реклама
SK hynix сообщила о разработке самой быстрой серверной памяти DDR5 со скоростью 8 Гбит/с, что примерно на 80% быстрее стандартизированных модулей DDR5-4800, применяемых в серверном сегменте. Модули SK hynix используют технологию Multiplexer Combined Ranks (MCR), разработанную в сотрудничестве с компаниями Intel и Renesas. Суть технологии — одновременно задействовать оба ранга двухранговой памяти для увеличения ширины канала данных до 128 бит. Это нестандартный подход, который позволяет увеличить скорость модуля без увеличения скорости отдельных чипов. В реализации одновременной работы двух рангов задействован буфер модуля MCR DIMM на основе технологии Intel MCR. Буфер является промежуточным звеном между процессором и модулем.
Вице-президент и генеральный директор подразделения по разработке интерфейсов памяти в Renesas, Самир Куппахалли (Sameer Kuppahalli) отметил, что разработка буфера данных — кульминация трёх лет интенсивной работы. Вице-президент по технологиям памяти и интерфейсам ввода-вывода в Intel, доктор Димитриос Зиакас (Dimitrios Ziakas), с нетерпением ожидает применения технологии в будущих процессорах Intel Xeon. SK hynix уже обладает работающими образцами модулей MCR DIMM и планирует довести продукт до массового производства, точные сроки пока не уточняются.
