«Платите меньше и получайте больше?» Тестируем оверклокерский комплект модулей памяти G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC объемом 1 GB

Вначале несколько слов о компании G.SKILL. Основанная по меркам IT-индустрии достаточно давно – в 1989 году, компания широко известна в кругах компьютерных энтузиастов-оверклокеров. Благодаря широчайшему ассортименту оперативной памяти и ее высокому качеству G.SKILL прочно занимает лидирующие места в мировой элите брендов данного сегмента Hi-Tech. Вся выпускаемая компанией память – как "народная" G.SKILL DDR Value Series , так и сверхбыстрая и, как следствие, дорогая DDR2 Extreme Series – перед выходом на рынок проходит тщательный многочасовой контроль. Собственная репутация и качество выпускаемой G.SKILL продукции для компании превыше всего. Центральный офис расположен на Тайване, в Тайпее. Официальные представительства есть в США, Германии, Великобритании, Франции, Японии, Малайзии, Корее и других странах.
Что приятно, официальный сайт компании G.SKILL максимально информативен. Исчерпывающую информацию по любому выпускаемому компанией типу памяти или комплекту можно найти без особого труда и лишних затрат времени (не в пример некоторым достаточно известным производителям). Основным поставщиком чипов памяти для G.SKILL является компания Samsung, чьи TCCD- и TCC5-микросхемы уже достаточно давно отлично зарекомендовали себя в оверклокерских кругах. Не стал исключением и сегодняшний комплект модулей, с которым мы и предлагаем вам сегодня познакомиться.
Достаточно больших размеров прозрачная пластиковая упаковка открывает взору потенциального покупателя два модуля оперативной памяти стандарта DDR SDRAM объемом 512 MB каждый:

Маркировка модулей памяти – F1-4400DSU2-1GBFC. Модули двусторонние и набраны 16 микросхемами объемом по 32 MB каждая. По официальной информации G.SKILL, для таких комплектов специально отбираются чипы памяти и только после длительного тестирования пары модулей поступают на рынок. Память закрыта алюминиевыми теплорассеивателями золотистого цвета, контактирующими с чипами через термопрокладку:
реклама

Стикер на каждом из модулей несет информацию о стандарте – PC4400 (~277 MHz), объеме памяти – 512 MB, номинальных таймингах ее работы – 2.5-4-4-8, а также диапазоне рабочих напряжений – 2.7–2.9 V. Кроме того, эта наклейка одновременно является еще и гарантией, что и объясняет тот факт, что непосредственно чипов памяти вы сегодня не увидите. Но, по официальной информации G.SKILL, эти комплекты основаны на уже упомянутых мною выше микросхемах Samsung TCCD, которые в достаточной степени универсальны, то есть способны работать как на невысокой частоте (205–215 MHz) при низких таймингах (2-2-2-5), так и на высоких частотах (выше 275 MHz), но уже при повышенных таймингах работы оперативной памяти (2.5-4-4-8). Судя по маркировке комплекта памяти, сегодня нам представляется именно второй вариант; тем не менее, мы проверим весь частотный диапазон работы F1-4400DSU2-1GBFC.
Информационно-тестовая утилита Everest по SPD (Serial Presence Detect) модулей оперативной памяти показывает следующую информацию:

Как можно заметить, сведения о таймингах работы памяти, указанные на стикере и прошитые в SPD модулей, не совпадают, но не стоит так серьезно относиться к тому, что прошито в SPD. Главное – на что способна эта память на практике, а не на бумаге или исходя из технических характеристик. Это и станет объектом проверки.
Тестирование было выполнено на следующей конфигурации:
- Материнская плата: ASUS A8N-SLI rev.1.02 (nForce 4 SLI), Socket 939, HTT 4x, BIOS v.1008.
- Процессор: AMD Athlon 64 3000+ 1800 MHz, 512 Kb (Venice, Step. E3).
- Система охлаждения: Thermaltake Big Typhoon (16 dB, ~1350 RPM, Heatpipe 6 x 6 мм, Cu+Al).
- Термоинтерфейс: КПТ-8.
- Видеокарта: 128 Mb PCI Express ASUSTeK EAX300/TD DVI+TV-Out (ATI X300).
- Дисковая подсистема: 200 Gb SATA Seagate Barracuda 7200.8 (3200826AS), 7200 RPM, 8 Mb.
- Привод: DVD±R/RW & CD-RW TSST SD-R5372.
- Корпус: InWin S508 + блок питания 420 W (Thermaltake W0009) + 2 корпусных 80-мм кулера Zalman (~1750 RPM, 7 V).
Тестирование G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC проводилось с помощью программы MemTest86+ версии 1.60. Тестирование выполнялось при следующих сочетаниях таймингов оперативной памяти (CAS (tCL), RAS to CAS delay (tRCD), Row Precharge, tRAS соответственно):
- 2-2-2-10;
- 2-3-3-10;
- 2.5-3-3-10;
- 3-3-3-10;
- 3-4-4-10.
Кроме того, все указанные сочетания таймингов были проверены при параметре 1Т и 2Т, а также при двух напряжениях, 2.7 и 2.9 V. Результаты получились следующие:
реклама

Сначала необходимо дополнить полученные результаты пояснениями по поводу достаточно скромных достижений тестируемой сегодня памяти по частоте при 1T. Дело в том, что имеющаяся в наличии материнская плата ASUS A8N-SLI хотя и пользуется высокой популярностью в оверклокерских кругах (пожалуй, уступая только аналогичной плате от DFI), но имеет очень серьезный недостаток, который все никак не могут исправить даже новые версии BIOS. Речь идет о проблемах в работе с 1Т. В исключительно редких случаях удается заставить работать эту системную плату с 1T на частоте выше 250 MHz. Судя по предварительным тестам, предел моего экземпляра ASUS A8N-SLI составляет 242 MHz. В свою очередь, G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC способна работать на 280 MHz с таймингами 2.5-4-4-10 при 1T и напряжении 2.9 V, но... на материнской плате ASUS A8N-SLI Premium, использующей, по всей видимости, более качественную элементную базу либо "правильный" BIOS. Подтверждение этого факта в статье "Большой Брат" глазами ASUSTek: тестируем двухчиповую видеокарту ASUS EN6800GT Dual 512 Mb", где тестируемая сегодня оперативная память работала в режиме 280 MHz при 2.5-4-4-10 и как раз 1T.
Что же касается сегодняшних результатов тестов, то оверклокерский потенциал памяти впечатляет! Поднятие напряжения с 2.7 до 2.9 V заметно влияет на увеличение максимально возможной частоты работы памяти при таймингах 2-2-2-10 (+6 MHz) и 2-3-3-10 (+10 MHz), причем как с 1T, так и с 2T. В остальных протестированных сочетаниях таймингов памяти G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC увеличение напряжения способствует разгону весьма незначительно. Лучшим по частоте, да и по результатам тестов, как и предполагалось, стал режим работы памяти в 311 (!) MHz при таймингах 3-4-4-8 и 2Т:

Благодаря достигнутой частоте работы памяти с процессором AMD Athlon 3000+, работающим на ~2.6 GHz, в популярной комплексной информационно-тестовой программе Sandra удалось достичь результата в 7093/7106 MB/s (Int Buff’d iSSE2 / Float Buff’d iSSE2). При операциях чтения оперативной памяти в Everest результат составил 7784 MB/s. Скорость записи достигла 2350 MB/s. В то же время латентность снизилась до 40 ns.
Остается только догадываться о результатах тестов G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC без лимитации материнской платой по параметру 1T. Тем не менее, полученные сегодня результаты тестирования этого набора не могут не внушать уважение. Добавлю, что в процессе работы алюминиевые теплорассеиватели на памяти сильно нагреваются, однако на стабильность работы памяти при разгоне это не отразилось. Впрочем, для того чтобы окончательно убедиться в этом, необходимо провести более длительное по времени тестирование, выходящее за рамки данной статьи.
Проверенная сегодня память, на мой взгляд, является одним из лучших представителей DDR-памяти, способным работать на частотах, значительно превышающих номинальные (хотя даже номинальные частоты впечатляют). Остается лишь вопрос стоимости. Здесь все уже не так жизнерадостно, ибо за 198 долларов США, которые просят за G.SKILL F1-4400DSU2-1GBFC, сегодня можно купить не один, а целых два гигабайта памяти, потребность в которых возрастает с выходом каждой новой игры. Вот только можно быть уверенным, что скорость будет уже не так высока. В любом случае – выбор за вами.
Ваши замечания и предложения по теме статьи предлагаю обсудить в специально созданной ветке конференции.
Сергей Лепилов aka Jordan
Лента материалов раздела
Соблюдение Правил конференции строго обязательно!
Флуд, флейм и оффтоп преследуются по всей строгости закона!
Комментарии, содержащие оскорбления, нецензурные выражения (в т.ч. замаскированный мат), экстремистские высказывания, рекламу и спам, удаляются независимо от содержимого, а к их авторам могут применяться меры вплоть до запрета написания комментариев и, в случае написания комментария через социальные сети, жалобы в администрацию данной сети.
Сейчас обсуждают