тестового стенда и методика тестирования

Все тесты проводились на закрытом стенде следующей конфигурации:

Материнская плата: ASUS A8N-SLI rev.1.02 (nForce 4 SLI), Socket 939, BIOS v.1008.
Процессор: AMD Athlon 64 3000+ 1800 MHz, 512 Kb (Venice, E3).
Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon (16 dB, ~1350 RPM, Heatpipe 6 x 6 мм, Cu + Al).
Термоинтерфейс: КПТ-8.
Видеокарта: PCI Express Gigabyte X700Pro (GV-RX70P128D-SP), 128Mb 128 bit DDR3 @ 495/1040 MHz.
Дисковая подсистема: 200 Gb SATA Seagate Barracuda 7200.8 (3200826AS) 7200 RPM, 8 Mb.
Привод: DVD±R/RW & CD-RW TSST SD-R5372.
Корпус: InWin S508 + блок питания 420 W (Thermaltake W0009) + два корпусных 80-мм кулера Zalman (~1750 RPM, 7 V).

Все тесты были проведены в операционной системе Windows XP Home Edition Service Pack 2 с использованием системных драйверов NVIDIA nForce версии 6.39, библиотек DirectX 9.0с и драйверов видеокарты Catalyst 5.6.

В качестве тестовых программ были использованы Super PI 1.1e и MemTest86+ версии 1.60. Сначала определялось предельное значение максимально возможной частоты работы памяти при каждом сочетании таймингов с помощью расчета 32M в Super PI, а затем проводилось более тщательное и продолжительное по времени тестирование с помощью MemTest86+, как правило, приводившее к незначительному снижению частоты для достижения стабильности и отсутствия ошибок (в среднем на 2-3 MHz).

Тесты были проведены в двухканальном режиме работы памяти при следующих сочетаниях таймингов (CAS (tCL), RAS to CAS delay (tRCD); Row Precharge (tRP) соответственно):

2-2-2;
2-3-3;
2.5-3-3;
3-3-3;
3-4-4.

Прочие тайминги, доступные в BIOS материнской платы, были выставлены в следующие одинаковые для всех пар модулей значения:

Min RAS Active Time (tRAS) = 10.
Row Cycle Time (Trc) = 7.
Row Refresh Cycle Time (Trfc) = 14.
Write Recovery Time (Twr) = 2.
Write to Read Delay Time (Twtr) = 2.

При проведении тестирования использовался параметр 1Т и три различных напряжения работы оперативной памяти: номинальное 2.6 V; увеличенное на 0.2 V и равное в итоге 2.8 V; а также максимально возможное на данной материнской плате – 3.0 V.

Несколько слов о параметре 1T на ASUS A8N-SLI. Ранее в статье о памяти G. SKILL F1-4400DSU2-1GBFC объемом 1 Gb, предполагая, что пределом работы данного экземпляра с включенным 1T являются 242 MHz, я ошибался. Это выяснилось в процессе дальнейшего изучения особенностей тонкой настройки данной материнской платы и проведения тестов оперативной памяти от различных производителей. Нет, значительно улучшить работу с 1T на повышенных частотах мне не удалось (материнская плата ведет себя по-прежнему очень капризно). Однако, после перебора около десятка различных модулей памяти и трех процессоров AMD Athlon 64 3000+ трех разных степпингов (включая новый E6), выяснилось, что ASUS A8N-SLI способна стабильно работать с 1T на частоте в 262 MHz, но... с одним-единственным типом памяти – Samsung 512 Mb M368L6523CUS-CCC (0530) с маркировкой чипов памяти K4H510838C-UCCC (дальнейший разгон, по всей видимости, ограничили сами модули памяти). Степпинг процессора значения не имеет (разве что в смысле максимального разгона CPU). Так что, несмотря на существование у ASUS A8N-SLI проблем при работе с активированным 1T, решение их заключается не только в замене материнской платы.

Результатов тестирования последнего сочетания таймингов работы оперативной памяти (3-4-4) на диаграммах вы не увидите, так как эти показатели с точностью до 1 MHz совпали с результатами тестирования при таймингах 3-3-3. Кроме того, вся память была проверена на разгон и стабильность в одноканальном режиме работы. При этом предполагаемый разброс между одинаковыми модулями одного производителя оказался в итоге незначительным и не превышал 2 MHz. Исключение составили модули памяти Hynix, которые на тесты попали не одной парой, как все остальные, а двумя – разница между лучшим и худшим модулем составила 4 MHz, что, впрочем, тоже немного. В результатах тестирования от Hynix HY5DU12822BTP-D43 указаны лучшие модули. Безусловно, судить об оверклокерском потенциале памяти только по результатам тестов двух модулей не совсем корректно, но необходимыми запасами из 8-10 штук модулей памяти для сбора статистической информации об их разгоне мы не располагаем. Для этого – добро пожаловать в наш форум по ссылкам, приведенным выше почти для каждой рассматриваемой сегодня памяти.

Несмотря на то, что в конфигурации тестового стенда отсутствует какое-либо упоминание о проведении тестирования на платформе с процессором Intel, все модули памяти (за исключением GEIL, "подъехавшей" на неделю позже) на данной платформе все же были проверены (материнская плата ABIT AG8-V на Intel 915P и P4 3.2 GHz). Правильнее сказать, что изначально были запланированы тесты на двух платформах, Intel и AMD, но в процессе проведения тестирования выяснилось, что все модули на Intel-платформе во всех проверенных сочетаниях таймингов работают с частотой на 3-5 MHz выше, чем на AMD (у Hynix результат был на 7 MHz лучше). Так как каких-либо принципиальных отличий в тестировании выявлено не было, то для анализа результатов в качестве тестовой платформы предлагаем вам именно AMD как наиболее требовательную к подсистеме памяти. Владельцы процессоров Intel могут смело прибавлять к полученным сегодня результатам указанную поправку в несколько MHz, хотя успех во многом будет зависеть от используемой материнской платы, прямоты рук и накопленного практического опыта.

8. Результаты тестов и их анализ

Рассмотрим результаты тестов, полученные при минимальных таймингах работы оперативной памяти:

Из общей группы в целом очень низких результатов выделяется только память производства GEIL. Фактически это единственные модули, которым увеличение напряжения хоть и незначительно, но все же помогает при разгоне. А вот все прочие модули не смогли показать чего-либо выдающегося. Хотя, с другой стороны, в SPD некоторых из них декларированы тайминги 2-2-2-6 при частоте всего лишь в 133 (166) MHz. Поэтому можно сказать, что результат в ~166 MHz для памяти этого уровня не такой уж и плохой.

Увеличиваем тайминги RAS to CAS delay (tRCD) и Row Precharge (tRP) с 2 на 3 и вновь смотрим на результаты:

Память от Hynix в аутсайдерах, но увеличение напряжения прибавляет ей 15 MHz к максимально возможной частоте при сохранении стабильности. Группа из трех пар памяти на одинаковых чипах Infineon – Kingston KVR400X64C3A/1G, Patriot PSD1G400 и Transcend TS128MLD64V4J – показывает одинаковые результаты и совершенно не зависит от подаваемого на модули памяти напряжения. В лидерах вновь память от GEIL, которая еще и заметнее всех остальных реагирует на повышение напряжения. Поднятием его с номинальных 2.6 V до максимально возможных 3.0 V удалось повысить оверклокерский потенциал модулей GEIL GE1GB3200BSC со 191 MHz до 217 (+26 MHz, или +13.6 %).

В целом, с одной стороны, разгон модулей памяти очень и очень скромен, а с другой – вся память на номинальном напряжении (за исключением Hynix в данном случае) способна работать на номинальной частоте и даже выше при пониженных относительно прошитых в SPD таймингах.

Увеличиваем CAS Latency с 2 до 2.5 и, не изменяя прочие тайминги памяти, проводим все испытания еще раз:

Начнем с аутсайдеров. Все три пары модулей на чипах Infineon HYB25D512800BE-5 показывают самые низкие результаты. Transcend и Patriot на одном уровне плетутся в самом хвосте, а Kingston хоть и на 7 MHz лучше, но также ничего выдающегося не показывает. На изменение напряжения эта троица никак не реагирует. Лидировавшая в двух предыдущих тестах GEIL GE1GB3200BSC попробовала было тоже присоединиться к этой группе, но поднятие напряжение помогло выйти на общую вторую строчку тестов при сочетании таймингов 2.5-3-3-10-1T. А в лидерах у нас оказываются державшиеся все это время в тени модули от PQI и благосклонно относящийся к высоким частотах на ослабленных таймингах Hynix D43. Причем если для PQI PQ4D648S5 увеличение напряжения как "ежику футболка", то у Hynix HY5DU12822BTP-D43 прибавка составила 12 MHz, что совсем немного, но все же лучше чем ничего.

Ну и последняя на сегодня комбинация таймингов:

Для модулей памяти производства Hynix ситуация нисколько не изменилась – их частотный потенциал, скорее всего, ограничила капризная по отношению к параметру 1Т материнская плата. Подтянулись к результатам лидера модули от PQI и на прежнем уровне остались результаты троицы на чипах Infineon. А вот бюджетная память от GEIL совсем не любит значение CAS Latency, равное 3: стабильная частота работы памяти резко упала и на увеличение напряжения модули никак не реагируют.

Подведем итоги.

Заключение

Общий итог по результатам тестирования шести пар модулей бюджетной оперативной памяти объемом модуля в 1 Gb неутешителен. С точки зрения оверклокинга никакого интереса дешевая оперативная память такого объема не представляет. Результаты в общей массе очень скромные, поэтому порекомендовать что-либо из протестированного сегодня довольно сложно. Подобная оперативная память, относящаяся к недорогому бюджетному классу, приобретается в первую очередь из-за потребности в большом объеме, а не для разгона. Тем не менее, исходя из результатов тестов проверенной сегодня памяти, можно сделать следующие выводы.

Три пары модулей на чипах Infineon - Kingston KVR400X64C3A/1G, Patriot PSD1G400 и Transcend TS128MLD64V4J – совсем сложно рекомендовать к приобретению. Результаты разгона, показанные этой памятью как при минимальных таймингах, так и при максимально выставленных, очень посредственны. Несколько лучше двух остальных выглядят модули от Kingston (поэтому и названы "самым удачным близнецом"), но в сравнении с другими участниками тестирования и эта память ничем выдающимся не блещет. Максимум – 228 (456) MHz при таймингах 2.5-3-3-10-1T.

На вторую строчку сегодняшнего рейтинга можно, пожалуй, поставить оперативную память GEIL GE1GB3200BSC. С запасом выиграв тесты при сочетаниях таймингов 2-2-2-10 (181 MHz, 3.0 V) и 2-3-3-10 (217 MHz, 3.0 V), эти модули еще и неплохо реагируют на увеличение напряжения. Кроме того, и в качестве подарочного комплекта, скорее всего, лучше всего будут смотреться именно модули от GEIL: благодаря красивой упаковке и стильным теплораспределителям не обратить внимание на эту память просто невозможно. В дополнение ко всему, существует вероятность выигрыша какого-нибудь приза ;).

По максимально возможной частоте работы модулей пары 1 GB памяти и, как следствие, достигнутой при этом пропускной способности на первую строчку "итогового протокола" поднимается Hynix HY5DU12822BTP-D43, оставив немного места и для скромной PQI PQ4D648S5. Если для памяти производства PQI материнская плата не стала ограничителем максимально возможной частоты, то Hynix D43 при разгоне все же "упирается" в возможности материнской платы ASUS A8N-SLI. Но в контексте данного тестирования особого значение данный факт не имеет, так как Hynix по частоте и так опередил сегодняшних конкурентов.

Желательно вообще иметь два оверклокерских модуля DDR памяти объемом по 512 Mb уровня G.Skill для тестов и персональных рекордов и два (а еще лучше четыре) модуля бюджетной памяти объемом по 1 Gb для комфортных ощущений без частых обращения к файлу подкачки в любой игре. Кстати, 2 x 512 Mb G.Skill и пара бюджетных модулей объемом 1 Gb вполне сопоставимы по цене, поэтому выбор, как всегда, за вами.

В завершение приведу информацию о стоимости тестируемых сегодня модулей. Наиболее верным, на мой взгляд, стало бы указание цены на память у одного розничного поставщика, но такого (чтобы в прайс-листе были представлены все тестируемые сегодня модули памяти) не оказалось. Поэтому, приводя розничную цену, считаю целесообразным давать ссылку на предлагающую память компанию. Цена (в долларах США) указана за 1 модуль памяти для московской розницы. В регионах стоимость памяти может отличаться, причем как в сторону увеличения, так и сторону снижения (последнее, к сожалению, бывает гораздо реже).