Крупный китайский новостной портал mydrivers.com со ссылкой на тайваньские СМИ, сообщает, что инженеры TSMC совершили большой прорыв в области исследования и разработки 2-нм техпроцесса. Компания разработала схему производства транзисторов с горизонтальным расположением каналов и опоясывающим затвором GAA (Gate-All-Around).

В честь этого события Ло Вейрен (англ. Luo Weiren), заместитель генерального директора TSMC, ответственный за исследования и разработки, устроил празднования, благодаря инженеров компании за их труд и преданность делу.

Ожидается, что опытное производство 3-нм техпроцесса TSMC будет запущено в первой половине следующего года, а серийное производство — в 2022 году. Предположительные сроки запуска производства 2-нм техпроцесса TSMC намечены на период между 2023 и 2024 годами.

TSMC заявила в апреле этого года, что 3-нм по-прежнему будет использовать технологию FinFET (ребристый полевой транзистор). Это даст возможность клиентам TSMC легко импортировать дизайн своих 5-нм чипов в новый техпроцесс без существенных затрат. На данный момент среди клиентов TSMC присутствуют такие крупные компании как Apple, Qualcomm, AMD и другие.

Ранее сообщалось, что Samsung взяла на себя инициативу по внедрению технологии GAA в 3-нм техпроцесс и заявила, что к 2030 году она превзойдет TSMC и займет лидирующую позицию в производстве полупроводниковых изделий. Возможно, Samsung придется пересмотреть свои планы.

Samsung Electronics продемонстрировала кремниевую пластину, изготовленную по технологии 3 - нм